导读:本文包含了杂质带论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:阻挡杂质带,暗电流,远红外,太赫兹
杂质带论文文献综述
廖开升,李志锋,王超,李梁,周孝好[1]（2016）在《用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制》一文中研究指出提出了全外延技术方案制备阻挡杂质带薄膜,避免了离子注入制备背电极层影响外延薄膜质量的技术难点.基于硅器件工艺设计制作了Si:P阻挡杂质带红外探测器.测量了器件的光电流响应谱和暗电流特性曲线,指认了迭加在光电流响应谱上的尖锐杂质峰对应阻挡层中磷原子的杂质跃迁.研究了器件在低温下小偏压范围内的暗电流起源.通过对计算结果分析,排除了该区域暗电流起源于热激发电导和跳跃式电导的可能,指出暗电流来自器件对冷屏的光电响应.器件工作温度5 K,工作偏压1.6 V时,响应波段覆盖2.5~40μm,峰值波长28.8μm,峰值响应率20.1 A/W,峰值探测率3.7×1013cm·Hz1/2/W(背景光子通量低于1013ph/cm2·s).(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2016年01期）
廖开升,李志锋,李梁,王超,周孝好[2]（2015）在《阻挡杂质带红外探测器中的界面势垒效应》一文中研究指出通过变温暗电流和变偏压光电流谱实验对阻挡杂质带红外探测器的跃迁机理和输运特性进行了研究.结合器件能带结构计算的结果,证明了在阻挡杂质带红外探测器中主要由导带底下移效应引起的界面势垒的存在.提出了阻挡杂质带红外探测器的双激发工作模型,并从变偏压光电流谱中成功地分离出了与这两种物理过程所对应的光谱峰,进一步证实了器件的能带结构.研究了界面势垒效应对阻挡杂质带红外探测器的光电流谱、响应率和内量子效率的影响.研究表明,考虑进界面势垒效应,计算得到的器件响应率与实验值符合得很好.同时发现阻挡杂质带红外探测器中内建电场的存在等效降低了发生碰撞电离增益所需的临界电场强度.(本文来源于《物理学报》期刊2015年22期）
廖开升[3]（2015）在《硅基阻挡杂质带红外探测器研制及其光电特性研究》一文中研究指出红外探测技术在信息技术应用领域中正扮演着愈来愈重要的角色,而红外探测器技术又在红外探测技术中居于核心地位。阻挡杂质带红外探测器,具有覆盖波段宽、灵敏度高、响应速度快以及抗辐射性能高等优点,是红外天文应用中探测波长λ>5 μm的首选红外探测器。对这一探测器的研究将在很大程度上推动我国长波红外探测器技术的发展。本论文工作围绕阻挡杂质带红外探测器的制备及其性能提升,从理论和实验两个方面研究了器件的探测机理、光电特性和特征参数对器件性能的影响,为我国在λ>20 μm波段红外探测器的发展提供基本的实验数据和优化设计的经验及模型。1.基于器件的真实结构参数建立了实用的阻挡杂质带红外探测器物理模型。对器件中载流子分布、电场分布及包括响应率、噪声和探测率等在内的器件关键性能指标进行了研究。定量分析了材料特征参数对器件性能的影响。研究结果可用于进一步指导阻挡杂质带红外探测器的设计与优化。2.通过选择性离子注入制备了横向结构的Si：P阻挡杂质带红外探测器,器件工作温度5.5 K,工作偏压1.0 V时,响应波段覆盖2.5～40 pm,峰值波长27.3 pm,黑体响应率41.2 mA/W,峰值响应率0.8 A/W,黑体探测率7.6×109cm·Hz1/2·W-1。通过标准黑体响应的测试获得了器件的响应率,发现低温小偏压下器件呈线性黑体响应。暗电流测试研究表明,由于阻挡层的引入,正偏下暗电流得到良好抑制,暗电流密度低于104 A/cm2。通过傅立叶光谱仪对器件的光电流谱进行测试,指认了光电流谱的多峰和声子吸收结构。3.通过全外延技术路线制备了外延型阻挡杂质带红外探测器,器件工作温度5.0 K,工作偏压1.6 V时,响应波段覆盖2.5～40 pm,峰值波长27.5 pm,峰值响应率20.1 A/W,峰值探测率5.3×1013 cm·Hz1/2·W-1(背景光子通量低于1013 ph·cm-2·s-1),室温背景辐射下峰值探测率5.2×1011 cm·Hz1/2.W-1。研究了低温下(T<16 K)器件工作偏压范围内的暗电流起源。通过对计算结果分析,排除了该区域暗电流起源于热激发电导和跳跃式电导的可能,指出暗电流来自器件对冷屏的光电响应,器件属背景限探测。提出了一种基于暗场下,-V曲线的击穿电压提取补偿杂质浓度的方法。4.通过测量和分析阻挡杂质带红外探测器的变温暗电流曲线及光电流响应谱,并结合器件能带结构的计算结果,证明了在器件阻挡层与吸收层界面处界面势垒的存在。在界面势垒的基础上,提出了阻挡杂质带红外探测器的双激发工作模式,即光生载流子直接越过界面势垒被电极收集的基本模式,和光生载流子先热弛豫到导带底然后通过隧穿或热离化的方式逃逸出界面势垒被电极收集的拓展模式。该模型很好地解释了光电流响应谱随工作偏压增大向长波方向拓展的光谱特性,揭示了在阻挡杂质带红外探测器中拓展模式对于进一步拓展探测器探测波长的可行性。阐明了双激发模型中拓展模式的输运特性,包括隧穿特性和热离化特性。计算并讨论了界面势垒效应对器件量子效率,响应率与探测率的影响。研究结果表面,引入界面势垒效应之后,理论计算的峰值响应率与实验结果符合得很好。研究结果为更加深入地理解阻挡杂质带红外探测器工作原理及后续器件优化提供了理论依据和指导方案。(本文来源于《中国科学院研究生院(上海技术物理研究所)》期刊2015-04-01）
廖开升,刘希辉,黄亮,李志锋,李宁[4]（2014）在《天文用阻挡杂质带红外探测器》一文中研究指出低温目标红外辐射的灵敏探测和成像在航天和深空探测中具有重要的应用价值.300 K以下低温目标的辐射强度很弱,辐射特征波长位于中远红外区.阻挡杂质带红外探测器是中远红外探测器中重要的一员,具有覆盖波段宽、灵敏度高、暗电流低、抗辐射性能高等优点,能够胜任空间技术和天文探测在中远红外波段探测的苛刻要求.本文以红外天文探测对红外探测器的应用需求作为出发点,主要就国内外红外天文学、红外天文探测器发展概况,阻挡杂质带红外探测器发展历史及其材料、器件结构等方面做了简要综述,并简明扼要地介绍了阻挡杂质带探测器的器件物理模型.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2014年04期）
马志华,薛春来,左玉华[5]（2010）在《杂质带太阳能电池研究》一文中研究指出能源危机和环保的要求使得高效太阳能电池的研究成为各国科技工作者关注的焦点。杂质带太阳能电池由于具有简单的结构和理论上的高转换效率,也日益成为研究人员关注的重点。杂质带太阳能电池的成本优势使其具有广阔的发展前景。本文介绍了杂质掺杂太阳能电池的基本原理、发展历程以及应用前景。(本文来源于《中国集成电路》期刊2010年01期）
陈淑文,胡萍,于天宝,廖清华,黄永箴[6]（2009）在《基于杂质带的光子晶体矩形波形滤波器的实现》一文中研究指出利用转移矩阵方法对基于杂质带的光子晶体矩形波形滤波器的实现进行了研究.除了可选择不同折射率的材料外,该滤波器还可通过调整光子晶体本身的结构参量来实现.对较平杂质带的形成机制做了具体的理论分析和解释,通过数值计算光子晶体原子耦合成光子晶体分子的过程,发现光子晶体原子的线宽与光子晶体分子线宽之间的相对大小是决定能否形成较平杂质带的重要参量.(本文来源于《光子学报》期刊2009年10期）
安丽萍,刘念华[7]（2009）在《含负折射率缺陷的一维光子晶体的杂质带》一文中研究指出利用传输矩阵方法研究了含负折射率缺陷的一维光子晶体的透射谱.以19个周期的1/4波堆存在3个负折射率缺陷的光子晶体为例进行了数值计算.结果表明:如果改变缺陷的折射率,缺陷模之间的耦合作用将发生改变,带隙中形成的杂质带也随之改变;当这个折射率取适当值时,在禁带中出现多个尖锐的透射峰,与正折射率缺陷构成的杂质带不同.(本文来源于《光子学报》期刊2009年02期）
董海霞,江海涛,杨成全,石云龙[8]（2006）在《含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的杂质带特性》一文中研究指出利用转移矩阵方法研究了含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的透射谱.计算结果表明,如果改变缺陷的折射率,缺陷模之间的耦合作用将发生改变,使得能隙中的杂质带也随之改变.若这个折射率取适当值,则可以在禁带中同时出现几个尖锐的透射峰和较宽的通带,这种结构可同时用于多通道窄带滤波和宽带滤波.(本文来源于《物理学报》期刊2006年06期）
安丽萍,刘念华[9]（2003）在《一维光子晶体中多缺陷耦合导致的杂质带》一文中研究指出利用传输矩阵方法研究了包含多个周期性分布的缺陷的一维光子晶体的透射谱 以 33个周期的 1/ 4波堆存在 5个缺陷的光子晶体为例作了数值计算 结果表明 ,在周期性光子晶体中加入多个缺陷时 ,将在截止带中产生多个缺陷模 这些缺陷模构成的杂质能带依赖于缺陷在晶体中的分布 当缺陷密集时 ,缺陷模耦合较强 ,杂质带中透射峰相距较远 ,它们对应禁带中许多分立定域的杂质能级 ;当缺陷稀疏时 ,缺陷模耦合较弱 ,透射峰相距较近 ,分立的杂质能级趋于简并 ,由此形成一个很窄的通带(本文来源于《光子学报》期刊2003年09期）
梁勇,郑国珍,汤定元[10]（1987）在《零禁带Hg_(1-x)Cd_xTe受主杂质带导电》一文中研究指出在不同磁场下,研究零禁带Hg_(1-x)Cd_xTe的迁移率-温度曲线中的反常A_1,A_2.几方面的实验证明:A_1,A_2是由位于导带中的受主杂质浓度足够大形成杂质带所引起的,其中A_1起源于汞空位.(本文来源于《中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学)》期刊1987年06期）
杂质带论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过变温暗电流和变偏压光电流谱实验对阻挡杂质带红外探测器的跃迁机理和输运特性进行了研究.结合器件能带结构计算的结果,证明了在阻挡杂质带红外探测器中主要由导带底下移效应引起的界面势垒的存在.提出了阻挡杂质带红外探测器的双激发工作模型,并从变偏压光电流谱中成功地分离出了与这两种物理过程所对应的光谱峰,进一步证实了器件的能带结构.研究了界面势垒效应对阻挡杂质带红外探测器的光电流谱、响应率和内量子效率的影响.研究表明,考虑进界面势垒效应,计算得到的器件响应率与实验值符合得很好.同时发现阻挡杂质带红外探测器中内建电场的存在等效降低了发生碰撞电离增益所需的临界电场强度.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
杂质带论文参考文献
[1].廖开升,李志锋,王超,李梁,周孝好.用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制[J].红外与毫米波学报.2016
[2].廖开升,李志锋,李梁,王超,周孝好.阻挡杂质带红外探测器中的界面势垒效应[J].物理学报.2015
[3].廖开升.硅基阻挡杂质带红外探测器研制及其光电特性研究[D].中国科学院研究生院(上海技术物理研究所).2015
[4].廖开升,刘希辉,黄亮,李志锋,李宁.天文用阻挡杂质带红外探测器[J].中国科学:物理学力学天文学.2014
[5].马志华,薛春来,左玉华.杂质带太阳能电池研究[J].中国集成电路.2010
[6].陈淑文,胡萍,于天宝,廖清华,黄永箴.基于杂质带的光子晶体矩形波形滤波器的实现[J].光子学报.2009
[7].安丽萍,刘念华.含负折射率缺陷的一维光子晶体的杂质带[J].光子学报.2009
[8].董海霞,江海涛,杨成全,石云龙.含双负缺陷的一维光子晶体耦合腔的杂质带特性[J].物理学报.2006
[9].安丽萍,刘念华.一维光子晶体中多缺陷耦合导致的杂质带[J].光子学报.2003
[10].梁勇,郑国珍,汤定元.零禁带Hg_(1-x)Cd_xTe受主杂质带导电[J].中国科学(A辑数学物理学天文学技术科学).1987