导读:本文包含了离子注入退火论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:离子注入,退火,LTPS-TFT特性,影响
离子注入退火论文文献综述
秦心宇,罗昆明[1]（2019）在《离子注入和退火对LTPS-TFT特性的影响》一文中研究指出近年来,随着我国社会经济的快速发展,导致科学技术水平得到了不断进步,同时人们的日常需求也越来越高。目前,消费者对于显示器画质以及分辨率的要求越来越高,许多OLED显示器生产者越来越注重提高清晰度、功耗、薄厚程度以及轻重程度等方面的研究,同时其应用领域包含高清晰的大型视频家电以及便携式的移动设备等。而其相关技术的发展路径包含色彩还原度的提高以及屏幕分辨率的提高,并将纸张等传统媒介替换为平板显示,从而使人们的日常生活与工作无纸化,而以上方式的实现都需要AMOLED显示技术以及柔性显示技术的快速发展。本文研究了离子注入和退火对LTPS-TFT特性的影响。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2019年01期）
梁李敏,解新建,刘辉,田园,郝秋艳[2]（2018）在《Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响》一文中研究指出利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备的p-GaN薄膜中,制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形貌和磁性能的影响。研究结果表明:Ni离子注入未在GaN晶格中引入第二相,中等剂量的Ni离子辐照GaN样品在室温下具有顺磁性,800℃热退火后样品的磁性由顺磁性转化为铁磁性,具有较高的饱和磁化强度。热退火后p-GaN的晶格损伤恢复和空穴载流子浓度增加,因此800℃热退火样品的铁磁性转变是由于Ni离子的自旋电子与空穴载流子的相互作用增强引起的。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2018年10期）
王颖[3]（2018）在《离子注入和热退火工艺对应变Si材料应力影响研究》一文中研究指出应变Si技术是延续摩尔定律最有效技术之一,重点研究了离子注入和热退火过程对应变Si材料中应力的影响,开展了不同离子注入类型、能量和剂量,以及热退火温度和时间对应变Si材料特性影响的实验,并应用拉曼测试对实验结果进行了分析,结果表明:在剂量小于5×10~(14)cm~(-2)时,应变Si材料中的应力几乎不随离子注入的能量与剂量变化;应变Si材料在1 000℃以下,在60 min以内热退火,应力几乎不随温度与时间的变化而变化。(本文来源于《电子器件》期刊2018年01期）
周小东,周思华,孙现科[4]（2015）在《热退火对离子注入制备Au纳米颗粒生长和光学性能的影响》一文中研究指出利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机,将Au离子注入到高纯石英玻璃衬底中来制备Au纳米颗粒,Au离子注入的加速电压分别为20、40和60 k V,注入剂量为1×1017ions/cm2,随后将注入样品在普通管式退火炉中700~1000℃退火处理。研究了注入条件和热退火参数对Au纳米颗粒的形成、生长、分布以及光学性能的影响。采用光学吸收谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注入样品的光学性能、表面形貌和微观结构进行了测试和表征。实验结果表明,采用该低压离子注入结合热退火工艺的方法,所制备的Au纳米颗粒具有很强的局域表面等离子体共振特性,同时该方法也为制备尺寸和分布可控的Au纳米颗粒提供了一些新的参考途径。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2015年08期）
周小东[5]（2015）在《Ti~+离子注入结合热退火法制备TiO_2纳米薄膜研究》一文中研究指出利用金属蒸发真空多弧离子源(MEVVA源)注入机将Ti+离子注入到高纯石英玻璃衬底中,离子注入的加速电压为20 k V,注入剂量为1.5×1017和3×1017ions/cm2,将注入样品在氧气气氛下进行热退火处理,制备了TiO2纳米薄膜。采用光吸收谱、拉曼光谱、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对注入样品进行了测试和表征,分析了TiO2薄膜的形成机理。在热退火过程中衬底中离子注入的Ti原子向外扩散到衬底表面被氧化形成了TiO2。TiO2的形成、晶粒尺寸和晶体结构依赖于热退火温度,而形成TiO2薄膜的厚度主要受离子注入剂量和热退火时间的影响。实验结果表明,该方法制备的TiO2纳米薄膜将有望应用于制备具有光催化、自清洁等特殊性能的自清洁玻璃。(本文来源于《原子核物理评论》期刊2015年02期）
王全新[6]（2015）在《离子注入和退火对LTPS-TFT特性的影响研究》一文中研究指出摘要：本文研究了离子注入能量对低温多晶硅晶体管(LTPS-TFT)关态电流的影响,优化了离子注入工艺参数；研究了退火工艺对LTPS-TFT器件性能的影响,取得以下成果：1.本文制备了基于Si02栅绝缘层的LTPS-TFT,针对LTPS-TFT的重要特性关态电流作了重点研究。通过调整离子注入工艺的参数一注入能量和RF Power,分析了它们对关态电流的影响。实验发现,掺杂浓度是1.6E15cm-2, RF Power从35W升高至55W时,关态电流10ff升高10pA;当RF Power增加到75W时,关态电流继续升高,但幅度较小。2.本文按照LTPS-TFT array的标准工艺制作了完整的LTPS-TFT基板,完成了去氢退火与后氢化退火对LTPS-TFT性能的研究。结果表明：(1)通过缩短非晶硅退火的时间,在不引起氢爆的前提下,可以减少氢逸出,在后氢化退火时,可以起到氢化的作用,与正常条件比较,Ion升高约20μA, Mobility提升10cm2/V.s, Vth正偏1V,电流开关比提升一个量级,达到10^6。(2)在激光准分子退火(ELA)之后沉积SiNx薄膜,400℃退火没有达到提升TFT器件性能的目的,测得TFT特性参数与正常条件基本一致。目前不能排除SiNx薄膜中的H是否扩散到多晶硅中,并且起到修复缺陷态的作用。Si02栅绝缘层的沉积温度为350℃,Si-H键有可能断裂,达不到修补悬挂键的作用。(3)后氢化退火对TFT的特性有很大影响。当退火温度低于450℃时,温度越高,TFT特性越好。450℃退火对载流子迁移率、阈值电压、亚阈值摆幅,开态电流影响很大,与不做后氢化退火的TFT相比,Mobility提升23cm2/V.S,Ion提升50μA,Vth正偏2V,S.S减小0.3V/dec,并且得到后氢化退火的工艺窗口应在450℃左右。(本文来源于《北京交通大学》期刊2015-06-01）
李茂林,杨秉君,清水叁郎,横尾秀和,冢越和也[7]（2014）在《SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证》一文中研究指出针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题,利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备(ULVAC,IH-860DSIC)、碳膜溅射设备(ULVAC,SME-200)和高温激活退火设备(ULVAC,PFS-6000-25)。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段,研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明,采用500℃Al离子注入浓度为5×1018cm-3、20 nm厚碳膜溅射技术和1 700~2 000℃激活退火技术,能够实现具有良好表面特性和电学特性的p型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiCSBD器件和SiC-MOSFET器件完成工艺验证。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年12期）
台鹏飞,宋先保,刘亮亮,王柱[8]（2014）在《Ag离子注入Mo产生缺陷及缺陷退火行为的慢正电子束研究》一文中研究指出Mo/Ag层状复合材料具备出色的导电性、机械性能和耐热冲击性,是一种重要的航天太阳能电池阵电接触材料。Mo/Ag为互不固溶金属,Mo表面直接镀银效果不好,镀层与基底结合不牢固。采用离子注入表面改性技术,将Ag离子注入Mo,可有效的改善Mo表面的电镀性能,获得无明显界面、具有很高结合强度Ag改性层。在此基础上再对Mo进行电镀,可得到镀层质量较好,与Mo基底材料结合强度高的Ag层。离子注入表面改性的同时会引入大量的缺陷,缺陷与注入离子在基底材料中的深度分布及相互作用具有重要的研究价值。本文报道了利用慢正电子束技术研究Ag离子注入Mo基底材料产生缺陷的信息,缺陷和注入离子的深度分布的SRIM模拟结果。同时,慢正电子束测量了离子注入后的样品在不同温度退火过程中缺陷的变化。随后的VEPFIT程序分析拟合了慢束测试结果的S-E曲线。结果表明,Ag离子注入产生了大量缺陷,损伤层S参数为1.1倍体态S参数值,说明离子注入产生缺陷多为空位团缺陷。在随后的等时变温退火过程中,温度较低的退火过程引发空位团从近表面的缺陷聚集区朝样品内部迁移。随着退火温度的升高,空位和空位团浓度逐渐减少,并在900℃退火6小时后完全消除,同时注入的Ag原子的分布深度也由70nm扩展至340nm。结果同时表明Ag原子在Mo中的扩散可能是由空位迁移带动的。(本文来源于《第十二届全国正电子谱学会议论文集》期刊2014-07-09）
徐大庆,张义门,娄永乐,童军[9]（2014）在《热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响》一文中研究指出通过Mn离子注入非故意掺杂GaN外延层制备了GaN:Mn薄膜,并研究了退火温度对GaN:Mn薄膜的微结构、光学及磁学特性的影响.对不同退火温度处理后的GaN:Mn薄膜的拉曼谱测试显示,出现了由与离子注入相关的缺陷的局域振动(LV)和(Ga,Mn)N中Mn离子的LV引起的新的声子模.在GaN:Mn薄膜的光致发光谱中观察到位于2.16,2.53和2.92 eV处的叁个新发光峰(带),其中位于2.16 eV处的新发光带不能排除来自Mn相关辐射复合的贡献.对GaN:Mn薄膜的霍尔测试显示,退火处理后样品表现出n型体材料特征.对GaN:Mn薄膜的振动样品磁强计测试显示,GaN:Mn薄膜具有室温铁磁性,其强弱受Mn相关杂质带中参与调节磁相互作用的空穴浓度的影响.(本文来源于《物理学报》期刊2014年04期）
李海燕,杜红艳,赵建忠[10]（2013）在《锑化铟离子注入退火技术研究》一文中研究指出对锑化铟(InSb)铍离子(Be+)注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。(本文来源于《激光与红外》期刊2013年12期）
离子注入退火论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用离子注入法将Ni离子注入到金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备的p-GaN薄膜中,制备出了GaN基稀磁半导体材料。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描显微镜(SEM)和振动样品磁强计(VSM)研究了离子注入剂量和热退火对GaN样品的结构、形貌和磁性能的影响。研究结果表明:Ni离子注入未在GaN晶格中引入第二相,中等剂量的Ni离子辐照GaN样品在室温下具有顺磁性,800℃热退火后样品的磁性由顺磁性转化为铁磁性,具有较高的饱和磁化强度。热退火后p-GaN的晶格损伤恢复和空穴载流子浓度增加,因此800℃热退火样品的铁磁性转变是由于Ni离子的自旋电子与空穴载流子的相互作用增强引起的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
离子注入退火论文参考文献
[1].秦心宇,罗昆明.离子注入和退火对LTPS-TFT特性的影响[J].电子技术与软件工程.2019
[2].梁李敏,解新建,刘辉,田园,郝秋艳.Ni离子注入和热退火对GaN形貌和磁性的影响[J].微纳电子技术.2018
[3].王颖.离子注入和热退火工艺对应变Si材料应力影响研究[J].电子器件.2018
[4].周小东,周思华,孙现科.热退火对离子注入制备Au纳米颗粒生长和光学性能的影响[J].材料热处理学报.2015
[5].周小东.Ti~+离子注入结合热退火法制备TiO_2纳米薄膜研究[J].原子核物理评论.2015
[6].王全新.离子注入和退火对LTPS-TFT特性的影响研究[D].北京交通大学.2015
[7].李茂林,杨秉君,清水叁郎,横尾秀和,冢越和也.SiC功率器件离子注入和退火设备及工艺验证[J].半导体技术.2014
[8].台鹏飞,宋先保,刘亮亮,王柱.Ag离子注入Mo产生缺陷及缺陷退火行为的慢正电子束研究[C].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014
[9].徐大庆,张义门,娄永乐,童军.热退火对Mn离子注入非故意掺杂GaN微结构、光学及磁学特性的影响[J].物理学报.2014
[10].李海燕,杜红艳,赵建忠.锑化铟离子注入退火技术研究[J].激光与红外.2013
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