导读:本文包含了辐射谱论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:脉冲星,射电辐射,辐射束,谱指数
辐射谱论文文献综述
陈绮惠,陈建玲,王洪光[1]（2019）在《关于脉冲星射电辐射谱致陡的几何效应观测检验》一文中研究指出Kramer曾提出当观测者视线扫过脉冲星辐射束的部位越靠近边缘,观测到的射电辐射谱会比内禀的谱更陡的几何效应。本文收集了78颗同时具有磁倾角、碰撞角、脉冲轮廓宽度—频率演化关系和射电辐射谱指数的脉冲星,计算了碰撞角相对于辐射束宽度的比例,以表征视线靠近辐射束边缘的程度。研究了谱指数对碰撞角相对于辐射束宽度比值的分布,没有发现统计上的相关性,且结果不受轮廓宽度随频率演化因素的影响,因而从统计上排除了这种辐射谱致陡的几何效应。(本文来源于《湖南文理学院学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
余桂洲[2]（2019）在《整体单极黑洞量子隧穿辐射谱的具体表达式》一文中研究指出黑洞量子隧穿辐射谱的研究是近些年的一个热点。目前主流方法是用Parikh和Wilczek的半经典模型来处理,所得的到的辐射谱满足幺正性原理,支持了信息守恒的观点。但这种方法得到的结果是一个关于黑洞熵变的指数函数的正比式子,并不是一个具体的辐射谱。而在研究整体单极黑洞的量子隧穿辐射谱时,同样也是只得到了一个正比的关系式。本文先对Hawking辐射,黑洞熵,Parikh-Wilczek隧穿辐射谱做简要的回顾,然后介绍黑洞正则系综模型以及整体单极黑洞的一些性质。研究黑洞量子隧穿辐射谱的思路是将整体单极黑洞及其壳层当作热力学系统处理,用已有的黑洞正则系综模型计算整体单极黑洞出射壳层系统的配分函数,得到壳层系统的概率分布函数。本文由此得出量子隧穿辐射谱的具体表达式。(本文来源于《广州大学》期刊2019-05-01）
余桂洲,张靖仪[3]（2019）在《整体单极黑洞量子隧穿辐射谱的具体表达式》一文中研究指出对于整体单极黑洞的量子隧穿辐射谱的研究,以往的文献只给出了一个与黑洞熵变的指数函数成正比的关系式。本文用正则系综模型方法,通过计算整体单极黑洞辐射球壳系统的配分函数,给出了量子隧穿辐射谱的具体表达式。(本文来源于《湖南文理学院学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
胥燕[4]（2019）在《同步辐射谱学对镁硫电池机理研究及催化改善镁硫电池性能》一文中研究指出镁硫二次电池具有能量密度高、安全性好、成本低等优点而成为最具潜力的新型储能体系。虽然很多课题组对镁硫电池性能提升做出了很多改进,但它的发展非常缓慢,至今仍然处于初级研究阶段。其中一个重要的原因是现阶段人们对于镁硫电池的反应机理还缺乏清晰的科学认识,因而无法提出有效的改进方法。本文采用原位X射线吸收光谱方法,在Mg(diglyme)2[HMDSAlC13]2电解液系统中,研究了镁硫电池衰减机理。根据我们提出的镁硫电池衰减机理,提出了有效的提升镁硫电池性能的一系列策略。具体开展了以下四部分研究工作:(1)制备单核电解液Mg(diglyme)2[HMDSAlC13]2。单核电解液相比于传统的双核电解液具有离子电导率高的特点。然而在常规含有C1的电解液中,因为C1强配位能力,容易通过桥连氯的形式与Mg2+配位形成双核电解液,造成电解液离子电导率低,电解液极化电极电势大等缺陷。本章研究内容采用溶剂预保护的方法,将Mg2+先用二乙二醇二甲醚通过配位的形式保护起来,再与AlC13反应,避免AlC13与Mg2+接触生成桥连氯。用此方法制备出的单核电解液具有极化电极电势小,循环稳定性好,电化学窗口高等特点。将此电解液应用在镁硫电池中,镁硫电池表现出很好的循环性能。(2)采用原位X射线吸收光谱研究镁硫电池衰减机理。镁硫电池虽然具有理论容量高,安全性能高等特点,但是对于镁硫电池的反应机理了解还很少,尤其对于镁硫电池的衰减机制缺乏了解,造成镁硫电池的发展非常缓慢。本章采用原位X射线吸收谱研究镁硫电池反应机理,研究发现镁硫电池第一圈放电过程可以分为叁个阶段:第一阶段,生成高阶多硫化物(如:MgS8和MgS4),这一阶段的反应动力学比较快;第二阶段,高阶多硫化物还原成Mg3S8;第叁阶段,Mg3S8还原成MgS,这个阶段的反应过程特别的缓慢。原位XAS实验证实:在第一圈生成的不可逆产物MgS和Mg3S8是造成镁硫电池衰减快的原因。根据以上研究结果我们采用TiS2修饰电池隔膜来削弱Mg-S键能,活化MgS和Mg3S8,提高电池的可逆循环。(3)在电解液中添加YC13添加剂提升镁硫电池循环性能。根据原位X射线吸收谱研究镁硫电池的衰减机理的实验,我们得出结论:MgS和Mg3S8是造成镁硫电池衰减快的根本原因。在这个工作中,我们首次提出在电解液中添加YC13添加剂来提高MgS和Mg3S8的可逆性。因稀土氯化物具有丰富的f轨道而被广泛用于催化反应,YC13又同时具有除水和沉积电极电势低等优势而被选择作为镁硫电池电解液添加剂。添加了YC13的电解液应用于镁硫电池表现出很好的循环稳定性。(4)采用Ag和Cu集流体替代热解石墨集流体提升Mg/S电池循环性能。此工作是提高MgS和Mg3S8的可逆性的又一有效策略。在Mg/S电池中,热解石墨通常被用作集流体,热解石墨仅作为一个电子传导体,不具有催化作用,所以以热解石墨为集流体的镁硫电池常常具有循环稳定性差、容量衰减快等特点。我们以Ag和Cu具有催化活性的集流体代替热解石墨集流体。当Ag和Cu集流体应用于镁硫电池中,镁硫电池表现出放电容量高、循环稳定性好的特点,尤其是Ag集流体。同时,我们采用原位和非原位的XRD、非原位的XPS、非原位的XAS等技术研究以Ag和Cu做集流体时镁硫电池反应机理。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-03-10）
岱钦,李漫,王兴,李业秋,乌日娜[5]（2018）在《梳状电极胆甾相液晶激光器的激光辐射谱》一文中研究指出设计制作了梳状电极染料掺杂胆甾相液晶激光器件,研究了外加电压下的激光辐射谱。器件的下基板ITO电极刻蚀成梳状条形电极,电极宽度约2 mm,相邻电极间距分别约为1,3,5 mm。上基板无ITO电极。上下基板取向膜平行摩擦取向处理,使胆甾相液晶平面态排列。以532 nm的Nd:YAG激光器作为泵浦光源,测量器件激光辐射谱。改变外加电压0~100 V,3个区域均出现了多模输出。在1 mm电极间距区域,可获得633.65~621.52 nm(12 nm)和683.15~664.35 nm(18 nm)的可调谐波长范围;在电极间距3,5 mm区域,辐射激光波长变化微小。在外加电压作用下,液晶分子均匀的螺旋周期排列受到扰动,液晶分子层螺旋轴倾斜,各个液晶畴的螺旋轴取向不一致,使有效螺距值缩短并有所浮动,引起出射激光波长蓝移和多模输出。利用光子态密度理论数值模拟了激光辐射谱。当有效螺距为倾斜角的函数时,随着倾斜角增大出射激光波长蓝移。(本文来源于《发光学报》期刊2018年09期）
董向成,袁萍[6]（2018）在《连续辐射谱法计算闪电通道电子温度》一文中研究指出基于连续辐射理论,得到连续辐射能量与等离子体电子温度的关系式。依据青海地区一次强地闪回击过程的光谱,从中分离出连续辐射强度,对其吸收特征进行分析以减小吸收带来的计算误差。通过对连续谱强度的曲线拟合得到闪电放电通道电子温度,温度峰值为29 800K,温度下限为16 200K,由同一波段光谱中的OⅠ线和NⅡ线分别拟合了电子温度。比较结果发现:由连续辐射得到的闪电通道电子温度从高温向低温过渡,高温值与离子线信息获得的闪电核心电流通道处的温度符合较好,而低温则与原子线计算的结果接近,反映了外围电晕发光通道的温度。所以,依据连续谱得到的结果能更全面地反映温度沿通道径向的分布。对于闪电热等离子体通道,连续谱法提供了一种计算闪电放电通道电子温度的新途径,对地闪回击研究有一定的意义。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2018年04期）
汪建元,林光杨,王佳琪,李成[7]（2017）在《简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟》一文中研究指出基于费米狄拉克模型模拟了应变、温度以及掺杂对简并态锗的直接带自发辐射谱的影响.随着温度升高,更多的电子被激发到导带中,使得锗自发辐射谱的峰值强度和积分强度随温度的升高而增大.对自发辐射谱峰值强度的m因子进行计算,结果表明张应变可以显着提高锗自发辐射的温度稳定性.在相同应变水平下,由Γ-hh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度大于Γ-lh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度,但二者的积分强度几乎相等.此外,计算结果还证明了n型掺杂能显着提高锗的自发辐射强度.以上结果对于研究简并态半导体的自发辐射性质有重要的参考意义.(本文来源于《物理学报》期刊2017年15期）
张萍[8]（2017）在《基于半导体相干介质中的自发辐射谱的研究》一文中研究指出在耦合量子阱中,我们研究自发辐射光谱的性能,它们呈现了一些有趣的物理现象。这些物理现象归咎于量子干涉中的通道之间的竞争。半导体量子阱的提出使目前工作更简单,并且那些期待的物理现象如谱线变窄、谱线增强、激光无反转光放大等都可能被实验做出。本论文我们主要设定了两个不同的半导体量子阱的模型以此来研究光与介质相互作用产生的自发辐射谱。首先我们分析了在Λ型三能级半导体量子阱中研究外加驱动场的频率失谐和场强度的变化对自发辐射谱的影响,运用概率幅方法求解出解析式,代入指定的参数,并且对表达式进行分析,不仅从理论上知道产生荧光猝灭的原因等,而且通过用matlab画图,经过参数调节,从结果我们能看到一些有趣的物理现象如极窄谱线和荧光猝灭点的出现,谱线加强等等,也同时验证了量子干涉现象的存在。接下来我们研究了Y型五能级的半导体量子阱中的自发辐射谱的现象,依旧是出现有趣谱线,我们发现驱动场的频率失谐可以改变猝灭点的位置和谱线的强度,出现这些现象的原因归咎于量子干涉之间的跃迁通道的竞争问题,而缀饰态的分析很好的解释了谱线产生的原因。另一方面场的强度则改变了谱线波峰之间的距离,最后我们也分析了初始概率对谱线的影响。综上我们发现在量子阱中研究自发辐射谱会更加容易得到结果,并且可以很好的控制量子阱子带和导带之间的跃迁或者子带内的跃迁。在半导体中研究光谱现象更加方便了理论上的研究,我们可以人为的设定所需要的能级,因此它比原子系统更有实用价值。(本文来源于《华东交通大学》期刊2017-06-30）
刘志勇,陈海燕[9]（2017）在《InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱的解析函数》一文中研究指出利用洛伦兹线型函数、高斯线型函数和Sech线型函数对InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱进行拟合,采用莱文贝格-马夸特算法,得到上述叁种函数的解析表达式.研究结果表明:高斯线型光谱拟合函数的中心波长为1548.651nm,谱线半极大全宽度为61.42 nm,功率补偿为0.00212 mW,拟合优度为0.99191,残差平方和为2.26505×10~(-6).高斯线型拟合的拟合优度最大,残差平方和最小,且各数据点的残差值分布在±0.0001之间,分布比较均匀.高斯线型函数具有较高拟合度.(本文来源于《物理学报》期刊2017年13期）
张萍,陈爱喜[10]（2016）在《外场失谐和拉比频率的改变对叁能级原子自发辐射谱的研究》一文中研究指出本文是建立一个叁能级原子模型,在外界加入一个光场和一个真空场,利用重要的光与原子相互作用的半经典理论,全量子理论和缀饰态理论等的理论基础计算不同参数作用下的波函数和本征方程,进而写出辐射谱的解析表达式,利用matlab绘图软件进行数值模拟改变不同的参量绘制出不同的荧光谱线,深入地研究存在外场作用的叁能级原子的自发辐射特性,该模型中改变外加光场的拉比频率Ω0和光与原子能级间的失谐量Δ可以实现对自发辐射谱线有效地调控,由自发辐射谱线出现的加强和猝灭等谱线变化特征,并且有效分析它们是如何影响自发辐射谱特性的,其在光谱分析实验中有潜在应用价值。本篇文章的研究可以更好的服务于更复杂的模型的研究。(本文来源于《宜春学院学报》期刊2016年12期）
辐射谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
黑洞量子隧穿辐射谱的研究是近些年的一个热点。目前主流方法是用Parikh和Wilczek的半经典模型来处理,所得的到的辐射谱满足幺正性原理,支持了信息守恒的观点。但这种方法得到的结果是一个关于黑洞熵变的指数函数的正比式子,并不是一个具体的辐射谱。而在研究整体单极黑洞的量子隧穿辐射谱时,同样也是只得到了一个正比的关系式。本文先对Hawking辐射,黑洞熵,Parikh-Wilczek隧穿辐射谱做简要的回顾,然后介绍黑洞正则系综模型以及整体单极黑洞的一些性质。研究黑洞量子隧穿辐射谱的思路是将整体单极黑洞及其壳层当作热力学系统处理,用已有的黑洞正则系综模型计算整体单极黑洞出射壳层系统的配分函数,得到壳层系统的概率分布函数。本文由此得出量子隧穿辐射谱的具体表达式。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
辐射谱论文参考文献
[1].陈绮惠,陈建玲,王洪光.关于脉冲星射电辐射谱致陡的几何效应观测检验[J].湖南文理学院学报(自然科学版).2019
[2].余桂洲.整体单极黑洞量子隧穿辐射谱的具体表达式[D].广州大学.2019
[3].余桂洲,张靖仪.整体单极黑洞量子隧穿辐射谱的具体表达式[J].湖南文理学院学报(自然科学版).2019
[4].胥燕.同步辐射谱学对镁硫电池机理研究及催化改善镁硫电池性能[D].中国科学技术大学.2019
[5].岱钦,李漫,王兴,李业秋,乌日娜.梳状电极胆甾相液晶激光器的激光辐射谱[J].发光学报.2018
[6].董向成,袁萍.连续辐射谱法计算闪电通道电子温度[J].光谱学与光谱分析.2018
[7].汪建元,林光杨,王佳琪,李成.简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟[J].物理学报.2017
[8].张萍.基于半导体相干介质中的自发辐射谱的研究[D].华东交通大学.2017
[9].刘志勇,陈海燕.InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱的解析函数[J].物理学报.2017
[10].张萍,陈爱喜.外场失谐和拉比频率的改变对叁能级原子自发辐射谱的研究[J].宜春学院学报.2016