导读:本文包含了薄膜电阻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:薄膜电阻,镍铬硅,湿法刻蚀,磁控溅射
薄膜电阻论文文献综述
罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我[1]（2019）在《镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽(15±1)μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《真空》期刊2019年05期）
许秉正,贾胜利,郑婷[2]（2019）在《一种基于多层薄膜电阻的宽带吸波体设计》一文中研究指出本文介绍了一种使用多层薄膜电阻的宽带吸波结构,该吸波结构由六边形薄膜电阻在介质基板上迭加而成。各层薄膜的周期和阻值不同,可有效拓宽吸收带宽。仿真结果表明:吸波结构在1～12 GHz频段之间的反射系数小于-12 dB,在倾斜入射时,吸波结构同样具有宽带吸收和极化不敏感的特性。(本文来源于《2019年全国微波毫米波会议论文集（下册）》期刊2019-05-19）
王强文,郭育华,刘建军,王运龙,宋夏[3]（2018）在《硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征》一文中研究指出集成无源元件(IPD)技术可以将分立的无源元件集成在衬底内部,提高系统的集成度。为了获得高精度的薄膜电阻,采用多层薄膜电路工艺在硅晶圆上制备了不同线宽的镍铬薄膜电阻,利用显微镜和半导体参数测试仪对薄膜电阻的图形线宽及电学特性进行了表征及测试。结果表明,制备出的镍铬薄膜电阻线宽精度在±5%以内,电阻精度在±0.5%以内,具有稳定的电学特性。基于镍铬的高精度硅基无源集成电阻器在系统集成中有广泛的应用价值。(本文来源于《电子器件》期刊2018年06期）
李玉智,毛鑫,石轩,王春香,赵洪泉[4]（2019）在《热处理温度对金锗薄膜电阻的影响》一文中研究指出金锗薄膜是作为电子器件欧姆电极的重要材料,真空热处理是降低欧姆电极接触电阻的重要方法.本文研究了基于PVD方法生长的Au_9Ge_1薄膜的表面形貌及其电阻与真空热处理温度之间的关系.研究发现,当真空热处理温度达到180°C时,薄膜表面开始出现由于锗原子的析出形成的零星小点.随着真空热处理温度的上升,锗原子的析出从分散的点逐渐转变成发散的雪花状,薄膜的电阻也随之出现明显下降.当真空热处理温度达到265°C时,薄膜电阻率达到最小值～2.0175Ω/mm.当真空热处理温度继续升高时,表层金原子开始团聚形成小岛状结核,同时薄膜电阻开始急剧增大.当真空热处理温度达到280°C时,薄膜电阻率达到～6.4×10~5Ω/mm,此时薄膜断电.相比于未经任何热处理的样品, 265°C的真空热处理能够将Au_9Ge_1薄膜电极的电阻率降低～50%.本研究工作为降低金锗合金电极的电阻率提供了一种有效的方法.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2019年01期）
罗俊尧,杨曌,李保昌,沓世我[5]（2018）在《磁控溅射制备镍铬硅薄膜电阻的湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽15±1um,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2018-11-30）
付学成,王英,沈赟靓,李进喜,权雪玲[6]（2018）在《负偏压功率对溅射沉积钛、铜薄膜电阻的影响》一文中研究指出为了研究负偏压功率对直流溅射沉积铜、钛两种金属薄膜电阻率的影响,在采用相同的工艺条件溅射沉积两种金属薄膜的同时分别加上0、50、150 W的负偏压功率,发现随着偏压功率由0增加到150 W,制备的钛薄膜厚度下降了25%,电阻率下降到原来的18%,而对于铜薄膜随着偏压功率由0增加150 W,厚度下降了5%,电阻率却增加到原来的4倍。用原子力显微镜和X射线衍射仪器分析了不同负偏压功率下制备的两种金属薄膜的表面粗糙度和两种金属薄膜的结晶情况,并用Fuchs-Sondheimer理论和Mayadas-Shatzkes理论解释偏压功率引起两种金属电阻变化的原因。这为教学实验、真空镀膜工艺和集成电路生产领域沉积不同结构及电阻的金属薄膜提供参考。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2018年11期）
戚云娟,邓勇生[7]（2018）在《提高Ni-Cr合金薄膜电阻稳定性的工艺研究》一文中研究指出目的通过改变沉积Ni-Cr合金薄膜厚度、增加保护薄膜及梯度升温热处理工艺,获得电阻稳定性良好的合金薄膜。方法采用离子束溅射镀膜工艺,沉积160、230、300 nm厚的合金薄膜,并沉积200 nm厚的Si O2保护薄膜,采用梯度升温的方式对薄膜进行真空热处理。通过安捷伦数字繁用表测试试件热处理前后阻值的大小,通过差值计算出阻值变化量,并进行薄膜电阻稳定性研究。结果与160 nm厚的合金薄膜的电阻变化相比,将厚度提高到300 nm,热处理前后阻值的变化从25?减小到2?。与没有保护膜的合金薄膜热处理前后的阻值变化相比,增加保护膜的阻值从76?减小到25?。与直接升温的薄膜热处理工艺相比,采用阶梯升温的方式进行薄膜热处理的薄膜电阻从46?减小到了25?,薄膜电阻稳定性提高。结论合金膜厚的增加可减小薄膜的边界和杂质效应,有利于提高薄膜的电阻稳定性。增加保护薄膜可阻止外界环境中水汽等对薄膜的影响,阶梯升温方式有利于薄膜残余应力的充分释放,可提高薄膜电阻的稳定性。(本文来源于《表面技术》期刊2018年08期）
杨俊锋,丁明建,冯毅龙,赖辉信,庄严[8]（2018）在《退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响》一文中研究指出通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N薄膜最佳退火温度为400~450℃,在此温度范围内退火,可制备出与硅基底附着良好、较小电阻温度系数(TCR,≤±100×10-6/℃)、2000 h老化电阻变化率(ACR)约0.43%的高稳定Ta N薄膜电阻器。(本文来源于《广州化工》期刊2018年14期）
李小平,梁丹丹,吴建洪,贾湘江,陈鹏[9]（2018）在《石墨薄膜电阻开关特性的研究》一文中研究指出采用磁控溅射法以高纯石墨为靶材在单晶硅(100)上制备了石墨薄膜,通过SEM扫描表征其表面形貌以及截面厚度,利用XRD对石墨薄膜的晶体结构进行分析,再运用Keithley 2400对器件的I-V曲线进行测试.研究发现,通过磁控溅射得到的Si/C/Ag结构的器件具有明显的双极电阻开关效应,在一开始时,电阻开关比可以达到105倍,继续扫描直至曲线达到稳定状态后的比值也在103左右.这种显着的电阻开关特性经过研究被认为是石墨在溅射过程中形成稳定的缺陷对载流子的俘获和释放,使得器件的电阻突变而导致的.(本文来源于《西南师范大学学报(自然科学版)》期刊2018年03期）
李相迪,刘显明,曹雪颖,王家庆,雷小华[10]（2018）在《石墨烯透明导电薄膜电阻的环境稳定性研究》一文中研究指出将石墨烯薄膜置于不同环境气氛中,探究其在不同波长和功率密度可见光辐照下的导电特性.结果表明,石墨烯薄膜在不同条件光照下电阻缓慢上升,光照停止后电阻缓慢下降.氮气环境下石墨烯导电性能最稳定,真空下变化最大,在相同功率密度红光辐照下,样品在氮气、大气和真空下相对电阻变化分别为0.09%、0.22%、0.4%.相同环境下,波长越短,光子能量越大,对样品影响越大,在大气环境下,相同功率密度的蓝光、绿光和红光对样品相对电阻的影响分别为20%、3%、0.22%.(本文来源于《光子学报》期刊2018年05期）
薄膜电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文介绍了一种使用多层薄膜电阻的宽带吸波结构,该吸波结构由六边形薄膜电阻在介质基板上迭加而成。各层薄膜的周期和阻值不同,可有效拓宽吸收带宽。仿真结果表明:吸波结构在1～12 GHz频段之间的反射系数小于-12 dB,在倾斜入射时,吸波结构同样具有宽带吸收和极化不敏感的特性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
薄膜电阻论文参考文献
[1].罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我.镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究[J].真空.2019
[2].许秉正,贾胜利,郑婷.一种基于多层薄膜电阻的宽带吸波体设计[C].2019年全国微波毫米波会议论文集（下册）.2019
[3].王强文,郭育华,刘建军,王运龙,宋夏.硅基高精度镍铬薄膜电阻的制备和性能表征[J].电子器件.2018
[4].李玉智,毛鑫,石轩,王春香,赵洪泉.热处理温度对金锗薄膜电阻的影响[J].中国科学:物理学力学天文学.2019
[5].罗俊尧,杨曌,李保昌,沓世我.磁控溅射制备镍铬硅薄膜电阻的湿法刻蚀工艺研究[C].粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集.2018
[6].付学成,王英,沈赟靓,李进喜,权雪玲.负偏压功率对溅射沉积钛、铜薄膜电阻的影响[J].真空科学与技术学报.2018
[7].戚云娟,邓勇生.提高Ni-Cr合金薄膜电阻稳定性的工艺研究[J].表面技术.2018
[8].杨俊锋,丁明建,冯毅龙,赖辉信,庄严.退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响[J].广州化工.2018
[9].李小平,梁丹丹,吴建洪,贾湘江,陈鹏.石墨薄膜电阻开关特性的研究[J].西南师范大学学报(自然科学版).2018
[10].李相迪,刘显明,曹雪颖,王家庆,雷小华.石墨烯透明导电薄膜电阻的环境稳定性研究[J].光子学报.2018