导读:本文包含了底电极结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:P(VDF-TrFE),铁电薄膜,非晶Ni-Al,溶胶-凝胶
底电极结构论文文献综述
闫会芳,赵庆勋,付跃举,刘卓佳,张婷[1]（2012）在《以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能》一文中研究指出应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al异质结电容器。X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量。研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6μC/cm2和45.7 V。在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6 A/cm2。漏电机制研究表明,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制。铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2012年01期）
李博,殷明志,蒋迪波[2]（2011）在《铁电薄膜底电极La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的结构及电性能研究》一文中研究指出采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si衬底上沉积一层La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜底电极,并在不同的退火温度下表征薄膜的各种性质。X线衍射表明在550～750℃退火温度下制备的LSCO薄膜呈(110)取向的钙钛矿结构;谢乐公式估算薄膜的晶粒尺寸为25～50nm。扫描电子显微镜(SEM)观察结果显示:薄膜表面平整,结构致密。运用四探针法测量薄膜的体电阻,结果表明,750℃退火温度后渗氧处理可获得电阻率较低的La0.5Sr0.5CoO3薄膜。(本文来源于《压电与声光》期刊2011年06期）
付兴华,于玲君,辛立强[3]（2010）在《底电极与组分对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜结构与介电性能影响的研究》一文中研究指出以Pt与La0.5Sr0.5CoO3为电极,采用溶胶-凝胶法分别沉积Sr/Ba比不同的Ba1-xSrxTiO3薄膜,研究结果表明:沉积在两种电极上的Ba1-xSrxTiO3薄膜,随着Sr/Ba比的增加,Ba1-xSrxTiO3薄膜的介电常数呈先增大后减小的趋势,当Sr含量为50%即为Ba0.5Sr0.5TiO3且频率为1kHz时,薄膜具有最大的介电常数,分别是80,95和最小的介质损耗,分别是0.15,0.1。介电常数随着频率的升高呈下降趋势,介质损耗则成上升趋势。沉积La0.5Sr0.5CoO3电极上的Ba1-xSrxTiO3薄膜比Pt电极上的Ba1-xSrxTiO3薄膜具有更高的介电常数和低的介质损耗。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2010年03期）
张德银[4]（2009）在《新型铁电薄膜底电极TiN的结构与电性能研究》一文中研究指出自制了导电的TiN薄膜底电极,并在其上制备了铁电钽酸锂薄膜,测试了TiN薄膜电阻随热处理温度变化的关系,以及TiN底电极上钽酸锂薄膜的介电和漏电特性。实验结果表明,当热处理温度低于700℃时,TiN薄膜的电阻率小于0.004Ω.cm,具有良好的导电性,可用作钽酸锂薄膜底电极;TiN底电极上钽酸锂薄膜的漏电电流大于Pt衬底上钽酸锂薄膜的漏电电流;N2气氛下在TiN底电极上结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗远大于O2气氛下结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗;氧缺位是TiN底电极上钽酸锂薄膜介电损耗大和漏电大的主要原因。(本文来源于《材料导报》期刊2009年12期）
尹章,张鹰,朱俊,李言荣[5]（2007）在《采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能》一文中研究指出用球磨法制备Bi4Ti3O1(2BTO)靶材。用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以叁种氧化物SrRuO(3SRO)、LaSrCoO3(LSCO)、LaNiO3(LNO)和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜。分析了薄膜的结构和性能。结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10–6C/cm2提高到0.9×10–6C/cm2;矫顽场强从90×103V/cm下降到50×103V/cm。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2007年04期）
华夏[6]（2001）在《直流电弧炉的底电极结构及其耐火材料》一文中研究指出介绍了各种直流电弧炉的结构差异与各自的工作特点以及对其所需相关耐火材料品种的基本性能要求 ,详细论述了不同结构的直流电弧炉所使用的各种耐火制品和散状耐火材料的生产工艺条件、原材料选择标准与各自相关的技术指标以及今后改进的方向。(本文来源于《工业加热》期刊2001年01期）
王龙海,王世敏,黄桂玉[7]（2000）在《基片和底电极对KTN薄膜结构与取向的影响》一文中研究指出研究了用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法在不同基片和底电极上制备 KTN薄膜的结构 ,发现基片和底电极的结构及化学稳定性直接影响到 KTN薄膜的生成和结构。详细讨论了在 Mg O( 1 0 0 )、Si( 1 0 0 )、Si O2 、Pt/Si、Sn O2( Sb) /Si O2 等基片与底电极上不能制得纯钙钛矿 KTN薄膜的原因 ,对于不与 KTN发生反应的基片 ,当基片的结构、晶格常数等与钙钛矿 KTN越匹配 ,越有利于 KTN的取向生长 ,并在 Sr Ti O3( 1 0 0、1 1 1 )基片上制得纯钙钛矿、高取向甚至外延的 KTN薄膜。(本文来源于《压电与声光》期刊2000年03期）
宋志棠,任巍,张良莹,姚熹[8]（1997）在《底电极对PLT铁电薄膜结构与电性能的影响》一文中研究指出用Ｘ射线衍射和扫描电镜对不同厚度Ｔｉ的Ｐｔ／Ｔｉ电极的物相与形貌进行了分析。用金属有机化合物热分解法通过多次匀胶，制备了０．７２～０．８７μｍ厚的ＰＬＴ铁电薄膜。并对其形貌、相结构、介电和铁电性能与直流电阻特性进行对比研究，结果表明：不同厚度Ｔｉ的Ｐｔ／Ｔｉ电极对ＰＬＴ铁电薄膜的各种性能有明显的影响。在５５０℃保温６０ｍｉｎ的样品，１ｋＨｚ时介电常在在５００～５８０之间，介电报耗正切不大于２％，随Ｔｉ层厚度的增加，介电常数有增大的趋势，剩余极化强度Ｐ在６．３２～７．６１μＣ／ｃｍ２，矫顽场强Ｅ在６８．９～８３．７ｋＶ／ｃｍ。晶粒随Ｔｉ层的增加由１．５μｍ减小到０．９μｍ，有Ｔｉ层的漏电流比无Ｔｉ居的漏电流小，漏电流的大小与薄膜的缺陷有关。(本文来源于《功能材料》期刊1997年02期）
卢德新,李佐宜,刘建设,黄龙波,梁俊文[9]（1994）在《铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响》一文中研究指出研究了电极材料（Ｐｔ／Ｔｉ）对铁电ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜结构和性能的影响．认为在Ｐｔ层厚度一定时，Ｔｉ层的厚度对铁电薄膜的结构和性能有显着影响．当Ｔｉ层过厚或过薄时，铁电薄膜的结构较差；而当Ｔｉ层的厚度适中时，则铁电薄膜的显向下微结构均匀，电性能较好，典型的剩余极化强度和矫顽场分别为２７．８μＣ·ｃｍ￣（－２）和６５．１ｋＶ·ｃｍ￣（－１）．(本文来源于《物理学报》期刊1994年12期）
底电极结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si衬底上沉积一层La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜底电极,并在不同的退火温度下表征薄膜的各种性质。X线衍射表明在550～750℃退火温度下制备的LSCO薄膜呈(110)取向的钙钛矿结构;谢乐公式估算薄膜的晶粒尺寸为25～50nm。扫描电子显微镜(SEM)观察结果显示:薄膜表面平整,结构致密。运用四探针法测量薄膜的体电阻,结果表明,750℃退火温度后渗氧处理可获得电阻率较低的La0.5Sr0.5CoO3薄膜。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
底电极结构论文参考文献
[1].闫会芳,赵庆勋,付跃举,刘卓佳,张婷.以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能[J].功能材料与器件学报.2012
[2].李博,殷明志,蒋迪波.铁电薄膜底电极La_(0.5)Sr_(0.5)CoO_3的结构及电性能研究[J].压电与声光.2011
[3].付兴华,于玲君,辛立强.底电极与组分对Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜结构与介电性能影响的研究[J].硅酸盐通报.2010
[4].张德银.新型铁电薄膜底电极TiN的结构与电性能研究[J].材料导报.2009
[5].尹章,张鹰,朱俊,李言荣.采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能[J].电子元件与材料.2007
[6].华夏.直流电弧炉的底电极结构及其耐火材料[J].工业加热.2001
[7].王龙海,王世敏,黄桂玉.基片和底电极对KTN薄膜结构与取向的影响[J].压电与声光.2000
[8].宋志棠,任巍,张良莹,姚熹.底电极对PLT铁电薄膜结构与电性能的影响[J].功能材料.1997
[9].卢德新,李佐宜,刘建设,黄龙波,梁俊文.铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响[J].物理学报.1994
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