导读:本文包含了大功率晶体管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:射频能量,Ampleon
大功率晶体管论文文献综述
[1]（2019）在《Ampleon推出大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用》一文中研究指出埃赋隆半导体(Ampleon)面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用,推出500W的BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。BLC2425M10LS500P适用于各种工业、消费和专业烹饪射频能量应用;由于它可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的CW,因此具有非常高的功率与封装比。凭借其67%的效率,它在这一频率范围和功率水平内具有同类最佳的性(本文来源于《半导体信息》期刊2019年01期）
[2]（2019）在《埃赋隆半导体推出全新大功率射频晶体管》一文中研究指出2019年1月1 6日,荷兰埃赋隆半导体公司正式对外发布了一款适用于专业烹饪射频能量应用领域的大功率射频晶体管新品——BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。据悉,新品主要面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用,可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的连续波,在这一频率范围和(本文来源于《家电科技》期刊2019年01期）
王倩,施荣,刘丽,李宁[3]（2018）在《适用于大功率绝缘栅双极型晶体管的两段式有源门极关断技术的研究》一文中研究指出针对大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)应用中存在的关断过电压问题,提出了一种两段式有源门极关断技术。在IGBT关断过程中,通过在IGBT集电极和门极之间使用2个小容值的高压陶瓷电容和一串瞬态抑制二极管(TVS),在不同关断阶段,获得2个差别较大的门极反馈增益,从而达到限制关断过电压和控制关断电压上升率的目的。在Saber仿真环境中,与其它有源门极关断技术进行了充分比较和研究。(本文来源于《电气传动》期刊2018年10期）
[4]（2018）在《埃赋隆半导体推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管》一文中研究指出埃赋隆半导体(Ampleon)近日宣布推出大功率坚固型BLF189XRA RF功率晶体管,用于88-108MHz频率范围内的广播FM无线电应用。BLF189XRA采用业界标准的50V电源供电,输出功率超过1,600W(CW)。该晶体管具有同类最佳的工作功率效率(>82%),这一"绿色"凭证有助于提供环保性能,并且,能够通过单个SOT539封装提供这样的功率水平,也(本文来源于《半导体信息》期刊2018年05期）
应贤炜,王佃利,李相光,梅海,吕勇[5]（2017）在《2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管》一文中研究指出针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2017年06期）
李媛,陆晓东,周涛[6]（2017）在《光伏逆变器用大功率开关晶体管结构参数的设计》一文中研究指出集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。根据光伏逆变器实际参数指标的要求,对光伏逆变器中的核心功率开关器件的结构参数进行优化。根据大电流特点,重点对大功率开关晶体管高阻单晶硅电阻率、高阻集电区厚度、发射区版图及用于改善二次击穿的浮空发射区结构参数进行分析和设计。最终完成800V/15A大功率开关晶体管全套结构参数的设计,并提供了可供大功率晶体管设计使用的曲线和图表。设计结果表明:对大功率开关晶体管进行结构设计时,需着重考虑大功率开关晶体管在大电流、高反压、高频等工作状态下,极易出现的发射极电流过度集中导致器件损坏的现象。(本文来源于《微处理机》期刊2017年06期）
蒋梦轩[7]（2016）在《新型大功率绝缘栅双极晶体管的设计与试验研究》一文中研究指出一代器件技术决定一代电力电子技术,每一代新型电力电子器件的出现,总是带来一场电力电子技术的革命。绝缘栅双极晶体管作为最有现实价值的电力电子器件,具有开关频率高、驱动电路简单、驱动功率小等特点,已广泛应用于工业电机节能、新能源发电、输变电、电能质量,轨道交通、冶金化工、新能源汽车、国防、智能电网和直流微网等行业。绝缘栅双极晶体管器件作为电力电子器件的重要成员,其应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门,毫无疑问,它将成为21世纪重要关键技术之一。本文综述了绝缘栅双极晶体管的发展历程和研究现状,并采用先进的设计理念实验研究了3300 V增强型高压绝缘栅双极晶体管。同时,在理论与实践结合的基础上,创新地提出了新型高速绝缘栅双极晶体管和新型高导绝缘栅双极晶体管,并对这两类高性能绝缘栅双极晶体管进行了全面且深入的研究。以上高压、高速和高导型绝缘栅双极晶体管的主要研究内容概述如下。首先,本文设计与试验研究了3300 V增强型高压绝缘栅双极晶体管。从引入绝缘栅双极晶体管的静态特性、动态特性和可靠性叁角折衷设计开始,深入分析了增强型高压绝缘栅双极晶体管的理论设计、仿真设计、工艺设计、版图设计和芯片测试,并通过芯片制造试验验证了该高压绝缘栅双极晶体管设计的正确性。增强型高压绝缘栅双极晶体管的试验研究分为理论设计,包括击穿电压、阈值电压、正向压降、关断时间等;仿真优化设计,包括击穿特性、转移特性、传输特性、动态特性和可靠性等电气性能;工艺设计,对仿真设计的参数进行了工艺模拟和优化;版图设计,包括设计晶圆制造的光刻版图;芯片试验,设计的工艺在产线中试验;芯片测试,测试结果是对设计和制造正确性的验证。其次,本文提出了一种新型高速绝缘栅双极晶体管。该新型高速绝缘栅双极晶体管的设计思想是通过形成集电极沟槽的电子沟道抽取过量电子而达到高速关断的目标。理论分析表明该集电极沟槽型绝缘栅双极晶体管的阻断原理、传输机制、动态机制和雪崩机制均有对比传统沟槽场截止绝缘栅双极晶体管的优势。仿真验证表明该集电极沟槽型绝缘栅双极晶体管具有比传统沟槽场截止绝缘栅双极晶体管快74%的开关速度和更低的关断损耗,改进型集电极沟槽绝缘栅双极晶体管快49%,并保持几乎相同的击穿电压、电流密度和阈值电压,验证了提出的设计思想。最后,本文提出了一种新型高导绝缘栅双极晶体管。该新型准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的设计思想是通过在绝缘栅双极晶体管的P型基区与发射极金属之间形成肖特基接触势垒以阻止空穴电流的分流,从而达到增强电导调制效应的目标。仿真研究了该器件的主要电气特性,包括阻断特性、转移特性、传输特性、动态特性、关断损耗、闭锁特性和反向安全工作区。仿真结果展示该准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的电流密度具有比传统沟槽场截止绝缘栅双极晶体管高53%、关断损耗低27%,改进型准晶闸管高导绝缘栅双极晶体管的电流密度高76%、关断损耗低34%,并保持几乎相同的击穿电压和阈值电压等,因而验证了该肖特基接触绝缘栅双极晶体管的设计思想。因此,本文不仅设计和研制了3300 V的增强型高压绝缘栅双极晶体管器件,而且在国外对绝缘栅双极晶体管核心器件技术垄断的背景下创新性的提出了两类高性能绝缘栅双极晶体管,为掌握真正自主知识产权的绝缘栅双极晶体管器件设计和研制技术具有一定的意义。(本文来源于《湖南大学》期刊2016-03-10）
周涛,陆晓东,吴元庆,夏婷婷[8]（2016）在《直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究》一文中研究指出集电极峰值电流(I_(CM))、集电极-发射极击穿电压(V_(CEO))、最大耗散功率(P_(CM))、直流二次击穿临界电压(V_(SB))是衡量大功率晶体管可靠性优劣的重要指标。依据实际电参数指标要求,首先利用TCAD半导体器件仿真软件完成了一款基于叁重扩散工艺的双极型高反压大功率开关晶体管的结构设计,然后全面系统地分析了高阻单晶硅电阻率和器件集电区厚度对I_(CM)、V_(CEO)、P_(CM)及V_(SB)影响。仿真结果表明:由器件仿真得到的电学性能满足大功率晶体管电参数指标要求,器件结构参数的选择及工艺条件的设计较合理。增大单晶硅电阻率,虽然有利于提高集-射击穿电压和器件抗二次击穿能力,但不利于集电极峰值电流和最大耗散功率的提高。增大器件集电区厚度只对集-射击穿电压的提高有利,而对集电极峰值电流、最大耗散功率及抗二次击穿能力均产生不利的影响。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2016年02期）
赵军[9]（2015）在《使用双极结型晶体管的大功率分流调节器》一文中研究指出双极结型晶体管(Bipolar Junc~on Transistor，BJT)，又常称为双载子晶体管。它是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，有PNp和NPN两种组合结构。可通过将VIN和VOuT连接在一起或使VIN保持开路的方式，将一些电压参(本文来源于《电子报》期刊2015-07-19）
江安庆[10]（2015）在《飞思卡尔推出突破性的大功率塑封晶体管,进一步扩大耐用的射频产品组合》一文中研究指出飞思卡尔半导体日前推出了业界最高射频功率的塑封晶体管。新款MRFE6VP61K25N提供的功率超过1250W CW,而新款MRFE6VP6600N提供的功率超过600W。飞思卡尔的塑料封装与大体积的焊接工艺兼容,支持严苛的尺寸公差,与陶瓷封装的晶体管相比,其热阻减少了30%。(本文来源于《半导体信息》期刊2015年02期）
大功率晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
2019年1月1 6日,荷兰埃赋隆半导体公司正式对外发布了一款适用于专业烹饪射频能量应用领域的大功率射频晶体管新品——BLC2425M10LS500P LDMOS射频功率晶体管。据悉,新品主要面向工作在2400MHz至2500MHz频率范围内的脉冲和连续波(CW)应用,可以通过单个SOT1250空腔塑料封装提供500W的连续波,在这一频率范围和
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
大功率晶体管论文参考文献
[1]..Ampleon推出大功率射频晶体管面向工业和专业射频能量应用[J].半导体信息.2019
[2]..埃赋隆半导体推出全新大功率射频晶体管[J].家电科技.2019
[3].王倩,施荣,刘丽,李宁.适用于大功率绝缘栅双极型晶体管的两段式有源门极关断技术的研究[J].电气传动.2018
[4]..埃赋隆半导体推出大功率坚固型BLF189XRARF功率晶体管[J].半导体信息.2018
[5].应贤炜,王佃利,李相光,梅海,吕勇.2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管[J].固体电子学研究与进展.2017
[6].李媛,陆晓东,周涛.光伏逆变器用大功率开关晶体管结构参数的设计[J].微处理机.2017
[7].蒋梦轩.新型大功率绝缘栅双极晶体管的设计与试验研究[D].湖南大学.2016
[8].周涛,陆晓东,吴元庆,夏婷婷.直流条件下高反压大功率开关晶体管可靠性研究[J].电子元件与材料.2016
[9].赵军.使用双极结型晶体管的大功率分流调节器[N].电子报.2015
[10].江安庆.飞思卡尔推出突破性的大功率塑封晶体管,进一步扩大耐用的射频产品组合[J].半导体信息.2015