导读:本文包含了亚阈值电流论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:亚阈值电流,亚阈值斜率,叁材料双栅,应变硅
亚阈值电流论文文献综述
辛艳辉,袁合才,辛洋[1]（2018）在《对称叁材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型》一文中研究指出基于泊松方程和边界条件,推导了对称叁材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流与亚阈值斜率二维解析模型.分析了沟道长度、功函数差、弛豫Si Ge层的Ge组份、栅介质层的介电常数、应变硅沟道层厚度、栅介质高k层厚度和沟道掺杂浓度等参数对亚阈值性能的影响,并对亚阈值性能改进进行了分析研究.研究结果为优化器件参数提供了有意义的指导.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好.(本文来源于《电子学报》期刊2018年11期）
薛舫时[2]（2016）在《GaN HFET中的亚阈值电流和穿通》一文中研究指出通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究了外沟道夹断前后的沟道电阻变化。研究了从外沟道渗透到内沟道的电场梯度和缓冲层沟道阱,发现了新的电场梯度引起的能带下弯(Electric field gradient induced band bowing,EFGIBB)效应。从漏电压引起的电势下降(Drain-induced barrier lowering,DIBL)和EFGIBB两效应出发建立起新的穿通阱模型,由此解释了实验中观察到的各类阈值电压负移、亚阈值电流和穿通等沟道夹断以后的行为,发现了由强负栅压引起的新穿通现象。最后讨论了新穿通行为对器件性能的影响,探索优化设计器件结构,改善器件性能的新途径。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2016年05期）
周晓梁[3]（2014）在《多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型研究》一文中研究指出本论文针对多晶硅薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)提出了一个解析的亚阈值区电流模型，该模型在金属诱导横向结晶和准分子激光结晶两种不同结晶工艺的器件上得到了验证。首先，本文澄清了多晶硅TFTs的亚阈值区电流成分为漂移电流，并首次发现亚阈值区沟道有效迁移率（effective channel mobility, μeff）遵守Meyer-Neldel rul（eMNR）。两种不同结晶工艺的多晶硅TFT器件中提取的特征MN能量，以及MNR开始失效时对应的激活能均接近硅的光声子能量，为MNR提供了有力依据。在晶粒间界处，多声子吸收激发载流子以热离化发射越过晶粒间界势垒是MNR的物理根源。然后，本文提出了一个解析的多晶硅TFT亚阈区值电流模型。澄清了亚阈值区内的沟道反型过程，并基于栅与沟道间的电容-电压测量对沟道反型层电荷密度进行建模。基于MNR构建了沟道有效迁移率模型，同时考虑亚阈值区内载流子的漂移运动，推导得到了适用于多晶硅TFT的解析的亚阈值区电流模型。从该电流模型推导了亚阈值摆幅的表达式用以分析器件亚阈值特性，发现受栅压控制的晶粒间界势垒降低效应为多晶硅TFT亚阈值摆幅的主导效应。最后，通过引入插值函数得到了多晶硅TFT统一的电流模型，将本文提出的亚阈值区电流模型和小组之前提出的开态区电流模型结合了起来。(本文来源于《苏州大学》期刊2014-05-01）
韩名君,李长波,钱峰,陶玉贵[4]（2014）在《基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型》一文中研究指出随着器件工艺的更新,亚阈值电流对MOSFET的亚阈值特性的影响越来越大,但是目前的计算均是基于一维或者准二维电势模型,计算量小但是误差大。基于二维电势模型,使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程,并用泰勒级数展开法计算得到二维电势的指数函数积分。并且考虑在沟道超短的情况下,热电子发射电流已经无法忽略,因而考虑了热电子发射电流并联的影响,最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型。通过将计算结果与Medici仿真结果对比,验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阈值区的电流。(本文来源于《宿州学院学报》期刊2014年04期）
王洪涛,王茺,胡伟达,杨洲,熊飞[5]（2010）在《短沟道n-MOSFET亚阈值电流模拟计算分析》一文中研究指出本文基于亚阈值电流和表面势模型的基础上,采用商用器件模拟软件,建立了短沟道n-MOSFET的结构和物理模型,对器件的亚阈值电流进行了2-D数值模拟。计算了不同沟道掺杂浓度、氧化层厚度以及沟道长度对器件亚阈值电流的影响,并对模拟结果进行了系统的理论分析,数值模拟结果和解析模型能够在亚阈值区很好的吻合。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2010年04期）
栾苏珍,刘红侠,贾仁需,王瑾[6]（2008）在《异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型》一文中研究指出在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移-扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求解简单,文中给出了一种分段近似方法,从而得到表面势的解析表达式.结果表明,所得到的表面势解析表达式和确切解的结果高度吻合.二维器件数值模拟器ISE验证了通过表面势解析表达式得到的亚阈值电流模型,在亚阈值区二者所得结果吻合得很好.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年04期）
张雷,余志平,贺祥庆[7]（2008）在《一种用于表征亚阈值电流镜电路中CMOS工艺波动的统计学方法(英文)》一文中研究指出提出了一种新的表征亚阈值电路镜电路中CMOS工艺波动的方法.与现有的统计学方法相比,该方法在理论上和计算复杂度上相对简洁,但对亚阈值电流镜电路中的CMOS工艺波动做出了准确的评估.此模型利用统计学的概念将依赖于IC工艺的物理参数抽象为具有确定均值和方差的随机变量,并进一步将所有随机因素累加为离散鞅.在SMIC0.18μmCMOS1P6M混合信号工艺下,利用工作在100pA～1μA范围内、增益为100的亚阈值电流镜电路对此方法的正确性进行了实验验证.该理论成功地预测了～10%的实测芯片间工艺波动,并且给出了～1mV的片上阈值电压标准偏差,此结果与SMIC提供的设计参数吻合.该理论给出的概率分布与实测结果的偏差小于8%.同时,还针对高工艺稳定性的亚阈值模拟电路设计方法进行了相关的讨论.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年01期）
牛国富,汤庭鳌,Carlos,A,Paz,de,Araujo[8]（1993）在《一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法》一文中研究指出采用电荷法,避免使用有效沟道厚度的近似概念,较严格地讨论了MOS场效应管的亚阈值电流、亚阈值摆幅,其结果与实验数据符合较好。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1993年01期）
陈登元,汤庭鳌,C,A,Paz,de,Araujo[9]（1989）在《短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型》一文中研究指出利用二维泊松方程的解析解,得到了短沟道MOS FET亚阈值电流的解析模型.在弱反型区,解析模型的结果与数值模拟的结果符合较好.(本文来源于《半导体学报》期刊1989年07期）
杨绪华,孙青[10]（1988）在《MOSFET亚阈值电流特性》一文中研究指出本文从表面电势的大小入手,将亚阀区分为两部分,即弱反型区和多子耗尽区,用扩散理论求得了漏极电流;在多子耗尽区,用理想突变pn结近似求得漏极电流.最后讨论了界面态密度对漏极电流的影响和实验中应注意的事项.(本文来源于《半导体技术》期刊1988年03期）
亚阈值电流论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程发现栅-漏间隙中的强场峰两侧的异质结能带产生巨大畸变,使部分二维电子气不能通过强场峰而形成局域电子气。从电子气补偿效应出发研究了外沟道夹断前后的沟道电阻变化。研究了从外沟道渗透到内沟道的电场梯度和缓冲层沟道阱,发现了新的电场梯度引起的能带下弯(Electric field gradient induced band bowing,EFGIBB)效应。从漏电压引起的电势下降(Drain-induced barrier lowering,DIBL)和EFGIBB两效应出发建立起新的穿通阱模型,由此解释了实验中观察到的各类阈值电压负移、亚阈值电流和穿通等沟道夹断以后的行为,发现了由强负栅压引起的新穿通现象。最后讨论了新穿通行为对器件性能的影响,探索优化设计器件结构,改善器件性能的新途径。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
亚阈值电流论文参考文献
[1].辛艳辉,袁合才,辛洋.对称叁材料双栅应变硅MOSFET亚阈值电流与亚阈值斜率解析模型[J].电子学报.2018
[2].薛舫时.GaNHFET中的亚阈值电流和穿通[J].固体电子学研究与进展.2016
[3].周晓梁.多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型研究[D].苏州大学.2014
[4].韩名君,李长波,钱峰,陶玉贵.基于二维电势的超短沟道MOSFET亚阈值电流模型[J].宿州学院学报.2014
[5].王洪涛,王茺,胡伟达,杨洲,熊飞.短沟道n-MOSFET亚阈值电流模拟计算分析[J].功能材料与器件学报.2010
[6].栾苏珍,刘红侠,贾仁需,王瑾.异质栅非对称HaloSOIMOSFET亚阈值电流模型[J].半导体学报.2008
[7].张雷,余志平,贺祥庆.一种用于表征亚阈值电流镜电路中CMOS工艺波动的统计学方法(英文)[J].半导体学报.2008
[8].牛国富,汤庭鳌,Carlos,A,Paz,de,Araujo.一种基于电荷法模型的亚阈值电流分析方法[J].固体电子学研究与进展.1993
[9].陈登元,汤庭鳌,C,A,Paz,de,Araujo.短沟道MOSFET亚阈值电流的解析模型[J].半导体学报.1989
[10].杨绪华,孙青.MOSFET亚阈值电流特性[J].半导体技术.1988