导读:本文包含了烷基聚噻吩论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:聚噻吩衍生物,固相,熔融聚合,烷基链影响
烷基聚噻吩论文文献综述
裴童,彭凯,蔡心怡,袁良杰,夏江滨[1]（2017）在《固相聚合合成聚噻吩衍生物及烷基链对固相聚合的影响（英文）》一文中研究指出本文以EDOT-CH(R)-EDOT为基本模型,向侧链引入噻吩、咔唑、芴等几种典型的光电基团,并通过固相/熔融聚合得到相应的聚合物。详细探讨了聚合物的相关性质和几种典型单体的晶体结构,同时发现烷基链的引入降低了分子间的作用力,使得单体的初始聚合温度(T_(onset))降低。(本文来源于《物理化学学报》期刊2017年12期）
顾永强,陈卫星,张小龙,谭育虎[2]（2013）在《不同烷基取代对聚噻吩衍生物电子结构的影响》一文中研究指出采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化和计算了3-烷基噻吩及低聚物的电子性能,给出了单体、低聚物的LUMO、HOMO图,全部的优化采用6-31G*基组。3-烷基噻吩四聚体的能隙分别为1.90 eV,2.20 eV,2.83 eV。随着聚合度的增加,环与环之间的共轭程度增大,聚合物的能隙逐渐减小,可以作为设计低能隙导电聚合物给体材料。(本文来源于《广东化工》期刊2013年15期）
张雪华[3]（2012）在《新型3,4-二烷基取代聚噻吩的合成、光学及电化学性能》一文中研究指出通过Heck偶联法制备了一种新型聚噻吩衍生物——2,5-二乙烯基-3,4-二辛基噻吩-共-2,5-二苯基-1,3,4-二恶唑(PO2TV-OXD),用核磁共振氢谱(1H NMR)及凝胶色谱(GPC)对其结构进行分析和表征。用紫外-可见光谱(UV-Vis)、荧光光谱(PL)及电化学分析研究其光学和电化学性能,并与3,4-二辛基噻吩均聚物(PO2T)进行了对比研究。研究表明:主链上引入吸电子能力较强的1,3,4-二恶唑基团,明显增加了聚合物的能隙,提高了聚合物的荧光量子效率。(本文来源于《光谱实验室》期刊2012年06期）
谭乃迪,范喜武,张延林[4]（2011）在《烷基聚噻吩和聚醋酸乙烯酯梯度构造膜的自组装过程及导电性能研究》一文中研究指出以烷基聚噻吩(PAT-6)和聚醋酸乙烯酯(PVAc)共混液为原料通过浇注方式制膜。通过控制干躁速度,在膜厚度方向可自组装形成梯度膜。沿膜厚方向对导电性进行检测,发现导电性随着PAT-6组分的增加而增强。(本文来源于《天津化工》期刊2011年02期）
佟拉嘎,荣华,林世静,晁建平[5]（2006）在《烷基、烷氧基取代聚噻吩发光材料的合成与性能》一文中研究指出报道了以无水FeCl3为催化剂合成烷基、烷氧基取代聚噻吩的实验过程,两种聚合物稀溶液和薄膜的光发射、光吸收性能和用这两种材料作发光层制作的发光二极管的光电性能的初步研究结果。两种聚合物均具有较高的纯度和分子量。两种材料均显示了较好的发光性能,其电致发光颜色均为红橙色。烷氧基取代聚噻吩均聚物电致发光性能的研究对聚噻吩类材料的应用开发具有实际意义。(本文来源于《液晶与显示》期刊2006年06期）
佟拉嘎,荣华,林世静,胡应喜[6]（2005）在《烷基、烷氧基取代聚噻吩光学性能的理论与实验研究》一文中研究指出取代聚噻吩是一类具有可溶性、熔融性和优良稳定性的导电聚合物光电功能材料。因在导电、发光、电池、电极、传感器、微波吸收、非线性光学、抗静电涂层、晶体管、有机芯片等现代光电子,微电子领域和人造肌肉等现代医学领域中有广泛的应用前景而倍受学术界(本文来源于《2005年全国高分子学术论文报告会论文摘要集》期刊2005-10-01）
王金伟,庞晓露[7]（2005）在《加热处理对十二烷基取代聚噻吩导电性能及结构的影响》一文中研究指出以化学氧化法制备聚合物然后用碘进行掺杂处理使其导电,用表面电阻率、热失重分析、X射线光电子能谱研究了十二烷基取代聚噻吩在经反复加热和掺杂处理后的性能和结构变化。表面电阻率受温度的影响较大,在温度达到200℃以上时,该聚合物部分或全部丧失导电性。从X-射线光电子能谱可明显观察到空气中氧气参与了加热和掺杂过程并发生的物理化学反应。十二烷基取代聚噻吩掺杂后的热去掺杂过程在较低温度下(低于200℃)其导电性能可以恢复,但在高温下却不可恢复;而其结构经每一次热处理的破坏是不可逆转的,每一次加热处理都加速其老化降解。(本文来源于《合成材料老化与应用》期刊2005年02期）
佟拉嘎,蹇锡高,藤井彰彦,吉野胜美[8]（2004）在《烷基和烷氧基取代聚噻吩的合成、表征与光电性能》一文中研究指出Fe(Ⅲ )氧化催化法合成了 4种聚噻吩衍生物 ,3 十二烷基聚噻吩 (Pat12 ) ,3 辛氧基聚噻吩 (Paot8) ,3,4 二 (十二烷基 )聚噻吩 (Pat12 12 )和 3 (十二烷基 )噻吩 3 (辛氧基 )噻吩共聚物 (CoPt12 o8) .发现这些衍生物易溶于多种常用有机溶剂 .用GPC法测定了各聚合物分子量 ,用1 H NMR法表征了各聚合物化学结构 .对比研究了这些聚合物紫外 可见吸收性能 ,光致发光性能和能隙 .对其电致发光性能进行测定的结果 ,得到了Pat12 ,Pat12 12和Paot8的电致发光光谱 .发射峰分别为 6 70nm ,5 6 0nm和 6 4 0nm .发光颜色分别为红色 ,黄色和红橙色 .聚合物的光电性能与主链电子结构有密切关系 .探讨了取代基种类和数量对聚合物能带结构 ,光电性能的影响 .(本文来源于《高分子学报》期刊2004年05期）
佟拉嘎,王锦艳,蹇锡高,张庆民[9]（2004）在《烷基取代聚噻吩的化学合成与光电性能研究进展》一文中研究指出概述了烷基取代聚噻吩的叁种合成方法,即Fe(Ⅲ)催化剂合成法、Ni(0)催化剂合成法和Cu/PdCl2催化剂合成法。介绍了烷基取代聚噻吩稀溶液和薄膜的光吸收、光发射性能,薄膜的热致变色性能及以这些材料为发光活性物质制作的发光二极管的发光性能,展望了烷基取代聚噻吩衍生物的合成与应用前景。(本文来源于《功能高分子学报》期刊2004年03期）
佟拉嘎[10]（2003）在《含烷基、烷氧基侧基聚噻吩的合成、表征与发光性能》一文中研究指出以噻吩，48％(w／w)氢溴酸水溶液，35％(w／w)过氧化氢水溶液成功地合成了2-溴噻吩和2，5-二溴噻吩的基础上，通过氨基钠重排反应成功地合成了3-溴噻吩和3，4-二溴噻吩。实验显示，当该反应中使用更多量的氢溴酸水溶液时，产物中3，4-二溴噻吩的产率将提高，相应地3-溴噻吩的产率将下降。重排反应中使用过多的液氨不利于产物的生成。 以3-溴噻吩和3，4-二溴噻吩为反应物，以(dppp)NiCl_2为催化剂分别合成了3-异戊基取代噻吩、3-正戊基取代噻吩、3-十二烷基取代噻吩、3,4-二(异戊基)取代噻吩、3，4-二(十二烷基)取代噻吩单体，以CuI和NaHSO_4为催化剂合成了3—甲氧基取代噻吩、3—戊氧基取代噻吩、3—辛氧基取代噻吩、3—(2—乙基)己基取代噻吩单体。并用核磁共振谱，质谱和元素分析方法对各产物进行了严格的结构表征和纯度测试。结果证明产物具有较高的产率和较高的纯度。在进行格氏反应时，反应物溴代烷烃中碳原子越少，反应速度越快，产物产率也越高。实验发现合成3-甲氧基取代噻吩时CuI和CuBr具有同样的催化作用。烷氧基取代噻吩单体的合成比烷基取代噻吩单体的合成难，所需操作技巧更复杂。 Fe(Ⅲ)氧化催化法合成了多种烷基取代和烷氧基取代聚噻吩均聚物和共聚物，如3-异戊基聚噻吩(Piat5)、3-正戊基聚噻吩(Pat5)、3-十二烷基聚噻吩(Pat12)、3-戊氧基聚噻吩(Paot5)、3-辛氧基聚噻吩(Paot8)、3-(十二烷基)噻吩-3-(戊氧基)噻吩共聚物(CoPt12-o5)、3-(十二烷基)噻吩-3-(辛氧基)噻吩共聚物(CoPt12-o8)、3，4-二(异戊基)聚噻吩(Pat55)和3，4-二(十二烷基)聚噻吩(Pat1212)等。发现这些聚合物易溶于氯仿，二氯甲烷，苯，四氢呋喃，环己烷，甲苯等多种常用有机溶剂。用GPC法测定了各聚合物分子量，用~1H NMR法表征了各聚合物化学结构。结果证明我们合成的聚合物具有较高的分子量和很高的纯度。 对比研究了这些聚合物紫外-可见吸收性能，光致发光性能和能隙。证明这些聚合物在稀溶液和薄膜状态下都具有不同程度的发光活性。由于烷氧基强的推电子作用，烷氧基取代均聚物的紫外-可见吸收峰和发射峰比烷基取代均聚物的相应值有一定程度的红移。共聚物的紫外-可见吸收峰值和发射峰值介与烷基取代均聚物和烷氧基取代均聚物相应值之间。由于两个烷基高的空间位阻作用，双烷基取代均聚物的紫外-可见吸收峰和发射峰比烷基取代均聚物的相应值有一定程度的蓝移。这些规律性的结果证明随着取代基种类和数量的不同，聚噻吩衍摘要生物的电子性质发生规律性的变化。 通过旋涂膜紫外一可见吸收光谱吸收端推算的各聚合物能隙值分别是:Pats、Paits、PatlZ为2.2eV， Paots、Paots、Peaot6、Pt12一05、PtlZ一08为2.leV，Pat1212为2.seV， Pat55为2.7ev。聚合物的光电性能与主链电子结构有密切关系。探讨了取代基种类和数量对聚合物能带结构，光电性能的影响。 以这些聚合物为发光活性物质设计了ITO/P olymer/AI构造的发光器件。对各聚合物电致发光性能进行测定的结果，分别得到了Pats、Piats、Pat12、Paots、Paots和Pat 1 212六种聚合物的室温真空条件下的电致发光光谱。其发射峰分别为643nm，640nxn，678nm，644nm，647nm和570nm。发光颜色覆盖了红色，红橙色和黄色。其中Pao巧，Paots，Pat1212两类叁种聚合物电致发光性能属首次发现，Piats，Pats，Pat12叁种材料电致发光性能与己报道的有关烷基取代聚噬吩衍生物发光性能的文献结果一致。我们至今尚未发现其他聚合物电致发光性能。液氮条件下PatlZ也能发光，但发光峰分裂为明显的双重峰，发光峰波长红移。室温空气中测定Pats发光性能的结果发现其发光峰与真空中相同，但元件寿命缩短。 以pat12，paots，peaot6，ptzZ一08和PatlZ12为代表，系统研究了上述四类聚合物的热致变色性能。结果发现PatlZ和PtlZ一o8具有优良的热致变色性能，其它聚合物几乎不表现热致变色性能。证明Pat12和PtlZ一o8的分子主链构象随温度不同发生明显变化，而烷氧基均聚物和双烷基均聚物的分子主链构象几乎不随温度发生变化。 用电化学方法测定烷基取代聚噬吩和烷氧基取代聚噬吩性能的结果表明，烷氧基取代聚噬吩比烷基取代聚噬吩更易失去电子。烷氧基取代聚噬吩的空穴输运能力优于烷基取代聚噬吩，但电子输运能力不如烷基取代聚噬吩好。所以我们认为提高烷氧基取代聚唆吩发光器件发光性能的有效途径之一是在金属电极和发光层间加一电子输运层或空穴锁定层。 用量子化学密度泛函理论系统计算了上述四类聚合物的稳定性，几何结构，能隙及电子性质，得到了与实验结果完全一致的结论。(本文来源于《大连理工大学》期刊2003-12-23）
烷基聚噻吩论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化和计算了3-烷基噻吩及低聚物的电子性能,给出了单体、低聚物的LUMO、HOMO图,全部的优化采用6-31G*基组。3-烷基噻吩四聚体的能隙分别为1.90 eV,2.20 eV,2.83 eV。随着聚合度的增加,环与环之间的共轭程度增大,聚合物的能隙逐渐减小,可以作为设计低能隙导电聚合物给体材料。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
烷基聚噻吩论文参考文献
[1].裴童,彭凯,蔡心怡,袁良杰,夏江滨.固相聚合合成聚噻吩衍生物及烷基链对固相聚合的影响（英文）[J].物理化学学报.2017
[2].顾永强,陈卫星,张小龙,谭育虎.不同烷基取代对聚噻吩衍生物电子结构的影响[J].广东化工.2013
[3].张雪华.新型3,4-二烷基取代聚噻吩的合成、光学及电化学性能[J].光谱实验室.2012
[4].谭乃迪,范喜武,张延林.烷基聚噻吩和聚醋酸乙烯酯梯度构造膜的自组装过程及导电性能研究[J].天津化工.2011
[5].佟拉嘎,荣华,林世静,晁建平.烷基、烷氧基取代聚噻吩发光材料的合成与性能[J].液晶与显示.2006
[6].佟拉嘎,荣华,林世静,胡应喜.烷基、烷氧基取代聚噻吩光学性能的理论与实验研究[C].2005年全国高分子学术论文报告会论文摘要集.2005
[7].王金伟,庞晓露.加热处理对十二烷基取代聚噻吩导电性能及结构的影响[J].合成材料老化与应用.2005
[8].佟拉嘎,蹇锡高,藤井彰彦,吉野胜美.烷基和烷氧基取代聚噻吩的合成、表征与光电性能[J].高分子学报.2004
[9].佟拉嘎,王锦艳,蹇锡高,张庆民.烷基取代聚噻吩的化学合成与光电性能研究进展[J].功能高分子学报.2004
[10].佟拉嘎.含烷基、烷氧基侧基聚噻吩的合成、表征与发光性能[D].大连理工大学.2003