导读:本文包含了键合介质论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:活性染料,硅基非水介质,水解,量子化学
键合介质论文文献综述
张永波[1]（2018）在《硅基非水介质染色体系中活性染料水解、键合机理及密度泛函理论研究》一文中研究指出活性染料具有色泽鲜艳、色谱齐全、价格低廉等特点主要用于棉纺织品的染色。但是活性染料传统水浴对棉织物进行染色时,染色废水中含有大量的电解质、碱剂和未反应的染料,使得废水处理难度较大,加重了企业废水处理的成本。为了减少染色废水的排放实现染整行业的可持续发展,为此而发明了活性染料非水介质染色技术。在该体系下活性染料可以在无盐条件下实现100%的上染率和较高的固色率。本文研究了活性染料结构在硅基非水介质体系中对固色速率的影响。首先需要对商品化的染料采用重结晶的方法进行提纯,通过提纯前后吸光度对比发现染料的有效量在84%以上。通过染色工艺的优选确定了几种活性染料在硅基非水介质中的最佳染色工艺条件:双一氯均叁嗪染料(活性红120)固色温度为90℃;双乙烯染料(活性黑5)固色温度为65℃;单乙烯砜染料(活性蓝19)固色温度为80℃,碱剂浓度为30～35 g/L。并对比了不同结构的活性染料在硅基非水介质体系中固色速率的差异,发现活性染料在硅基非水介质体系中都具有优异的染色性能。采用高效液相色谱(HPLC)的方法研究了染料结构对水解速率的影响。由于染料在硅基体系中难以发生水解从而提高了染料的利用率。均叁嗪结构的活性染料耐碱性较好,所以其在硅基非水介质体系中的水解速率低于乙烯砜型染料;由于活性染料母体不直接参与反应,所以染料母体对活性染料的水解影响较小;另外探究了不同EO数目的非离子表面活性剂对染料水解的影响,随着EO数目的增加染料的水解速率也变大。在染色体系中加入一定量的织物,探究在织物存在下活性染料在硅基染色体系中的水解情况。将织物上洗下未反应的染料通过HPLC分析发现,染色时间的增加织物上水解染料的比例也逐渐增加至不在变化。对于具有双活性基的染料当织物上固色率达到最大时,洗下残液中80%左右发生了一次水解,极少数染料发生了完全水解,说明在硅基非水介质染色体系中洗下染料中大部分还具有反应活性。采用Gauss 09软件模拟计算了活性染料的最大可见吸收波长以及相关的光谱性质;模拟计算了染料水解过程中能量的变化以及在不同溶剂体系中能垒的差异,在水相体系中染料水解能垒较低更容易发生水解反应;在染色机理研究中,计算了乙烯砜染料分子和单分子纤维素发生键合反应过程中能量的变化,利用化学模拟的方法研究了染料固色反应中过渡态构型和能量变化过程。(本文来源于《浙江理工大学》期刊2018-12-01）
方智立[2]（2017）在《基于介质阻挡放电的低温阳极键合工艺方法及实验研究》一文中研究指出阳极键合具有工艺,设备简单,键合质量好的优点,被广泛应用在传感类、生物类、光学类MEMS器件的封装等领域。传统阳极键合需要在高温下进行,材料会由于热膨胀系数不同产生明显的热应力不匹配,影响键合元器件性能,尤其不适用于精密元器件,在低温下实现阳极键合已成为研究的焦点。目前低温阳极键合工艺主要有化学处理,新型材料及等离子体处理等,其中等离子体在材料表面改性过程中,无污染,效率高,有很大的发展前景,介质阻挡放电(DBD)产生等离子体的条件简单,适用于工业化的生产,因此,本文研究了介质阻挡放电对键合材料活化后实现低温阳极键合的工艺方法。本文首先介绍了传统阳极键合过程,探讨了氧基键合电学模型,从理论角度分析了传统工艺下,阳极键合在低温下难以实现的原因,继而探讨了介质阻挡放电对材料活化处理后,对材料表面性能的影响,主要包括材料表面形貌和材料表面含氧基团两个方面,以及这些表面性能对阳极键合的影响,理论上证明采用介质阻挡放电对阳极键合材料活化处理之后,可以实现低温阳极键合。材料表面性能受到放电状态的制约,首先从介质阻挡放电理论模型着手,分析了影响放电状态的关键因素,主要包括阻挡介质、放电间距、放电电压、放电时间、放电频率。然后通过实验,研究了这些关键因素对放电状态的影响,优化了这些关键因素的选择。通过实验,研究了介质阻挡放电参数对材料表面性能的影响,又在活化基础上,开展了阳极键合实验,研究了表面性能对阳极键合的影响规律,获得结论:当材料表面粗糙度和亲水角变小时,阳极键合强度变大,阳极键合强度最大时,对应的玻璃片表面粗糙度最小,亲水角稳定不变。以DBD参数为实验因素,玻璃片粗糙度为实验结果开展正交试验,采用最小二乘支持向量机,根据实验获得的数据样本建立材料表面活化工艺模型,确定玻璃片粗糙度最小时的最佳的活化参数,以最佳放电参数为中心进行单因素介质阻挡放电活化实验验证模型,最后在最佳放电参数活化后,进行了阳极键合实验,以键合温度、键合电压、键合时间为因素,键合强度为试验指标,建立了低温阳极键合回归模型,获得了最佳的低温阳极键合参数。(本文来源于《苏州大学》期刊2017-05-01）
杨跃德,隋少帅,唐明英,肖金龙,杜云[3]（2014）在《介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器》一文中研究指出硅基键合Ⅲ-Ⅴ材料激光器,作为互补氧化物半导体(CMOS)兼容硅基光互连系统中的一个关键元件,近年来引起了人们的高度重视并得到了广泛的研究。金属限制结构可以增强器件对光场的限制,提高界面反射率和工艺容差,从而实现小体积低能耗硅片上集成光源。对金属限制介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器进行了研究,介绍了该激光器的基本原理和实验方案,并对制作的不同结构激光器的特性进行了分析,该研究工作的开展将有助于实现Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成激光器在低能耗高带宽的硅基光互连中的应用。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2014年11期）
管朋,展明浩[4]（2014）在《基于聚合物介质的低温硅硅键合研究》一文中研究指出聚合物低温键合技术是MEMS器件圆片级封装的一项关键技术。以苯并环丁烯(BCB)、聚对二甲苯(Parylene)、聚酰亚胺(Polyimide)、有机玻璃(PMMA)作为键合介质,对键合的温度、压力、气氛、强度等工艺参数进行了研究,并分析了其优缺点。通过改变Parylene的旋涂、键合温度、键合压力、键合时间等工艺参数进行了优化实验。结果表明,在230℃的低温键合条件下封装后的MEMS器件具有良好的键合强度(>3.600 MPa),可满足MEMS器件圆片级封装要求。(本文来源于《电子科技》期刊2014年09期）
李来生,程彪平,周仁丹,聂桂珍,张宏福[5]（2014）在《新型衍生化β-环糊精键合有序介质手性固定相的研究》一文中研究指出本文采用功能偶联剂二次反应技术,将乙二胺基β-环糊精键合到有序介孔SBA-15硅胶上,制备一种新型含脲基的液相色谱手性固定相(EACDSP,Fig.1)。分别在反相色谱和极性有机模式下成功地拆分了二氢黄酮类、β-受体阻滞剂等多种手性药物对映体,分析时间很短,展示有序手性分离材料的应用潜能。一方面乙二胺形成的脲基良好的配位性能可与环糊精腔体的包结进行协同作用,扩展了手性分离对象,同时端口的氢键、静电和配位能力得以加强,有利于提高手性识别能力;另一方面所形成的脲键既是衍生化基团,又是化学性质稳定的键合臂,使固定相更经久耐用。该固定相制备方法简便,成本较低,加之色谱性能优良,存在良好的应用前景。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第02分会：分离分析及微、纳流控新方法》期刊2014-08-04）
赵旭峰[6]（2014）在《基于介质阻挡放电的复合阳极键合机理和工艺设备研究》一文中研究指出阳极键合经过多年的发展，目前已经被广泛应用于微机电系统(MEMS)，已成为重要的MEMS封装技术之一。MEMS技术将微机械技术及微电子技术相结合，是一种新兴技术，可以制造出微机电系统。阳极键合技术不仅被大量应用于微机械，微传感器，微型仪表制造等MEMS领域，而且在电真空，航空航天，太阳能电池制造等领域中也有较高的应用价值。当今MEMS和其他各领域的快速发展，也给阳极键合技术提出了新的要求，目前阳极键合的研究方向主要集中在低温阳极键合，和异质材料阳极键合方面。本文针对阳极键合技术中键合质量和键合温度的矛盾，以实现低温阳极键合为目标，提出了基于介质阻挡放电的复合阳极键合方法，可实现低温阳极键合。研究了基于介质阻挡放电的复合阳极键合机理，分析了复合阳极键合的工艺条件，搭建了复合阳极键合实验平台，进行了介质阻挡放电实验，使介质阻挡放电在大气压下呈现出了辉光放电的形式，证明了利用介质阻挡放电实现低温阳极键合是可行的。通过实验，分析了各工艺参数，主要影响参数有：放电电压、频率、放电间隙、键合温度、键合电压。其中键合温度仍然是最主要影响因素。(本文来源于《苏州大学》期刊2014-05-01）
张金辉[7]（2013）在《基于Low K介质QFN铜线键合缺陷分析与可靠性的改善》一文中研究指出随着国际金价的不断攀升，金线封装的成本已经不能满足广大客户群的需求。因此新的替代材料铜自从2000年以来不断进入封装产业。加上2009年的金融危机使得电子芯片产品的成本更加低廉，因此高产量低成本封装成为当前封装产业发展的方向，从而铜线封装成为更受欢迎的选择，尤其是在一些细节距的产品中应用更为广泛，它的另一个优点在于具有更好的强加速应力测试可靠性能。最近几年很多国内外论文研宄铜线中挥线键合的优越性D与金线键合相比较，其最明显的意义就在于它的廉价成本，具有良好的电性能和热电学效应及其可靠性。从90rim以下集成电路制造工艺开始层间结构都采用低介电常数介质和铜金属层，并在介电层和铜之间添加氮化钽或钽阻挡层，随着每一个新的集成电路越来越低的层间电介质介电常数的技术节点和铜互连技术的发展，因此铜线键合对于挥盘的损伤风险，变得更加严峻。这些低介电常数材料和相对较低的粘附强度材料组成的层间介质与铜堆迭是增加铜引线键合损伤风险的主要原因。然而对于低介电常数的内在脆且晶圆较差的层间粘附性，加上铜比金具有更高的机械强度和硬度，并且需要使用更严重的引线键合的参数(较高的力，更高的功率，较高的温度)。加上电子打火后的铜煌球表面容易氧化，更加增强了其硬度，在以上因素的共同作用下，煌盘容易形成成坑，对于脆的低介电常数介质的芯片而言，成坑的结果就是层间介质层断裂，致使电路短路或者断路，最终导致芯片电性能失效。因此，这就成为封装行业最大的挑战。因此需要更为严谨的铜线键合的研究。我们可以通过两大方面对层间介质断层进行优化改进。一方面，优化层间介质结构，通过对不同传盘结构分析总结出各自的优缺点；另一方面，优化键合工艺参数，本论文基于QFN封装铜线键合，对55nm低介电常数芯片进行实验设计，主要的研究方向就是通过了解铜线材料的固有特性，以及所使用的惰性气体的特性，包括晶圆芯片工艺设计来实现降低缺陷的情况下，基于低介电常数介质键合缺陷的分析。从而根椐分析的结论提出相对于改善缺陷的方法，使得铜线封装可以得到更高的良率。本论文的研究方向就是通过分析这些材料的键合环境特性以及芯片辉盘的结构设计，进而采用最优材料，在最优环境下。并通过键合工艺的的优化，使得悍盘损伤概率降到最低。对于改善缺陷的方法，铜线键合参数优化是一种行之有效的方法，但是这种方案的有效实施，需要更可靠的材料及稳定环境的支持，才能使其优势得到充分发挥，本论文着重从以下几个方面来开展研宄：1)结合现有工艺条件，逐步分析材料的特性，键合环境的特性；2)根据晶圆制造工艺的特点，根据大量数据的论证，总结出针对铜线键合的辉盘设计方法；3)基于当前晶圆制造工艺，通过工艺优化的方法，通过实验找到最佳工艺参数；4)在上述工艺优化过程中，通过湿气老化实验检验工艺优化的的可靠性及可操作性；5)通过大批量量产对工艺优化后的参数进行最后的验证，以获得稳定的工艺参数，将其投入更广泛的生产，最终获得更高的良率D(本文来源于《上海交通大学》期刊2013-12-01）
张金辉,程秀兰[8]（2013）在《基于Low K介质QFN 55nm铜线键合ILD断层的分析》一文中研究指出主要介绍了低介电常数介质芯片层间介质层的分类,特别是对铜线键合过程中低介电常数介质层间介质断层方面的分析,以及铜线键合过程中如何优化工艺。在工艺优化过程中主要采用了键合参数的优化来改善芯片本身存在的设计缺陷,这主要是从工艺稳定性方面考虑。通过一系列工艺的优化,通过大量实验设计,获得了尽可能少的层间介质断层缺陷。(本文来源于《光电技术应用》期刊2013年02期）
张毅敏,谭天伟[9]（2009）在《环糊精键合凝胶介质分离纯化金银花中绿原酸》一文中研究指出采用寡聚环糊精键合凝胶柱分离纯化金银花中的绿原酸,考察了流动相、柱温、负载量及介质再生等因素对分离纯化效果的影响.分别用脲和十二烷基磺酸钠掩盖氢键和疏水作用,探讨了分离机理.结果表明,以水:乙醇:醋酸体积比为85:10:5的混合溶液,负载量为0.5mg/mL进行等度洗脱,常温下通过一次色谱即可分离纯化绿原酸,其收率和纯度分别达到65%和97%以上.介质使用10次后需要再生,先后经0.3mol/LNaOH、水和30%乙酸简单再生即可重复利用.(本文来源于《过程工程学报》期刊2009年05期）
徐军,谭天伟[10]（2005）在《利用寡聚环糊精配基键合介质分离表没食子儿茶素没食子酸酯的新方法》一文中研究指出研究了利用寡聚环糊精配基键合的高效凝胶介质分离纯化茶多酚中的表没食子儿茶素没食子酸酯的新方法。考察了不同种类的流动相对分离效果的影响。最终确定采用水/乙醇/乙腈为57/30/13(体积比)进行等梯度洗脱,一次色谱分离的收率和纯度分别为73%、98%,介质经过0.5mol/L的NaOH-水-30%乙酸简单再生后即可重复利用。(本文来源于《化工进展》期刊2005年10期）
键合介质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
阳极键合具有工艺,设备简单,键合质量好的优点,被广泛应用在传感类、生物类、光学类MEMS器件的封装等领域。传统阳极键合需要在高温下进行,材料会由于热膨胀系数不同产生明显的热应力不匹配,影响键合元器件性能,尤其不适用于精密元器件,在低温下实现阳极键合已成为研究的焦点。目前低温阳极键合工艺主要有化学处理,新型材料及等离子体处理等,其中等离子体在材料表面改性过程中,无污染,效率高,有很大的发展前景,介质阻挡放电(DBD)产生等离子体的条件简单,适用于工业化的生产,因此,本文研究了介质阻挡放电对键合材料活化后实现低温阳极键合的工艺方法。本文首先介绍了传统阳极键合过程,探讨了氧基键合电学模型,从理论角度分析了传统工艺下,阳极键合在低温下难以实现的原因,继而探讨了介质阻挡放电对材料活化处理后,对材料表面性能的影响,主要包括材料表面形貌和材料表面含氧基团两个方面,以及这些表面性能对阳极键合的影响,理论上证明采用介质阻挡放电对阳极键合材料活化处理之后,可以实现低温阳极键合。材料表面性能受到放电状态的制约,首先从介质阻挡放电理论模型着手,分析了影响放电状态的关键因素,主要包括阻挡介质、放电间距、放电电压、放电时间、放电频率。然后通过实验,研究了这些关键因素对放电状态的影响,优化了这些关键因素的选择。通过实验,研究了介质阻挡放电参数对材料表面性能的影响,又在活化基础上,开展了阳极键合实验,研究了表面性能对阳极键合的影响规律,获得结论:当材料表面粗糙度和亲水角变小时,阳极键合强度变大,阳极键合强度最大时,对应的玻璃片表面粗糙度最小,亲水角稳定不变。以DBD参数为实验因素,玻璃片粗糙度为实验结果开展正交试验,采用最小二乘支持向量机,根据实验获得的数据样本建立材料表面活化工艺模型,确定玻璃片粗糙度最小时的最佳的活化参数,以最佳放电参数为中心进行单因素介质阻挡放电活化实验验证模型,最后在最佳放电参数活化后,进行了阳极键合实验,以键合温度、键合电压、键合时间为因素,键合强度为试验指标,建立了低温阳极键合回归模型,获得了最佳的低温阳极键合参数。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
键合介质论文参考文献
[1].张永波.硅基非水介质染色体系中活性染料水解、键合机理及密度泛函理论研究[D].浙江理工大学.2018
[2].方智立.基于介质阻挡放电的低温阳极键合工艺方法及实验研究[D].苏州大学.2017
[3].杨跃德,隋少帅,唐明英,肖金龙,杜云.介质辅助键合Ⅲ-Ⅴ/硅基混合集成金属限制激光器[J].激光与光电子学进展.2014
[4].管朋,展明浩.基于聚合物介质的低温硅硅键合研究[J].电子科技.2014
[5].李来生,程彪平,周仁丹,聂桂珍,张宏福.新型衍生化β-环糊精键合有序介质手性固定相的研究[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第02分会：分离分析及微、纳流控新方法.2014
[6].赵旭峰.基于介质阻挡放电的复合阳极键合机理和工艺设备研究[D].苏州大学.2014
[7].张金辉.基于LowK介质QFN铜线键合缺陷分析与可靠性的改善[D].上海交通大学.2013
[8].张金辉,程秀兰.基于LowK介质QFN55nm铜线键合ILD断层的分析[J].光电技术应用.2013
[9].张毅敏,谭天伟.环糊精键合凝胶介质分离纯化金银花中绿原酸[J].过程工程学报.2009
[10].徐军,谭天伟.利用寡聚环糊精配基键合介质分离表没食子儿茶素没食子酸酯的新方法[J].化工进展.2005