导读:本文包含了单晶硅尾料论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:尾料,多晶硅,定向凝固,真空蒸发
单晶硅尾料论文文献综述
李志红,马文会,梅向阳,杨斌[1]（2009）在《掺铝P型单晶硅尾料真空冶炼提纯研究(英文)》一文中研究指出利用真空蒸发和定向凝固技术去除掺铝P型单晶硅尾料中铝杂质的方法,通过晶相仪、EBSD和ICP-AES检测,被证实是非常有效的。铝含量检测结果表明:提纯后的铝含量沿多晶硅铸锭纵向由下到上逐渐增高,且总量较提纯前有较大幅度的降低。(本文来源于《中山大学学报(自然科学版)》期刊2009年S2期）
李志红[2]（2009）在《真空冶金法提纯高铝掺杂单晶硅尾料》一文中研究指出目前,国内外的多晶硅生产企业和研究机构都在发展及研究以廉价的方式生产多晶硅作为主要目标。利用单晶硅生产中产生的废料作为原料,通过物理(冶金)提纯从而获取高纯度的太阳能级多晶硅的工艺路线受到了密切关注。本文利用真空冶金法,结合真空蒸发、真空定向凝固和真空脱气等技术,对掺杂单晶硅生产中的尾料进行纯化,以获得高纯度多晶硅。实验中采用电感耦合等离子原子发射光谱(Inductance couple plasma-atomic emission spectrometry,ICP-AES)方法,对经真空冶金处理后的硅铸体中主要杂质纵向分布作了定量分析。检测结果显示：经真空冶金处理后形成的多晶硅铸体中,Al、Pb、Na等主要杂质的含量有了非常明显的下降；其中,杂质Al的含量由279ppm降至6.8ppm；Pb、Na在原料中的含量分别为15.8 ppm和2.4 ppm,经处理后因其含量低于ICP-AES检测限而未被检出。杂质Al在处理后的多晶硅铸体中沿熔体凝固方向自下而上逐渐升高。同时,利用XRD(X射线衍射)电子背散射衍射(Electron back-scattered diffraction,EBSD)和晶相显微技术对晶体微观结构作了分析研究。由此揭示了制取的多晶硅铸体中晶粒生长的行为,以及主要杂质分布特性的成因。从而可为工业生产中的技术改进和工艺控制条件的正确选择提供理论依据。(本文来源于《昆明理工大学》期刊2009-05-01）
单晶硅尾料论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目前,国内外的多晶硅生产企业和研究机构都在发展及研究以廉价的方式生产多晶硅作为主要目标。利用单晶硅生产中产生的废料作为原料,通过物理(冶金)提纯从而获取高纯度的太阳能级多晶硅的工艺路线受到了密切关注。本文利用真空冶金法,结合真空蒸发、真空定向凝固和真空脱气等技术,对掺杂单晶硅生产中的尾料进行纯化,以获得高纯度多晶硅。实验中采用电感耦合等离子原子发射光谱(Inductance couple plasma-atomic emission spectrometry,ICP-AES)方法,对经真空冶金处理后的硅铸体中主要杂质纵向分布作了定量分析。检测结果显示：经真空冶金处理后形成的多晶硅铸体中,Al、Pb、Na等主要杂质的含量有了非常明显的下降；其中,杂质Al的含量由279ppm降至6.8ppm；Pb、Na在原料中的含量分别为15.8 ppm和2.4 ppm,经处理后因其含量低于ICP-AES检测限而未被检出。杂质Al在处理后的多晶硅铸体中沿熔体凝固方向自下而上逐渐升高。同时,利用XRD(X射线衍射)电子背散射衍射(Electron back-scattered diffraction,EBSD)和晶相显微技术对晶体微观结构作了分析研究。由此揭示了制取的多晶硅铸体中晶粒生长的行为,以及主要杂质分布特性的成因。从而可为工业生产中的技术改进和工艺控制条件的正确选择提供理论依据。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单晶硅尾料论文参考文献
[1].李志红,马文会,梅向阳,杨斌.掺铝P型单晶硅尾料真空冶炼提纯研究(英文)[J].中山大学学报(自然科学版).2009
[2].李志红.真空冶金法提纯高铝掺杂单晶硅尾料[D].昆明理工大学.2009