导读:本文包含了随机电报信号噪声论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电力场效应管,RTS噪声,高阶累积量,交叉相关系数
随机电报信号噪声论文文献综述
樊欣欣,杨连营,陈秀国,徐斌[1]（2018）在《电力场效应管随机电报信号噪声的检测与分析》一文中研究指出电力场效应管(Power Metal Oxide Semiconductor FET,P-MOSFET)是构成电力通信电源的核心器件,其可靠性直接影响到电力通信的安全稳定运行。随机电报信号(Random Telegraph Signal,RTS)噪声是表征其可靠性的敏感参数,为了能够检测与分析P-MOSFET内部的RTS噪声,提出一种改进型的经验模态分解(Empirical Mode Decomposition,EMD)自适应选择算法检测RTS噪声,运用时间和波形相关系数优化高阶累计量分析RTS噪声。仿真结果表明,新算法的滤波效果优于传统的算法,优化后高阶累计量不仅提高了RTS噪声处理能力,而且验证了其在零频处具有1/f的特性。(本文来源于《电子技术应用》期刊2018年08期）
樊欣欣,禹旺明,陈晓娟[2]（2016）在《随机电报信号噪声时间参数的提取方法》一文中研究指出随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道MOS器件可靠性的重要敏感参数,利用RTS噪声可确定半导体器件内部陷阱的位置。为了能够准确提取RTS噪声信号的时间特征参量,采用了经验模态分解(EMD)方法处理器件内部被激发的本征低频噪声信号,并提出了利用能量等效的方法对RTS噪声的时间参量进行提取。实验结果表明,噪声的滤波效果优于传统的算法,降低了系统的背景噪声,相同采样点时,参量提取的误差比传统方法可减小40%,相同精度时,采样点仅为传统方法采样数目的 1/20,提高了提取参量的灵敏度。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年04期）
陈晓娟,樊欣欣,吴洁[3]（2016）在《短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析》一文中研究指出随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道器件可靠性的重要敏感参数,能敏感地反映MOS器件中的边界陷阱,为探测小尺寸器件中的缺陷提供了有效的手段。为了能够准确测量出RTS,采用了无噪声偏置电路,设计了两级抑噪电路。在两通道叁个运算放大器的基础上,设计了RTS噪声测量放大器,提出一种改进的变步长LMS数字滤波器算法,构造了步长函数和误差的相关值之间的非线性表达式。实验结果表明,在较小的RTS时间常数下,相同精度时,参量提取的误差比传统方法减小20%,同时新算法具有更快的收敛速度,良好的稳态误差性。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年03期）
孙玮,孙钊,王鹏[4]（2013）在《场效应晶体管随机电报信号噪声的探测及分析》一文中研究指出为了快速准确自动识别随机电报信号,文中基于Sagittarius操作平台,提出了一种适用于工业生产环境的场效应晶体管随机电报信号噪声的全自动测量系统,分析了随机电报信号噪声的识别算法.研究结果表明:以40nm低能耗CMOS工艺的实际产品验证了Sagittarius全自动测量系统的测试方法及分析算法,实现了MOSFETs随机电报信号噪声的快速、精确测量,满足了随机电报信号噪声的自动分析功能.(本文来源于《西安工业大学学报》期刊2013年12期）
温菁[5]（2009）在《闪存存储器中的随机电报信号噪声的研究》一文中研究指出在半导体器件中,闪存存储器已经渗透到我们生活的各个方面。然而随着器件尺寸的持续减小,闪存存储器自身存在的一种缺陷——随机电报信号噪声(RTS)就会明显的表现出来,甚至会影响到我们读取信息的正确性。论文旨在研究随机电报信号噪声的产生原理,通过实验从量的角度将随机电报信号噪声表示出来,测出其大小,找出其特性,也研究了外界条件对随机电报信号噪声的影响。本文通过对闪存存储器的基本结构以及工作原理的研究来分析随机电报噪声的产生原理;通过随机电报信号噪声的幅度和随机电报信号噪声幅度的快速傅立叶转换1/f噪声来研究随机电报信号噪声。随机电报信号噪声幅度可以通过漏极电流扰动或者门极电压变化来表示,然后将其结果进行快速傅立叶转换就可以得到我们所需要的1/f噪声。本文主要运用LabVIEW编程软件根据需要来编译若干个子程序,从而控制半导体参数分析器,利用半导体参数分析器来配置闪存存储器各个极点的电压,并进行漏极电流和门极电压扰动的测量。通过大量实验研究,获得了用漏极电流和门极电压扰动表示的随机电报信号噪声幅度的实验结果,并与理论结果进行了对比分析。本文还研究了不同沟道长度的闪存存储器以及不同写入/擦除次数的闪存存储器对随机电报信号噪声的影响,实验结果与理论相符。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2009-01-01）
卜惠明,施毅,袁晓利,顾书林,吴军[6]（2001）在《MOSFET中大幅度随机电报信号噪声的动力学特性》一文中研究指出对 MOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征进行了研究。室温下在极细沟道样品中观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,通过测量 RTS的俘获时间和发射时间与栅压和温度的依赖关系 ,获得了氧化层陷阱的位置与能级 ,证实了氧化层陷阱的热激活模型在细沟道 n MOSFET中仍然成立。同时发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与栅压无关。对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,当沟道宽度减小至 4 0 nm以下时 ,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对 RTS的幅度的影响起主导作用。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2001年01期）
卜惠明,施毅,顾书林,袁晓利,吴军[7]（2000）在《极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声》一文中研究指出研究了极细沟道 NMOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征 .首次在室温下观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与温度和栅压无关 .对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,载流子数涨落与迁移率涨落引起的 RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加 ,当沟道宽度减小至 40 nm以下时 ,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中 RTS幅度的影响起主导作用 .(本文来源于《半导体学报》期刊2000年05期）
随机电报信号噪声论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随机电报信号(RTS)噪声是表征短沟道MOS器件可靠性的重要敏感参数,利用RTS噪声可确定半导体器件内部陷阱的位置。为了能够准确提取RTS噪声信号的时间特征参量,采用了经验模态分解(EMD)方法处理器件内部被激发的本征低频噪声信号,并提出了利用能量等效的方法对RTS噪声的时间参量进行提取。实验结果表明,噪声的滤波效果优于传统的算法,降低了系统的背景噪声,相同采样点时,参量提取的误差比传统方法可减小40%,相同精度时,采样点仅为传统方法采样数目的 1/20,提高了提取参量的灵敏度。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
随机电报信号噪声论文参考文献
[1].樊欣欣,杨连营,陈秀国,徐斌.电力场效应管随机电报信号噪声的检测与分析[J].电子技术应用.2018
[2].樊欣欣,禹旺明,陈晓娟.随机电报信号噪声时间参数的提取方法[J].半导体技术.2016
[3].陈晓娟,樊欣欣,吴洁.短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析[J].半导体技术.2016
[4].孙玮,孙钊,王鹏.场效应晶体管随机电报信号噪声的探测及分析[J].西安工业大学学报.2013
[5].温菁.闪存存储器中的随机电报信号噪声的研究[D].西安电子科技大学.2009
[6].卜惠明,施毅,袁晓利,顾书林,吴军.MOSFET中大幅度随机电报信号噪声的动力学特性[J].固体电子学研究与进展.2001
[7].卜惠明,施毅,顾书林,袁晓利,吴军.极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声[J].半导体学报.2000