导读:本文包含了二次刻蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电化学传感器,激光刻蚀,聚酰亚胺,Cu_xO复合材料
二次刻蚀论文文献综述
戴琬琳,鲁志伟,叶建山[1]（2019）在《二次刻蚀聚酰亚胺负载Cu_xO纳米复合物薄膜电极用于葡萄糖的快速测定（英文）》一文中研究指出本文采用激光刻蚀聚酰亚胺薄膜为载体,浸泡吸附铜离子后经过二次刻蚀还原得到含有Cu(0)、Cu(Ⅰ)和Cu(Ⅱ)的纳米复合物薄膜电极(SLEPI/Cu_xO-FE).通过表征可知,SLEPI/Cu_xO-FE具有大比表面积、丰富的活性位点以及良好的电催化性能.实验结果表明,该电极对葡萄糖具有良好的电化学响应,并具有较好的稳定性和重现性,有望应用于葡萄糖的低成本检测.(本文来源于《电化学》期刊2019年02期）
王丹,叶鸣,冯鹏,贺永宁,崔万照[2]（2019）在《激光刻蚀对镀金表面二次电子发射的有效抑制》一文中研究指出使用红外激光刻蚀技术在镀金铝合金表面制备了多种形貌的微孔及交错沟槽阵列.表征了两类激光刻蚀微阵列结构的叁维形貌和二维精细形貌,分析了样品表面非理想二级粗糙结构的形成机制.研究了微阵列结构二次电子发射特性对表面形貌的依赖规律.实验结果表明:激光刻蚀得到的微阵列结构能够有效抑制镀金表面二次电子产额(secondary electron yield,SEY),且抑制能力明显优于诸多其他表面处理技术;微阵列结构对SEY的抑制能力与其孔隙率及深宽比呈现正相关,且孔隙率对SEY的影响更为显着.使用蒙特卡罗模拟方法并结合二次电子发射唯象模型和电子轨迹追踪算法,仿真了各微结构表面二次电子发射特性,模拟结果从理论上验证了微阵列结构孔隙率及深宽比对表面SEY的影响规律.本文获得了能够剧烈降低镀金表面SEY的微阵列结构,理论分析了SEY对微结构特征参数的依赖规律,对开发空间微波系统中低SEY表面及提高镀金微波器件性能有重要意义.(本文来源于《物理学报》期刊2019年06期）
王丹,贺永宁,叶鸣[3]（2018）在《一种激光刻蚀降低二次电子产额的方法》一文中研究指出空间大功率微波器件受空间环境因素的影响,易于发生微放电效应导致器件性能退化甚至失效。二次电子产额(Secondary Electron Yield,SEY)大于1是诱导空间材料表面微放电效应发生的根本条件之一。在材料表面制备微纳结构能有效抑制SEY,从而降低器件在空间环境中发生微放电的风险。激光加工可操作性强、灵活度高,可用于构建材料表面微米结构。本文使用1064 nm红外激光器在铝合金镀银样品表面制备单元尺寸为百微米的圆孔阵列和沟槽阵列,使用磁控溅射在样品表面分别覆盖200 nm银和72 nm铁氧体。SEY测试结果表明,银表面δmax(SEY峰值)从1.932降至0.868,铁氧体表面δmax从2.672降至1.312。实验证明激光加工制备的微米结构能大幅降低材料表面SEY,从而有效降低材料表面发生微放电的风险。(本文来源于《空间电子技术》期刊2018年03期）
郑毅[4]（2010）在《基于微观层流控制技术的微流道内二次流动刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文针对化学萃取和生物薄膜淀积中常用的“Y-sensor”结构,从流体控制的角度对微流道内两相层流的交界面位置和分子扩散程度与入口流动参数的关系进行了定量研究。建立了微尺度多数层流的数值模型,并且通过可视化实验验证了模型的正确性。我们采用实验和仿真的手段,对“Y-sensor”内压力驱动的两束层流的交界面位置以及不同组分分子扩散现象进行了定量研究。在保持其中一个入口的流量为20ml/h,另一个入口的流量分别为2ml/h、4ml/h、8ml/h,12ml/h、16ml/h、20ml/h的情况下对交界面位置进行了实验和数值仿真。在两个入口的流量均为2ml/h的条件下,对交界面分子扩散距离进行了数值仿真;并且利用可视化实验验证了仿真结果。结果表明:“Y-sensor”中两束流体流束宽度之比基本与流量之比相等;两束层流交界面分子扩散距离与下游位移成1/3次方的关系。在微尺度流动理论研究的基础上提出了一种新型的利用微尺度下流体分层流动特性的微流道内二次流动刻蚀的成型方法。此方法的原理是,向已经成型的微流道中间隔通入隔离剂和刻蚀剂并保持层流流态,刻蚀剂可以在微流道的壁面处与基底材料发生反应实现刻蚀,隔离剂则起到保护基底材料表面不被刻蚀,控制刻蚀剂与隔离剂的流动参数即可实现在已有微流道内的高深宽比二次刻蚀。此方法的优点是可以在不使用光刻技术的前提下实现微流道内部或各向同性基底材料表面的高深宽比结构刻蚀成型,并可通过改变刻蚀剂与隔离剂的流动参数实现对二次微结构形貌的控制。本文以玻璃为基底材料通过大量工艺实验研究了流动参数对深宽比、侧壁形状、刻蚀速率的影响,重点分析了二次刻蚀成型微结构的形貌与流动速率的关系,并提出了动态调整刻蚀剂与隔离剂的流速比的控制方法以得到高深宽比及高侧壁垂直度的刻蚀结构。约束流动刻蚀技术不仅克服了传统湿法刻蚀技术在各项同性材料中的不足而且在很大程度上减少了对复杂昂贵设备的依赖。(本文来源于《浙江大学》期刊2010-01-01）
张建民,仲永安,同悦昌[5]（1989）在《离子束刻蚀过程中的二次作用——溅出靶原子的重新淀积》一文中研究指出离子束刻蚀是近年来发展起来的微细加工工艺。由于它的超精细加工能力等特点,已在微电子技术、光子技术,表面科学、应用声学、材料科学和真空技术等领域中得到广泛的应用。本文采用的束流密度为0.5(mA·cm~(-2)),能量分别为600eV 和1100eV 垂直入射的氩离子束对半导体单晶硅片(111)面上宽度分别为200、80,30、10、8(μm)的沟槽进行刻蚀,用扫描电子显微镜拍摄记录不同时刻的沟槽台阶形貌。考虑到溅出的靶原子在空间的各种不同分布,建立了重新淀积理论,并对实验结果作了完满的解释。(本文来源于《表面技术》期刊1989年02期）
二次刻蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
使用红外激光刻蚀技术在镀金铝合金表面制备了多种形貌的微孔及交错沟槽阵列.表征了两类激光刻蚀微阵列结构的叁维形貌和二维精细形貌,分析了样品表面非理想二级粗糙结构的形成机制.研究了微阵列结构二次电子发射特性对表面形貌的依赖规律.实验结果表明:激光刻蚀得到的微阵列结构能够有效抑制镀金表面二次电子产额(secondary electron yield,SEY),且抑制能力明显优于诸多其他表面处理技术;微阵列结构对SEY的抑制能力与其孔隙率及深宽比呈现正相关,且孔隙率对SEY的影响更为显着.使用蒙特卡罗模拟方法并结合二次电子发射唯象模型和电子轨迹追踪算法,仿真了各微结构表面二次电子发射特性,模拟结果从理论上验证了微阵列结构孔隙率及深宽比对表面SEY的影响规律.本文获得了能够剧烈降低镀金表面SEY的微阵列结构,理论分析了SEY对微结构特征参数的依赖规律,对开发空间微波系统中低SEY表面及提高镀金微波器件性能有重要意义.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
二次刻蚀论文参考文献
[1].戴琬琳,鲁志伟,叶建山.二次刻蚀聚酰亚胺负载Cu_xO纳米复合物薄膜电极用于葡萄糖的快速测定（英文）[J].电化学.2019
[2].王丹,叶鸣,冯鹏,贺永宁,崔万照.激光刻蚀对镀金表面二次电子发射的有效抑制[J].物理学报.2019
[3].王丹,贺永宁,叶鸣.一种激光刻蚀降低二次电子产额的方法[J].空间电子技术.2018
[4].郑毅.基于微观层流控制技术的微流道内二次流动刻蚀工艺研究[D].浙江大学.2010
[5].张建民,仲永安,同悦昌.离子束刻蚀过程中的二次作用——溅出靶原子的重新淀积[J].表面技术.1989