导读:本文包含了多层共烧论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:多层共烧,陶瓷茶具,技术制备
多层共烧论文文献综述
汪双春[1]（2018）在《多层共烧陶瓷茶具工艺的现代技术制备探究》一文中研究指出近年来,传统仿古艺术品及茶文化兴起,陶瓷类茶具市场繁荣。在市场需求较大的大背景下,陶瓷茶具的人工制造及传统工艺,很难满足大批量的生产要求。在现代科技发展下,以多层共烧陶瓷茶具工艺为主的现代技术,开始广泛应用于陶瓷类茶具的生产。此外,多层共烧陶瓷茶具工艺的效率高、产出快,且能够以各类集成形式完善审美标准。鉴于此,主要从文献思考和实验结论中,去探究多层共烧陶瓷茶具工艺的现代化发展。(本文来源于《福建茶叶》期刊2018年12期）
陈寰贝,梁秋实,夏庆水,王子良[2]（2015）在《多层共烧氮化铝基板尺寸精度影响因素》一文中研究指出尺寸精度是氮化铝多层共烧基板重要的考核指标,文章介绍了生产过程中影响氮化铝多层共烧基板尺寸精度的主要工艺因素,包括流延、层压、金属化、生切与烧结,以及如何改善控制这些工艺因素,从而获得较高尺寸精度的氮化铝多层共烧基板产品。(本文来源于《真空电子技术》期刊2015年05期）
曹坤,庞学满,夏庆水,戴洲[3]（2012）在《多层共烧金属化氮化铝陶瓷工艺研究》一文中研究指出氮化铝陶瓷具有热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点,由于可以多层布线和金属化共烧,因此在很多领域有着越来越广泛的应用。该文介绍了多层共烧金属化氮化铝陶瓷的工艺方法,重点介绍了印刷、迭片层压、烧结、镀覆工艺以及其性能检测方法等方面的研究。通过上述研究可以生产热导率高、金属化电阻率低且附着力强的多层共烧陶瓷产品。(本文来源于《电脑知识与技术》期刊2012年23期）
刘俊永,孙文超,崔嵩,张浩[4]（2012）在《AlN多层共烧陶瓷微波外壳的设计与制作》一文中研究指出使用Ansoft HFSS软件设计了一种微波多芯片组件(MCM)用陶瓷外壳,并采用AlN多层共烧陶瓷工艺制作了样品。微波输入输出(I/O)端子采用微带线直接穿墙形式,并与陶瓷外壳一体设计、制作。试验结果表明,在2～12 GHz内驻波比(VSWR)<1.3,测量漏率R1≤1×10–3Pa.cm3/s(He)。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2012年07期）
夏庆水,李海波,曹坤[5]（2009）在《多层共烧氮化铝陶瓷金属化工艺研究》一文中研究指出氮化铝陶瓷因其热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点在许多领域有着广泛的应用。多层共烧氮化铝陶瓷是采用厚膜印刷的方式将多层的电路金属化做入氮化铝基板并在特定气氛中高温烧结的一种高性能陶瓷。金属化是多层共烧氮化铝陶瓷的一个关键工艺,文章主要介绍了对金属化工艺的研究。重点研究了其中的印刷工艺、迭片层压工艺和烧结工艺。通过对印刷和烧结参数的研究,使得生产陶瓷的热导率大于170 W(m·K)~(-1),金属化的方阻小于18mΩ/□,金属化的抗拉力大于1.8N(1mm~2焊接面积),能满足大功率LED封装、大功率功率管封装的性能要求,已经在多种陶瓷外壳和基板中应用。(本文来源于《电子与封装》期刊2009年11期）
杜支波,包生祥,彭晶,李世岚,马丽丽[6]（2008）在《多层共烧元件界面研究的现状与展望》一文中研究指出通过调研国内外多层陶瓷元件界面的研究现状,并结合自身工作,分析了在制备过程中多层陶瓷元件界面所存在的关键问题及其难点:共烧匹配性、扩散、结合性能等,提出了相应的控制措施,展望了其发展方向。并介绍了主导烧结曲线(MSC)、有限成分法(FEM)等相关的理论模型。这些都是有效控制界面品质,获得高性能多层陶瓷元件的关键。(本文来源于《材料导报》期刊2008年04期）
吴海东[7]（2003）在《多层共烧陶瓷在MCM-C中的应用及其可靠性》一文中研究指出评述了应用于MCM-C的多层共烧陶瓷的材料选择、工艺过程与控制,通过对多芯片组件系统的应力失效、损伤机理、热分析及关键工艺的过程控制的探讨,试图找出多层共烧陶瓷对MCM的可靠性的影响。(本文来源于《电子产品可靠性与环境试验》期刊2003年05期）
田民波,梁彤翔[8]（1995）在《AlN－W多层共烧布线技术》一文中研究指出本文就ＡＩＮ－Ｗ多层共烧基板，论述了提高ＡＩＮ陶瓷的热导、降低Ｗ的电阻、增加Ｗ／ＡＩＮ间接合强度的机制和措施。(本文来源于《半导体情报》期刊1995年06期）
T.Kiger,高兆丰,梁颖光[9]（1983）在《多层共烧氧化铍微波封装工艺水平》一文中研究指出本文描述了用生瓷带制造多层共烧氧化铍元件的工艺过程,讨论了主要工艺过程:瓷带的冲制、丝网印刷,层压,切片及烧结,给出了与生产过程中各工艺步骤有关的图解。提出了一些设计原则,以指导更低成本的生产。工艺水平是根据生产的产品及其性能以及主要用户的设计指标来确定的。在确定封装设计之前,应特别重视电子封装设计者和共烧元件制造者之间的初步协商。本文旨在使读者了解制造多层共烧氧化铍元件的能力,从而避免工艺中易犯的错误。(本文来源于《半导体情报》期刊1983年05期）
多层共烧论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
尺寸精度是氮化铝多层共烧基板重要的考核指标,文章介绍了生产过程中影响氮化铝多层共烧基板尺寸精度的主要工艺因素,包括流延、层压、金属化、生切与烧结,以及如何改善控制这些工艺因素,从而获得较高尺寸精度的氮化铝多层共烧基板产品。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多层共烧论文参考文献
[1].汪双春.多层共烧陶瓷茶具工艺的现代技术制备探究[J].福建茶叶.2018
[2].陈寰贝,梁秋实,夏庆水,王子良.多层共烧氮化铝基板尺寸精度影响因素[J].真空电子技术.2015
[3].曹坤,庞学满,夏庆水,戴洲.多层共烧金属化氮化铝陶瓷工艺研究[J].电脑知识与技术.2012
[4].刘俊永,孙文超,崔嵩,张浩.AlN多层共烧陶瓷微波外壳的设计与制作[J].电子元件与材料.2012
[5].夏庆水,李海波,曹坤.多层共烧氮化铝陶瓷金属化工艺研究[J].电子与封装.2009
[6].杜支波,包生祥,彭晶,李世岚,马丽丽.多层共烧元件界面研究的现状与展望[J].材料导报.2008
[7].吴海东.多层共烧陶瓷在MCM-C中的应用及其可靠性[J].电子产品可靠性与环境试验.2003
[8].田民波,梁彤翔.AlN－W多层共烧布线技术[J].半导体情报.1995
[9].T.Kiger,高兆丰,梁颖光.多层共烧氧化铍微波封装工艺水平[J].半导体情报.1983