导读:本文包含了高温键合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:迭层键合,绝缘体上硅,高温压力传感器,异质异构
高温键合论文文献综述
齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷[1]（2019）在《圆片级迭层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用》一文中研究指出针对绝缘体上硅(SOI)异质异构结构特点,提出了两次对准和两次阳极键合工艺方法,实现了圆片级SOI高温压力传感器硅敏感芯片的迭层键合。采用玻璃—硅—玻璃叁层结构的SOI压力芯片具有良好的密封性和键合强度。经测试结果表明:SOI高温压力传感器芯片键合界面均匀平整无缺陷,漏率低于5×10~(-9)Pa·m~3/s,键合强度大于3 MPa。对芯片进行无引线封装,在500℃下测试得出传感器总精度小于0. 5%FS。(本文来源于《传感器与微系统》期刊2019年02期）
高成,张芮,黄姣英[2]（2018）在《高温下塑封器件键合铜线的可靠性》一文中研究指出针对塑封器件键合铜线在高温环境下的贮存可靠性问题,进行铜线键合塑封器件的高温贮存试验。对经过高温贮存后的塑封器件进行无损开封,分析了高温贮存对铜键合线的拉伸强度和第一键合点剪切强度的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)观察Cu/Al键合界面形貌及金属间化合物(IMC)的生长,采用X射线能谱仪(EDS)对IMC进行成分分析。研究结果表明,塑封器件Cu/Al键合界面在150℃贮存环境下IMC生成较少,EDS无法准确分析其成分,175℃和200℃贮存环境下生成的IMC包括Cu_3Al_2,Cu_9Al_4,CuAl和CuAl_2,且器件在200℃贮存28天后键合界面产生裂纹。随贮存时间的增加,键合铜线的拉伸强度逐渐减小,剪切强度先增加后急剧减小,且Cu/Al IMC的生长行为和成分特点符合试验过程中键合铜线键合强度的变化。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年02期）
蒋静[3]（2017）在《氨茴内酐在高温下的反应及二砜亚甲基介导的烯键合成研究》一文中研究指出本论文内容主要分为两个部分:第一部分为氨茴内酐在高温下的反应。氨茴内酐是一类比较特殊的苯并杂环类化合物,虽然在100多年前就已经被合成出来,但是直到最近才逐渐受到人们的重视。氨茴内酐的氮氧键在过渡金属催化下容易发生断裂,生成活性中间体,继续和其它底物反应得到各种产物。和文献不同的是,我们将氨茴内酐与常见的羧酸、苯硼酸、胺和酚类化合物在高温的条件下直接生成了苯并恶嗪酮、吖啶、酰胺和酯类等结构复杂的化合物。该方法可以快速简单的合成许多具有生物活性的化合物,无需添加任何催化剂,底物适用范围广,在先导药物分子的发现中有重大用途。第二部分为二砜亚甲基介导的烯键合成研究。采用双苯磺酰基甲烷为起始原料,先和卤代烷反应,再经氯代、在碱性条件下脱卤化氢等步骤生成碳碳双键。由于双苯磺酰基甲烷中磺酰基具有较大空间位阻,使碳碳双键在形成后发生迁移从而得到更稳定的间位结构,这是一种新的生成双键的模式;同时双苯磺酰基甲烷可经化学转化得到很多有用的官能团,增加了产物的多样性,有利于快速简单的合成多种化合物。(本文来源于《苏州大学》期刊2017-04-01）
曹军,范俊玲,尚显光,刘志强[4]（2016）在《高温高湿环境对键合Cu线可靠性影响的研究》一文中研究指出通过高温存储试验和高压蒸煮试验对铜线键合器件在高温高湿环境下的可靠性进行研究,分析试验前后键合球剪切力和键合球拉力的变化,利用扫描电镜、透射电镜观察试验前后键合界面形貌及金属间化合物类型,采用能谱仪对试验前后键合界面的成分进行分析。研究结果表明,键合初期,Cu/Al键合界面没有生成Cu、Al金属间化合物,键合界面具有一定的连接强度;高温存储试验后,Cu/Al键合界面生成CuAl、Cu_9Al_4金属间化合物,连接强度增加;高压蒸煮试验后,Cu/Al键合界面的Cu_9Al_4金属间化合物消失,键合界面由于卤素原子的加入使周围环境呈现弱酸性,Cu9Al4金属间化合物在该环境下被腐蚀,其反应式为Cu_9Al_4+12Br-~=4AlBr_3+9Cu +12e~-,键合界面出现孔洞,键合界面强度减小,降低了器件的可靠性。(本文来源于《机械工程学报》期刊2016年06期）
王亚彬,王晓光,郑丽,王成杨,宋尔冬[5]（2015）在《基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合》一文中研究指出提出了一种应用于硅-硅键合过程中表面激活的新方法,采用复合激活的方式,使预键合的硅片表面分别通过化学溶液激活和UV光激活相互结合的手段获得较高的表面态。经键合机预键合后,在高温炉中完成原子轨道重迭,实现硅-硅键合。通过镜下检查和破坏性实验等方式分别对键合的效果和强度进行深入测试,并给出相应的实验效果图和测试结果。实验结果表明,采用新激活方法的键合界面无空洞且均一性良好,键合强度高,证明了新激活方法的可行性和优越性。针对高温键合工艺过程中容易产生空洞这一问题提出了新的解决方案。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2015年05期）
张德远,赵一举,蒋永刚[6]（2014）在《面向超高温压力传感器的SiC-SiC键合方法》一文中研究指出为了实现耐高温压力传感器SiC腔体的制作,分别利用高性能陶瓷胶、旋涂玻璃和金属Ni等3种材料作为键合层,研究了SiC-SiC键合工艺.扫描电子显微镜和键合拉伸强度实验结果表明,这3种材料的键合层均可以成功应用于SiC-SiC键合,其中高性能陶瓷胶键合层厚度为20~30μm,键合强度可达4 MPa;旋涂玻璃键合层厚度为2μm左右,键合强度约1.5 MPa;金属Ni键合层厚度为1μm,键合强度约为0.5 MPa.(本文来源于《纳米技术与精密工程》期刊2014年04期）
钟小刚,李莉[7]（2014）在《高温存储下铜线键合焊点分析》一文中研究指出采用铜引线键合工艺生产的电子元器件在服役中会产生热,引起引线与金属化焊盘界面出现IMC(intermetallic compound,金属间化合物)。IMC的生长和分布将影响键合点的可靠性,严重时会出现"脱键",导致元器件失效。研究了焊点在服役过程中的演化,选取铜线键合产品SOT-23为试验样品,分析了在高温存储试验环境下焊点键合界面IMC的生长及微观结构变化情况。(本文来源于《电子与封装》期刊2014年06期）
杭春进,田艳红,王春青,赵九蓬[8]（2013）在《细径铜丝超声键合焊点高温存储可靠性分析》一文中研究指出对塑封后的20μm细径铜丝超声键合焊点进行了高温存储可靠性研究.采用SEM观察了老化后键合焊点界面微观组织及金属间化合物,采用EDS对反应物的成分进行了分析.结果表明,200℃老化9天或250℃老化9 h,键合焊点界面生成了大量Cu-Al金属间化合物,并出现可见的微裂纹和Kirkendall孔洞;250℃老化16 h后,环氧塑封料中微量的Sb元素与铜球焊点发生反应,生成以Cu3Sb为主的反应物;当老化时间超过49 h,铜丝破碎,铜键合焊点产生严重腐蚀.250℃老化超过24 h或300℃老化超过4 h会发生银迁移现象.(本文来源于《焊接学报》期刊2013年02期）
杨建生[9]（2013）在《高温老化期间引线键合空洞形成探讨》一文中研究指出在金-铝金属间化合物相中形成的空洞,降低了把金丝与焊盘键合的长期可靠性。文中通过一系列微结构研究来评定引线键合中空洞的形成。把形成的空洞分为初始、环形和极小叁种类型。形成初始空洞的主要原因是探测标记和铝焊盘污染,初始空洞阻碍合金扩散并使金属间化合物生长减缓。环形空洞是由热超声引线键合的超声挤榨作用造成的,这些压焊缝隙可能导致会腐蚀并降低引线键合的一类卤化物的形成。极小的空洞是在Au4Al相阶段形成的。由于不同Au4Al相形成的反应,或与金球表层上晶粒界面影响的关系,在这些空洞中会出现两种Au4Al相的纹理。(本文来源于《电子与封装》期刊2013年01期）
杨建生[10]（2012）在《高温老化期间引线键合空洞形成探讨》一文中研究指出在金-铝金属间化合物相中形成的空洞,降低了把金丝与焊盘键合的长期可靠性。在该文中,通过一系列微结构研究来评定引线键合中空洞的形成。把形成的空洞分为初始、环形和极小叁种类型。形成初始空洞的主要原因是探测标记和铝焊盘污染,初始空洞阻碍合金扩散并使金属间化合物生长减缓。环形空洞是由热超声引线键合的超声挤榨作用造成的,这些压焊缝隙可能成为腐蚀并降低引线键合的一类卤化物形成的途径。极小的空洞是在Au4Al相阶段形成的。由于不同Au4Al相形成的反应,或与金球表层上晶粒界面影响的关系,在这些空洞中会出现两种Au4Al相的纹理。(本文来源于《电子质量》期刊2012年09期）
高温键合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对塑封器件键合铜线在高温环境下的贮存可靠性问题,进行铜线键合塑封器件的高温贮存试验。对经过高温贮存后的塑封器件进行无损开封,分析了高温贮存对铜键合线的拉伸强度和第一键合点剪切强度的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)观察Cu/Al键合界面形貌及金属间化合物(IMC)的生长,采用X射线能谱仪(EDS)对IMC进行成分分析。研究结果表明,塑封器件Cu/Al键合界面在150℃贮存环境下IMC生成较少,EDS无法准确分析其成分,175℃和200℃贮存环境下生成的IMC包括Cu_3Al_2,Cu_9Al_4,CuAl和CuAl_2,且器件在200℃贮存28天后键合界面产生裂纹。随贮存时间的增加,键合铜线的拉伸强度逐渐减小,剪切强度先增加后急剧减小,且Cu/Al IMC的生长行为和成分特点符合试验过程中键合铜线键合强度的变化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高温键合论文参考文献
[1].齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷.圆片级迭层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用[J].传感器与微系统.2019
[2].高成,张芮,黄姣英.高温下塑封器件键合铜线的可靠性[J].半导体技术.2018
[3].蒋静.氨茴内酐在高温下的反应及二砜亚甲基介导的烯键合成研究[D].苏州大学.2017
[4].曹军,范俊玲,尚显光,刘志强.高温高湿环境对键合Cu线可靠性影响的研究[J].机械工程学报.2016
[5].王亚彬,王晓光,郑丽,王成杨,宋尔冬.基于外部激活表面高温状态下的硅-硅键合[J].微纳电子技术.2015
[6].张德远,赵一举,蒋永刚.面向超高温压力传感器的SiC-SiC键合方法[J].纳米技术与精密工程.2014
[7].钟小刚,李莉.高温存储下铜线键合焊点分析[J].电子与封装.2014
[8].杭春进,田艳红,王春青,赵九蓬.细径铜丝超声键合焊点高温存储可靠性分析[J].焊接学报.2013
[9].杨建生.高温老化期间引线键合空洞形成探讨[J].电子与封装.2013
[10].杨建生.高温老化期间引线键合空洞形成探讨[J].电子质量.2012