导读:本文包含了高输出功率论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:共源共栅,交叉耦合,压控振荡器,互补金属氧化物半导体
高输出功率论文文献综述
周雅,焦晓波[1]（2019）在《基于共源共栅结构的高输出功率VCO》一文中研究指出为了降低与射频系统级相关的功耗,以及增加输出功率,提出了一种共源共栅结构的CMOS VCO。所提出的VCO核心包含有共源共栅结构,以增加VCO的供电电压。为了降低与栅源级间和栅漏级间击穿相关的可靠性问题,将共源晶体管的栅级节点与共栅晶体管的源级节点相连。为了验证所提出VCO的有效性,采用90nm的RF CMOS工艺设计了一款2.4GHz的CMOS VCO芯片,由测试结果可得,该款VCO在2V电源电压供电下取得了相对较高的输出功率、较低的相位噪声以及变化较平缓的振荡频率。(本文来源于《雷达科学与技术》期刊2019年02期）
林宗泽,王科,王利,平山秀树[2]（2018）在《高输出功率太赫兹量子级联激光器与温度特性（英文）》一文中研究指出半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷化镓系材料的THz QCL.在10 K温度下,峰值功率达到270 mW,平均功率为2. 4 mW,单位面积的输出功率与已报道的最高值相当.采用NEGF方法对器件的温度变化特性做了详细的分析.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年05期）
郭栋,刘晓宇,王溪,赵华[3]（2018）在《一种W波段高输出功率放大器模块》一文中研究指出提出了基于GaAs微波单片集成(MMIC)的W波段高输出功率放大器模块。该模块包括MMIC功率放大器(PA)和波导-微带转换结构。采用功率合成技术和微带耦合电容,实现了低损耗匹配网络,提高了PA的增益和输出功率。采用阶梯匹配网络,拓宽了微带转换过渡的带宽。测试结果表明,在75~105GHz频率范围内,波导-微带转换结构的插入损耗为0.9~1.7dB,回波损耗小于11dB;在90GHz频率时,PA的增益S21大于10dB,输入/输出反射系数S11/S22小于-10dB,饱和输出功率为19dBm。(本文来源于《微电子学》期刊2018年03期）
王涛,刘俊岐,刘峰奇[4]（2015）在《高输出功率锥形波导太赫兹量子级联激光器》一文中研究指出制作了基于锥形波导结构的高输出功率的太赫兹(THz)量子级联激光器。激光器采用单面金属波导结构,并采用锥形波导形状提高光输出功率,且保证了良好的光斑远场发散角。激光器水平方向远场光斑发散角为18.4°,器件输出中心波长为93μm(3.23 THz),器件最高输出功率达到了185 m W,最高工作温度为95 K。80 K时,器件的最高脉冲输出功率能达到65 m W。基于如此高的输出功率,制作了液氮杜瓦封装的小型便携式太赫兹激光源。(本文来源于《太赫兹科学与电子信息学报》期刊2015年03期）
刘映群,丁向荣[5]（2014）在《具有高输出功率的多量子阱发光二极管的结构设计》一文中研究指出设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,增大电子和空穴波函数的交迭比,从而增大了辐射复合速率。提高辐射复合速率有利于缓解电子泄露问题,增加了LED的发光功率,减小LED在大电流下的效率下降问题。新设计的芯片在大电流注入下,发光功率是传统结构的两倍。(本文来源于《量子光学学报》期刊2014年03期）
余师倩,张志勇,方力[6]（2010）在《高输出功率正弦信号发生器》一文中研究指出基于直接数字频率合成DDFS(Direct Digital Frequency Synthesize)技术,依据调制信号相关原理,设计以DDS集成电路AD9851为核心的正弦信号发生器,可精确输出幅度调节范围为50mVPP～20VPP,频率调节范围100Hz～30MHz的正弦波,还可输出调幅波、调频波、PSK、ASK信号。该设计在宽频带内能获得大幅度的低失真波形。采用多种抗干扰措施以减少噪声并抑制高频自激,通过软件补偿提高频带内输出幅度的平坦度。该系统输出波形谐波失真度小,无杂散动态范围(SFDR)达39.8dBc,功能稳定,操作简便。(本文来源于《电子设计工程》期刊2010年02期）
顾卫东,张志国[7]（2009）在《X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaN HEMT的研究》一文中研究指出利用MOCVD技术研制了国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料,方块电阻小于260Ω/□,迁移率最大值达到2130 cm2V-1s-1,方块电阻和迁移率不均匀性小于3%,采用新的器件栅结构和高应力SiN钝化技术,降低了大栅宽器件栅泄漏电流,提高了工作电压。研制的总栅宽为25.3 mm的四胞内匹配器件X波段输出功率达到141.25 W,线性增益大于12 dB,PAE达到41.4%。(本文来源于《半导体技术》期刊2009年11期）
陈裕权[8]（2008）在《英飞凌展出其最新高输出功率LDMOS晶体管》一文中研究指出在2008年6月于美国亚特兰大举办的MTT-S展览会上,英飞凌公司首次展出了用于全球移动通信系统/全球移动通信系统增强数据速率(GSM/EDGE)的频段为920~960MHz和1805~1880MHz的LDMOS RF功率晶体管系列。上述晶体管920~9(本文来源于《半导体信息》期刊2008年04期）
冯震,张志国,王勇,默江辉,宋建博[9]（2007）在《X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT》一文中研究指出使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω.cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.(本文来源于《半导体学报》期刊2007年11期）
郑耀辉,卢华东,李凤琴,张宽收,彭堃墀[10]（2007）在《全固态高输出功率单频Nd:YVO_4/KTP激光器》一文中研究指出利用光纤耦合输出的半导体激光器(LD)端面抽运Nd∶YVO4晶体,激光谐振腔采用四镜环形腔结构,通过KTP晶体内腔倍频,获得了高功率全固态连续单频绿光激光输出。根据临界相位匹配下椭圆高斯光束的倍频理论,通过旋转Nd∶YVO4晶体的方向选取合适的基频光偏振方向,使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔弧矢面平行,可提高内腔倍频转换效率。当抽运功率为20 W时,激光器最大单频绿光输出功率达4.8 W。作为对比,控制基频光偏振方向使KTP晶体的走离角所在平面与谐振腔子午面平行时,激光器最大单频绿光输出功率为4.1 W。对比两种情形下的实验结果,激光器的光-光转换效率从21.8%提高到25.5%。(本文来源于《中国激光》期刊2007年06期）
高输出功率论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
半导体太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种相干性好线宽窄的太赫兹辐射源,有潜力获得高的输出功率.采用基于非平衡格林函数(NEGF)方法的计算工具设计、生长、制备了基于砷化镓系材料的THz QCL.在10 K温度下,峰值功率达到270 mW,平均功率为2. 4 mW,单位面积的输出功率与已报道的最高值相当.采用NEGF方法对器件的温度变化特性做了详细的分析.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高输出功率论文参考文献
[1].周雅,焦晓波.基于共源共栅结构的高输出功率VCO[J].雷达科学与技术.2019
[2].林宗泽,王科,王利,平山秀树.高输出功率太赫兹量子级联激光器与温度特性（英文）[J].红外与毫米波学报.2018
[3].郭栋,刘晓宇,王溪,赵华.一种W波段高输出功率放大器模块[J].微电子学.2018
[4].王涛,刘俊岐,刘峰奇.高输出功率锥形波导太赫兹量子级联激光器[J].太赫兹科学与电子信息学报.2015
[5].刘映群,丁向荣.具有高输出功率的多量子阱发光二极管的结构设计[J].量子光学学报.2014
[6].余师倩,张志勇,方力.高输出功率正弦信号发生器[J].电子设计工程.2010
[7].顾卫东,张志国.X波段大栅宽高输出功率AlGaN/GaNHEMT的研究[J].半导体技术.2009
[8].陈裕权.英飞凌展出其最新高输出功率LDMOS晶体管[J].半导体信息.2008
[9].冯震,张志国,王勇,默江辉,宋建博.X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaNHEMT[J].半导体学报.2007
[10].郑耀辉,卢华东,李凤琴,张宽收,彭堃墀.全固态高输出功率单频Nd:YVO_4/KTP激光器[J].中国激光.2007
标签：共源共栅; 交叉耦合; 压控振荡器; 互补金属氧化物半导体;