本文主要研究内容
作者卢子龙,安立宝,刘扬（2019）在《不同浓度硼掺杂石墨烯吸附多层金原子的第一性原理研究》一文中研究指出：石墨烯与金属间过高的接触电阻严重影响了其在微纳电子领域的应用,B掺杂可以有效降低石墨烯的接触电阻。利用第一性原理研究了不同浓度B掺杂对石墨烯吸附多层Au原子的影响。首先计算了不同浓度B掺杂石墨烯的结合能,验证了掺杂石墨烯的稳定性;然后对掺杂石墨烯进行了结构优化并在其表面置入多层Au原子,计算了吸附模型的吸附能、赝能隙、局部态密度、电荷密度分布和电荷转移量。B掺杂浓度分别为1.39%,4.17%,6.94%,9.72%,12.50%和15.28%。结果表明:随着B掺杂浓度的提高,石墨烯吸附多层Au原子体系的赝能隙变宽,吸附能增加,结构稳定性得到提升;B原子与Au原子间杂化作用明显,具有较高的电荷密度和电荷转移量,可有效地降低石墨烯与多层Au原子间的接触电阻;但掺杂浓度为15.28%时,由于浓度过高吸附模型中石墨烯几何结构变形过大。
Abstract
dan mo xi yu jin shu jian guo gao de jie chu dian zu yan chong ying xiang le ji zai wei na dian zi ling yu de ying yong ,Bcan za ke yi you xiao jiang di dan mo xi de jie chu dian zu 。li yong di yi xing yuan li yan jiu le bu tong nong du Bcan za dui dan mo xi xi fu duo ceng Auyuan zi de ying xiang 。shou xian ji suan le bu tong nong du Bcan za dan mo xi de jie ge neng ,yan zheng le can za dan mo xi de wen ding xing ;ran hou dui can za dan mo xi jin hang le jie gou you hua bing zai ji biao mian zhi ru duo ceng Auyuan zi ,ji suan le xi fu mo xing de xi fu neng 、yan neng xi 、ju bu tai mi du 、dian he mi du fen bu he dian he zhuai yi liang 。Bcan za nong du fen bie wei 1.39%,4.17%,6.94%,9.72%,12.50%he 15.28%。jie guo biao ming :sui zhao Bcan za nong du de di gao ,dan mo xi xi fu duo ceng Auyuan zi ti ji de yan neng xi bian kuan ,xi fu neng zeng jia ,jie gou wen ding xing de dao di sheng ;Byuan zi yu Auyuan zi jian za hua zuo yong ming xian ,ju you jiao gao de dian he mi du he dian he zhuai yi liang ,ke you xiao de jiang di dan mo xi yu duo ceng Auyuan zi jian de jie chu dian zu ;dan can za nong du wei 15.28%shi ,you yu nong du guo gao xi fu mo xing zhong dan mo xi ji he jie gou bian xing guo da 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自材料工程的卢子龙,安立宝,刘扬，发表于刊物材料工程2019年04期论文，是一篇关于石墨烯论文,掺杂论文,吸附论文,第一性原理论文,接触电阻论文,材料工程2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自材料工程2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。