导读:本文包含了纵向电场论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:监控系统,纵向加密认证装置,网络安全
纵向电场论文文献综述
魏立,唐磊[1]（2019）在《纵向加密认证装置在海上风电场监控系统的应用》一文中研究指出根据电力监控系统安全防护的要求,介绍2种应用于海上风电场的纵向加密认证装置安装部署方案。这2种方案采取了身份认证、数据加密、访问控制等安全措施,有效地防止风机采集终端的安全风险扩散到站控系统,强化了站控系统与采集终端之间的通信安全。(本文来源于《船舶工程》期刊2019年S1期）
赵逸涵[2]（2018）在《横向功率器件纵向电场调制机理及新型器件设计》一文中研究指出作为功率集成电路中至关重要的元器件,横向功率器件一直是相关从业人员的研究重点与热点。而器件的耐压以及导通性能对于应用于高压集成电路中是最关键的因素,国内外对于横向功率器件的性能优化从未停止。并且在器件优化的过程中,横向功率器件纵向耐压受限问题越来越凸显。REBULF理论以及电场调制技术等,为功率器件的性能优化做出了指导性的思路。本文在此基础上,并结合功率器件优化过程,提出横向功率器件纵向电场调制理论技术,对于横向功率器件纵向电场进行针对性的优化。并且在此基础上提出两种新型器件结构,分别为ADSL LDMOS以及ADSL SJ-LDMOS。对于横向功率器件纵向耐压受限问题提出了解决思路。本文具体所做的创新工作包括:(1)通过分析横向功率器件体内场及纵向电场优化思想,并结合REBULF理论以及电场调制技术等,针对优化横向功率器件纵向电场分布以及解决纵向耐压问题,在前述纵向耐压优化理论及结构优化的基础上,提出横向功率器件纵向电场调制理论。该理论通过优化横向功率器件纵向电场,充分发掘器件衬底耐压能力,缓解了横向功率器件击穿电压饱和现象,在优化器件纵向电场分布的同时,对表面电场也有充分的优化作用。为横向功率器件纵向耐压问题提出一种新的理论思想。(2)结合纵向耐压优化理论及结构优化,并在本文提出的横向功率器件纵向电场调制理论基础上,针对典型横向功率器件LDMOS,提出了具有纵向辅助耗尽衬底层的新型LDMOS结构。研究表明:当常规LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462V增大到了897V,提高了94%左右,并且优值FOM也从0.55MW/cm~2提升到1.24MW/cm~2,提升125%。因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较常规LDMOS有了极大的提升。并且进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938V,叁分区时为947V。并在此章内容最后给出了新结构器件的工艺制备技术的详细流程。(3)在具有纵向辅助耗尽衬底层的新型LDMOS结构基础上,将纵向电场调制技术应用于横向超结功率器件中,提出具有纵向辅助耗尽衬底层的新型SJ LDMOS结构,即ADSL SJ-LDMOS。研究表明:新提出的ADSL SJ-LDMOS在漂移区长度与常规SJ-LDMOS均为30μm时,击穿电压由273V增大到了445V,提高了63%左右,并且优值FOM也从3.764MW/cm~2提升到了6.828MW/cm~2,提升81.4%。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2018-04-01）
宋庆文,胡夏融,冯灏[3]（2015）在《埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响》一文中研究指出研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,器件的BV2/Rs,on设计优值最大。指出了P型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置,以及对应的漂移区浓度取值范围,为横向高压Triple-RESURF LDMOS的设计提供了参考。(本文来源于《微电子学》期刊2015年02期）
吕晓禄,梁军,贠志皓,马庆法,王洪涛[4]（2014）在《风电场出力的纵向时刻概率分布特性》一文中研究指出提出一种新的纵向时间序列分析法,基于实测历史数据,统计365 d或更长天数内每天同一时刻的风电出力,得到96个不同时刻的概率分布结果,并通过函数拟合归纳出由分段函数表达的风电出力概率特征,在此基础上实现对风功率预测值的预评估。算例分析表明,经该方法得到的各时刻概率分布分段函数对不同年份数据有较好的适用效果,对不同置信水平下的预测值预评估效果较好,进一步说明纵向时刻概率分布特性是风电出力的固有属性。(本文来源于《电力自动化设备》期刊2014年05期）
吕晓禄[5]（2014）在《风电功率纵向时刻概率分析与风电场储能容量优化》一文中研究指出随着能源、环境问题的日益突出,以及煤炭、石油等非可再生能源的日益枯竭,世界各国均已将可再生能源的发展提升到战略高度。其中,风能因其污染少、储量大、不占用耕地等优点成为最具大规模开发利用潜力的能源。近年来,随着风力发电技术的不断成熟,其规模逐年扩大,装机容量逐年增加。因此,风力发电对电网的影响也日益受到关注。风电具有波动性、间歇性等特点,这使其面临不确定性和难以准确预测等问题。风电的大规模并网给电网的安全稳定运行、电能质量等方面带来挑战。如何平抑风电的波动,成为重要研究课题。在此背景下,论文从风功率波动特性、风电场储能容量优化、风功率分级后进行储能等多方面进行研究,以期提高风电场功率输出的可靠性,提高风功率的利用率,提高风电的可调度性。论文的主要工作可以概括为以下几个部分：首先,提出一种新的分析风电功率波动特性的方法,即纵向时刻概率分析法,该方法基于实测历史数据,统计365天或更长天数内每天同一时刻的风电出力,得到96个不同时刻的概率分布结果,并通过函数拟合归纳出由分段函数表达的风电出力概率特征,在此基础上实现对风功率预测值的预评估。该方法不仅证明了纵向时刻概率分布特性是风电出力的固有属性,也为后续功率分级方法的实现提供了依据。其次,为使风电输出最大程度满足调度需求,引入储能系统,并提出考虑电池寿命和过放现象的风电场储能容量优化计算法,该方法将放电深度及过放现象等造成的寿命损伤折合为运行成本,将未满足期望输出部分的能量折合为惩罚成本,同时考虑储能设备的固有成本,以该叁部分综合经济成本最小为优化目标,以功率约束、容量约束、电池寿命约束为约束条件,以遗传算法为求解方法,来求解最优的储能容量。储能系统配置这一容量后,可以从经济性、可靠性等方面最大程度减小风功率波动,满足调度需求。再次,为减小储能系统容量,降低储能成本,提高风电利用率,提出一种基于纵向时刻概率分析方法和区间估计理论的风功率分级方法,并在分级方法的基础上进行新的风电场储能容量优化。风功率分级是将风电功率分为一级出力、二级出力、叁级出力,其中前两级出力可靠性较高,可直接用于风电调度,叁级出力用于优化储能容量。利用叁级出力求取的储能容量较小,可大大降低储能成本,一级出力、二级出力和储能后叁级出力之和作为风场输出,可有效提高风场输出的稳定度和利用率。最后,在前述研究内容的基础上,以分级后加入小储能系统的风场输出作为历史数据,进行风功率预测,与不加储能时利用原始风电功率数据进行的预测相比,前者的预测精度显着提高。这种分级后储能的方法对于实现风电的可靠调度具有现实意义。(本文来源于《山东大学》期刊2014-04-28）
唐凯[6]（2014）在《外加纵向电场对ZnO纳米材料的性能影响》一文中研究指出ZnO是一种II-VI族宽禁带半导体材料，在室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，是当前实现短波长光电子应用尤其是蓝—紫外发光二极管和紫外探测器件的理想材料之一。由于ZnO材料在制备过程中往往会产生很多结构缺陷和表面缺陷，影响了材料的发光性能，因此，探索ZnO的缺陷及由深能级缺陷引起的可见区发光机制，以获得高效稳定紫外发光器件也就成为研究学者面临的重要任务。对于ZnO的六角纤锌矿结构来说，ZnO沿c轴方向具有较强的极性，所以在外加电场的作用下ZnO材料的表面形貌和光电性质将会发生变化。本文主要研究了外加纵向电场对ZnO材料的形貌、结构和光学特性的影响，并在此基础上制备了锑掺杂的p-ZnO纳米线/n-ZnO纳米线的同质结发光二极管，并对其光电特性进行了研究。取得的主要结果如下：(1)采用CVD法在不同外加纵向电场的作用下，在低阻Si(111)衬底上生长了不同形貌的ZnO结构。通过测试表明随着外加电压的增加，样品的表面形貌由取向较差的纳米棒到取向较好的纳米棒，再到薄膜的转变，发现在外加电压为40V时制备的纳米棒的晶体质量和表面形貌为最好。此外，还对在外加电压为50V下制备的样品F在氧气气氛下进行了退火处理，结果表明800℃为最佳退火温度，并且证实可见区的发光可能与氧空位有关。(2)采用化学气相沉积法，在40V外加纵向电场作用下，在n-Si(111)衬底上制备出锑掺杂p-ZnO/n-ZnO纳米线的同质结发光二极管。通过扫描电镜可以清晰的观察到n-ZnO和p-ZnO纳米线很好的连接在一起。此外，该器件的I-V曲线显示出具有良好的整流特性。在正向注入35mA的电流时该器件实现了室温下的电致发光，在电致发光谱中发现了两个明显的发光峰，一个是位于3.24eV的紫外发光峰，另一个是位于2.49eV的可见发光峰。(本文来源于《辽宁师范大学》期刊2014-03-01）
朱方,张兆传,戴舜,罗积润[7]（2011）在《电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响》一文中研究指出基于次级电子倍增动力学模型和次级电子发射曲线,运用蒙特卡罗方法模拟电介质表面具有纵向射频电场作用下的单边次级电子倍增现象,研究次级电子倍增的表面电场敏感曲线和时间演化图像.以一个S波段射频介质窗为例,计算次级电子在其介质表面的沉积功率.结果表明,纵向射频电场可能加剧电介质表面的次级电子倍增效应,易于导致介质片破裂,不利于高频能量传输.(本文来源于《物理学报》期刊2011年08期）
姜孟瑞,张磊[8]（2003）在《无纵向电场分量离子波纹激光的小信号增益》一文中研究指出在离子波纹摆动器中,改变电子束的入射方向,保证了离子波纹场的纵向分量为零,从而消除了纵向电场对离子波纹激光的不利影响。给出了束电子的运动轨迹,运用Madey定理计算了小振幅条件下该离子波纹激光的小信号增益。(本文来源于《光电子·激光》期刊2003年06期）
姜孟瑞,祝家清[9]（2001）在《无纵向电场分量离子波纹摆动器自由电子激光》一文中研究指出本文在离子波纹摆动器中 ,提出改变电子束的入射方向 ,保证离子波纹场的纵向分量为零 ,从而消除了纵向电场对离子波纹摆动器的影响。在小振幅条件下 ,给出了摆动器的工作方程 ,导出了束电子的运动轨迹和自发辐射谱分布(本文来源于《光电子·激光》期刊2001年04期）
苟全补,李松林,卢俊,诸永泰,田文栋[10]（1998）在《纵向电场电离室望远镜》一文中研究指出介绍由梯形电离室加上位置灵敏半导体探测器构成的望远镜的制造工艺、工作原理及其性能测试．探测器作为核反应测量的工具，在核物理实验中有着非常重要的地位．这套探测器望远镜是由测量能损ΔＥ的气体电离室，加上测量剩余能量Ｅ的位置灵敏半导体探测器构成的．它充分发挥了气体电离室和位置灵敏半导体探测器各自的优点，在１０２．００～１０９．５０ＭｅＶ１９Ｆ＋５１Ｖ耗散反应激发函数的研究中，其优良性能得到了充分体现．(本文来源于《兰州大学学报》期刊1998年02期）
纵向电场论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
作为功率集成电路中至关重要的元器件,横向功率器件一直是相关从业人员的研究重点与热点。而器件的耐压以及导通性能对于应用于高压集成电路中是最关键的因素,国内外对于横向功率器件的性能优化从未停止。并且在器件优化的过程中,横向功率器件纵向耐压受限问题越来越凸显。REBULF理论以及电场调制技术等,为功率器件的性能优化做出了指导性的思路。本文在此基础上,并结合功率器件优化过程,提出横向功率器件纵向电场调制理论技术,对于横向功率器件纵向电场进行针对性的优化。并且在此基础上提出两种新型器件结构,分别为ADSL LDMOS以及ADSL SJ-LDMOS。对于横向功率器件纵向耐压受限问题提出了解决思路。本文具体所做的创新工作包括:(1)通过分析横向功率器件体内场及纵向电场优化思想,并结合REBULF理论以及电场调制技术等,针对优化横向功率器件纵向电场分布以及解决纵向耐压问题,在前述纵向耐压优化理论及结构优化的基础上,提出横向功率器件纵向电场调制理论。该理论通过优化横向功率器件纵向电场,充分发掘器件衬底耐压能力,缓解了横向功率器件击穿电压饱和现象,在优化器件纵向电场分布的同时,对表面电场也有充分的优化作用。为横向功率器件纵向耐压问题提出一种新的理论思想。(2)结合纵向耐压优化理论及结构优化,并在本文提出的横向功率器件纵向电场调制理论基础上,针对典型横向功率器件LDMOS,提出了具有纵向辅助耗尽衬底层的新型LDMOS结构。研究表明:当常规LDMOS与ADSL LDMOS的漂移区长度都是70μm时,击穿电压由462V增大到了897V,提高了94%左右,并且优值FOM也从0.55MW/cm~2提升到1.24MW/cm~2,提升125%。因此,新结构ADSL LDMOS的器件性能较常规LDMOS有了极大的提升。并且进一步对ADSL层进行分区掺杂优化,在新结构的基础上,击穿电压在双分区时上升到938V,叁分区时为947V。并在此章内容最后给出了新结构器件的工艺制备技术的详细流程。(3)在具有纵向辅助耗尽衬底层的新型LDMOS结构基础上,将纵向电场调制技术应用于横向超结功率器件中,提出具有纵向辅助耗尽衬底层的新型SJ LDMOS结构,即ADSL SJ-LDMOS。研究表明:新提出的ADSL SJ-LDMOS在漂移区长度与常规SJ-LDMOS均为30μm时,击穿电压由273V增大到了445V,提高了63%左右,并且优值FOM也从3.764MW/cm~2提升到了6.828MW/cm~2,提升81.4%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纵向电场论文参考文献
[1].魏立,唐磊.纵向加密认证装置在海上风电场监控系统的应用[J].船舶工程.2019
[2].赵逸涵.横向功率器件纵向电场调制机理及新型器件设计[D].西安电子科技大学.2018
[3].宋庆文,胡夏融,冯灏.埋层深度对Triple-RESURFLDMOS纵向电场和击穿电压的影响[J].微电子学.2015
[4].吕晓禄,梁军,贠志皓,马庆法,王洪涛.风电场出力的纵向时刻概率分布特性[J].电力自动化设备.2014
[5].吕晓禄.风电功率纵向时刻概率分析与风电场储能容量优化[D].山东大学.2014
[6].唐凯.外加纵向电场对ZnO纳米材料的性能影响[D].辽宁师范大学.2014
[7].朱方,张兆传,戴舜,罗积润.电介质表面纵向射频电场对次级电子倍增效应的影响[J].物理学报.2011
[8].姜孟瑞,张磊.无纵向电场分量离子波纹激光的小信号增益[J].光电子·激光.2003
[9].姜孟瑞,祝家清.无纵向电场分量离子波纹摆动器自由电子激光[J].光电子·激光.2001
[10].苟全补,李松林,卢俊,诸永泰,田文栋.纵向电场电离室望远镜[J].兰州大学学报.1998