导读:本文包含了金属氧化物半导体场效应管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:绝缘体上硅,总剂量效应,寄生效应,实验和仿真
金属氧化物半导体场效应管论文文献综述
彭超,恩云飞,李斌,雷志锋,张战刚[1]（2018）在《绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究》一文中研究指出基于~(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射增强的寄生效应;浅沟槽隔离(shallow trench isolation, STI)寄生晶体管的开启导致了关态漏电流随总剂量呈指数增加,直到达到饱和; STI氧化层的陷阱电荷共享导致了窄沟道器件的阈值电压漂移,而短沟道器件的阈值电压漂移则来自于背栅阈值耦合;在同一工艺下,尺寸较小的器件对总剂量效应更敏感.探讨了背栅和体区加负偏压对总剂量效应的影响, SOI器件背栅或体区的负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善辐照后器件的电学特性.(本文来源于《物理学报》期刊2018年21期）
马武英,姚志斌,何宝平,王祖军,刘敏波[2]（2018）在《65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制》一文中研究指出对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.(本文来源于《物理学报》期刊2018年14期）
李劲,吴笑峰,席在芳,胡仕刚,李目[3]（2016）在《对称双栅高斯掺杂应变Si金属氧化物半导体场效应管的二维解析模型》一文中研究指出基于扩散、阈值调整和离子注入等工艺过程导致器件的沟道区的掺杂分布不均匀,提出对称双栅高斯掺杂应变硅MOSFET器件,并对其相关特性进行研究。通过对沟道二维泊松方程求解建立该器件结构的表面势和阈值电压模型,分析弛豫SiGe层的Ge组分和掺杂偏差σn对表面势和阈值电压的影响。此外,还对比分析高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压。研究结果表明:阈值电压随应变Si膜中Ge组分的增加而降低;表面势和阈值电压随偏差σn的增加而减小;高斯掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件和均匀掺杂对称双栅应变硅MOSFET器件的表面势和阈值电压相差较大,表明非均匀掺杂对器件表面势和阈值电压等影响较大。(本文来源于《中南大学学报(自然科学版)》期刊2016年04期）
周航,郑齐文,崔江维,余学峰,郭旗[4]（2016）在《总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应》一文中研究指出空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅(SOI)技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,有助于对SOI器件空间应用的综合可靠性进行评估.通过预辐照和未辐照、不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比,发现总剂量损伤导致热载流子损伤增强效应,机理分析表明该效应是STI辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起.与未辐照器件相比,预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大,器件的转移特性曲线、输出特性曲线、跨导特性曲线以及关键电学参数V_T,GM_(max),ID_(SAT)退化较多.本文还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一特殊现象进行了讨论.(本文来源于《物理学报》期刊2016年09期）
李勇,谢海燕,杨志强,宣春,夏洪富[5]（2015）在《高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应》一文中研究指出采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2015年10期）
吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,殷树娟[6]（2015）在《单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型》一文中研究指出本文在建立单轴应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率模型和阈值电压模型的基础上,基于器件不同的工作区域,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了单轴应变Si NMOSFET源漏电流模型.其中将应力的影响显式地体现在迁移率和阈值电压模型中,使得所建立的模型能直观地反映出源漏电流特性与应力强度的关系.并且对于亚阈区电流模型,基于亚阈区反型电荷,而不是采用常用的有效沟道厚度近似的概念,从而提高了模型的精度.同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型的可行性.该模型已经被嵌入进电路仿真器中,实现了对单轴应变Si MOSFET器件和电路的模拟仿真.(本文来源于《物理学报》期刊2015年19期）
周航,崔江维,郑齐文,郭旗,任迪远[7]（2015）在《电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究·》一文中研究指出随着半导体技术的进步,集成小尺寸绝缘体上硅器件的芯片开始应用到航空航天领域,使得器件在使用中面临了深空辐射环境与自身常规可靠性的双重挑战.进行小尺寸器件电离辐射环境下的可靠性试验有助于对器件综合可靠性进行评估.参照国标GB2689.1-81恒定应力寿命试验与加速寿命试验方法总则进行电应力选取,对部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管进行了电离辐射环境下的常规可靠性研究.通过试验对比,定性地分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响,得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时间参数的变化,在不同阶段对器件参数的影响.结果表明,总剂量效应与电应力的共同作用将加剧器件敏感参数的退化,二者的共同作用远大于单一影响因子.(本文来源于《物理学报》期刊2015年08期）
山·乌英[8]（2015）在《金属氧化物半导体场效应管在全固态中波发射机中的应用》一文中研究指出本文从金属氧化物半导体场效应管的特点、应用原理、日常维护等方面进行了阐述。(本文来源于《电子制作》期刊2015年02期）
吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,殷树娟[9]（2015）在《单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型》一文中研究指出电容特性模型是单轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)和电路进行瞬态分析、交流小信号分析、噪声分析等的重要基础.本文首先建立了单轴应变Si NMOSFET的16个微分电容模型,并将微分电容的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了所建模型的正确性.同时对其中的关键性栅电容C_(gg)与应力强度、偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度等的关系进行了分析研究.结果表明,与体硅器件相比,应变的引入使得单轴应变Si NMOSFET器件的栅电容增大,随偏置电压、沟道长度、栅极掺杂浓度的变化趋势保持不变.(本文来源于《物理学报》期刊2015年06期）
辛艳辉,刘红侠,王树龙,范小娇[10]（2014）在《堆迭栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型》一文中研究指出提出了一种堆迭栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)新器件结构.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压的解析模型.该结构的应变硅沟道有两个掺杂区域,和常规双栅器件(均匀掺杂沟道)比较,沟道表面势呈阶梯电势分布,能进一步提高载流子迁移率;探讨了漏源电压对短沟道效应的影响;分析得到阈值电压随缓冲层Ge组分的提高而降低,随堆迭栅介质高k层介电常数的增大而增大,随源端应变硅沟道掺杂浓度的升高而增大,并解释了其物理机理.分析结果表明:该新结构器件能够更好地减小阈值电压漂移,抑制短沟道效应,为纳米领域MOSFET器件设计提供了指导.(本文来源于《物理学报》期刊2014年24期）
金属氧化物半导体场效应管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属氧化物半导体场效应管论文参考文献
[1].彭超,恩云飞,李斌,雷志锋,张战刚.绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究[J].物理学报.2018
[2].马武英,姚志斌,何宝平,王祖军,刘敏波.65nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制[J].物理学报.2018
[3].李劲,吴笑峰,席在芳,胡仕刚,李目.对称双栅高斯掺杂应变Si金属氧化物半导体场效应管的二维解析模型[J].中南大学学报(自然科学版).2016
[4].周航,郑齐文,崔江维,余学峰,郭旗.总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应[J].物理学报.2016
[5].李勇,谢海燕,杨志强,宣春,夏洪富.高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应[J].强激光与粒子束.2015
[6].吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,殷树娟.单轴应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管源漏电流特性模型[J].物理学报.2015
[7].周航,崔江维,郑齐文,郭旗,任迪远.电离辐射环境下的部分耗尽绝缘体上硅n型金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性研究·[J].物理学报.2015
[8].山·乌英.金属氧化物半导体场效应管在全固态中波发射机中的应用[J].电子制作.2015
[9].吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,殷树娟.单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型[J].物理学报.2015
[10].辛艳辉,刘红侠,王树龙,范小娇.堆迭栅介质对称双栅单Halo应变Si金属氧化物半导体场效应管二维模型[J].物理学报.2014