导读:本文包含了电阻开关论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:开关变换器,能量关系式,负载电阻,短路电流
电阻开关论文文献综述
王雨[1]（2019）在《负载电阻对开关变换器放电特性影响分析》一文中研究指出开关变换器是安全开关电源的核心部分,广泛应用于石油、化工、煤炭等爆炸性物质存在的危险场所~([1]),开关变换器中含有较大容量储能元件,具有非线性和时变性特性,因此在安全性能方面至关重要,介绍了开关变换器结构及其工作原理,推导了电容短路时能量关系式,实验发现了负载电阻与短路电流和维持电压关系,总结出负载电阻对开关变换器短路放电特性影响。(本文来源于《防爆电机》期刊2019年05期）
赵飞,周磊,王鑫[2]（2019）在《Al/SnO_2/FTO结构双极型电阻开关的制备及其性质研究》一文中研究指出通过溶胶凝胶的方法,在FTO衬底上制备得到SnO_2薄膜,并对SnO_2薄膜的晶体结构以及荧光光谱(PL)进行了研究。XRD结果显示SnO_2薄膜为多晶结构,荧光光谱结果表明SnO_2薄膜存在氧空位以及氧填隙等缺陷。通过直流磁控溅射在SnO_2薄膜上面溅射Al作为顶电极,并对Al/SnO_2/FTO结构进行了电阻开关性质研究,测试结果表明器件具有双极型电阻开关性质和良好的阻态保持特性。对器件的电流-电压曲线特征进行了研究,认为SnO_2薄膜内氧离子(氧空位)在电场作用下发生迁移,在Al/SnO_2界面发生氧化还原反应是引起Al/SnO_2/FTO电阻状态改变的原因。(本文来源于《塑料助剂》期刊2019年03期）
张茜,肖霞,徐雁,刘琦,胡浩亮[3]（2019）在《开关柜内电场环境对电阻式电压互感器准确度的影响分析》一文中研究指出文中基于电阻式电压互感器的工作原理,分析了其在开关柜的工作环境下测量误差的来源。利用Ansys有限元分析软件建立了电子式电压互感器(electrical voltage transformer,EVT)叁维模型,基于电场结果,分别分析了杂散电容、母排、邻近相和开关柜柜体对EVT准确度的影响程度,加入EVT屏蔽结构进行仿真;最后结合实体试验,对误差分析结果进行验证。结果表明加上该屏蔽结构的电子式电压互感器准确度达到0.2级,且所得结论对其在开关柜中的实际应用有一定的指导意义。(本文来源于《高压电器》期刊2019年06期）
甘路平[4]（2019）在《高压开关回路电阻超标的分析与处理》一文中研究指出回路电阻测试是高压开关设备新安装(或检修后)投运前的必要电气测试项目,若开关主回路电阻超标,则该开关设备不得投运,否则可能引起开关内部温升过高而导致事故。阐述某高压开关回路电阻超标的发现、测试分析、判断和处理过程。(本文来源于《电工技术》期刊2019年09期）
朱蒙,李明,李刚,傅耘[5]（2019）在《不同环境下微动开关腐蚀形貌及接触电阻变化对比分析研究》一文中研究指出目的对比分析不同试验环境下微动开关的腐蚀行为,研究其腐蚀机理。方法针对干湿交替酸性盐雾试验环境、盐雾/SO2复合试验环境及热带海洋大气环境下微动开关接触电阻的变化趋势,以及对不同试验环境后微动开关内部被腐蚀的细小结构件进行微观形貌观察和能谱分析。通过对比分析不同试验环境下微动开关的腐蚀机理及其对电性能参数的影响。结果含硫环境对微动开关内部银质触点的影响最严重。结论腐蚀产物硫化银的导电性极差,这会导致微动开关接触电阻升高。(本文来源于《装备环境工程》期刊2019年04期）
王军帅[6]（2019）在《Carbon多层薄膜的电阻开关特性的研究》一文中研究指出随着科学技术的进步,信息化时代得到了全面的普及和发展,人们对存储器件高性能和小型化(包括高稳定性、低功耗和多种功能等)的要求越来越高,这就需要研制同时具有多种功能和特性的新材料和新器件。目前常见的存储器类型主要包括非易失性存储器和易失性存储器两类。非易失性存储器由于具有易读取、存储时间长和高稳定性等特点,迎合信息化时代的人们对存储器的高要求性,深受研究者们和技术公司的青睐。易失性存储器由于只能满足人们对信息短暂存储的需求而被研究人员所忽略。相变存储器、铁电存储器、磁存储器和阻变存储器等都是常见的非易失性存储器。相变存储器指相变材料在相变转换时,利用电学性质的不同进行信息存储;铁电存储器指铁电材料发生自发极化时,利用不同剩余极化状态进行信息存储;磁存储器指利用表面磁介质作为记录信息的存储器;阻变存储器指特定材料的电阻在不同阻态之间的转换而构成存储信息的存储器。阻变存储器由于具有读取速度快、存储密度大、存储时间长、低功耗和结构简单等主要特点,已被看为下一代非易失性随机存储器的候选者。研究者们在许多过渡金属氧化物、有机物和钙钛矿氧化物等材料中均发现电阻开关特性的存在。由于电阻开关特性内容的丰富多样导致对其机理的解释也参差不齐,因此对电阻开关的进一步研究对其机理的解释显得尤为重要。碳(Carbon)作为第Ⅳ主族元素和常见的非金属材料,因其具有良好的导电性、较高的稳定性、耐高温、质地较软、较好的光滑度和层状物质等重要特性而受到人们的广泛关注。碳不像BaTiO_3、BiFeO_3等钙钛矿氧化物具有铁电性和磁性等物理性质,但在阻变存储器等非易失性存储器中仍然有着很大的研究意义。过去几年对碳进行研究的文章屡见不鲜,包括碳纳米管、单层石墨烯和C_(60)等,其中关于石墨烯的研究和应用获得2010年的诺贝尔物理学奖。本论文简要的介绍了Carbon的结构、物理性质以及在电阻开关方面的实际应用。在此基础上研究了含Carbon多层纳米薄膜器件的电阻开关特性,详细的阐述了样品的制备流程、结构表征、电学性质的测量和相关物理现象的机理解释,主要内容如下:(1)简要的介绍了Carbon的结构、物理性质、研究进展和应用前景,详细的阐述了非易失性存储器及其分类、电阻开关的分类和解释机理。(2)实验采用磁控溅射镀膜设备在N型不导电Si上制备出C/BaTiO_3/ZnO纳米薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)对样品横截面厚度进行了表征,应用Keithley 2400对样品的Ⅰ-Ⅴ曲线进行了测量。同时进一步研究了白光照射对样品电阻开关特性的调控作用。实验结果表明:样品的Ⅰ-Ⅴ曲线有明显的双极性电阻开关特性的存在,样品的电导率随光照强度的增加在逐渐升高,样品的Ⅰ-Ⅴ曲线无论在黑暗还是光照下均存在较高的稳定性。我们采用氧空位或缺陷对电荷的捕获和释放作用对样品的这些物理现象做出了合理的解释。(3)实验采用上述实验的镀膜设备制备出C/BaTiO_3/ZnO/BaTiO_3样品,同时利用SEM和Keithley 2400分别对样品的横截面厚度和Ⅰ-Ⅴ曲线进行了表征与测量。样品的Ⅰ-Ⅴ曲线表现出明显的单极性电阻开关特性。同时进一步研究了白光照射对样品Ⅰ-Ⅴ曲线的调控作用。研究结果表明:样品的电导率随光照强度的增加在逐渐升高,样品的Ⅰ-Ⅴ曲线在光照条件下的稳定性高于黑暗条件下的稳定性。我们采用氧空位或空穴对电荷的捕获和释放作用以及焦耳热的影响对样品的这些物理现象做出了合理的解释。(4)实验采用上述实验的镀膜设备在N型不导电Si上制备出C/ZnO样品,同时采用SEM和Keithley 2400分别对样品的横截面厚度和Ⅰ-Ⅴ曲线进行了表征与测量。样品的Ⅰ-Ⅴ曲线表现出明显的滞后效应。同时进一步研究了白光照射对样品Ⅰ-Ⅴ曲线的调控作用。研究结果表明:样品的电导率随光照强度的增加在逐渐降低,表现出“负光电导效应”,样品的Ⅰ-Ⅴ曲线在黑暗条件下具有较高的稳定性。我们采用C与ZnO界面之间形成的电容存储电荷机理以及ZnO材料的表面效应对样品的这些物理现象做出了合理的解释。(本文来源于《西南大学》期刊2019-04-10）
魏明龙[7]（2019）在《HfO_2界面层调制的NiO薄膜的低压多态电阻开关特性》一文中研究指出基于氧化物薄膜的电阻开关存储器件(ReRAM)结构简单,能耗低,具有良好的可集成度以及与硅基半导体工艺的兼容性,从而广泛应用于新一代非易失性存储器、人工智能逻辑电路以及神经形态计算机。NiO薄膜是研究最早,也是最有望应用于商用ReRAM的材料体系之一。通过不断地改进工艺和优化器件结构,研究者们不断刷新NiO薄膜电阻开关存储单元的各项电阻开关性能参数。然而,器件偏大的置/复位电压及其分布弥散性问题一直未能得到很好地解决本文选择沿特定晶向择优生长的NiO薄膜为电阻翻转层材料,通过在NiO薄膜不同位置插入不同厚度的HfO_2界面层,构成多层堆栈结构器件,对比研究了加入界面层前后器件的电阻开关性能参数,特别是置/复位电压的大小和分布弥散性。本文首先利用磁控溅射方法分别制备了沿(111)和(001)晶向择优生长的NiO电阻翻转层和HfO_2界面层,对比研究了不同电极材料(Ag和Pt)和插入HfO_2缓冲/界面层前后器件的电流-电压性能。系统地探究了NiO薄膜厚度、HfO_2界面层厚度和插入位置以及器件测量参数对器件电阻开关特性的影响,最后探讨了优化结构器件电阻开关的物理机制。本文主要研究内容和结论如下:(1)对比研究了沉积在叁种衬底(Pt-MgO,Pt-STO和Pt-Si)上不同厚度NiO(111)薄膜的电阻开关特性,对比研究结果表明:沉积在Pt-MgO衬底上厚度为100 nm的NiO(111)薄膜具有相对较好的电阻开关特性:如稳定的高/低电阻值比(20~70),较小的置/复位电压(~?0.5 V)。且在80℃测试温度下器件电阻开关性能参数依然满足应用的最低要求。(2)对比研究了在NiO(111)薄膜上表面插入不同厚度HfO_2界面层对器件电阻开关性能的影响。对比实验结果表明,厚度为10 nm的HfO_2缓冲层使得器件电阻开关性能大幅改善:大幅度降低了器件高阻态的漏电流,在0.1 V读取电压下,高/低电阻比超过了10~4;置/复位电压进一步降低(<?0.2 V)且分布更集中(~?0.15 V);耐久性超过了10~3循环周期。(3)在优化的器件工艺和制备条件下在Pt-Si衬底沉积制备厚约80 nm的(001)择优取向NiO薄膜,对比研究了在薄膜上下表面和中间分别插入10 nm厚HfO_2界面层后器件的电阻开关特性:结果表明:在10 mA限制电流和不超过0.5 V扫描电压幅值的测量参数下,仅下表面插入HfO_2界面层的C1型器件具有优异的电阻开关特性:置/复位电压对称分布在?0.2 V左右,高/低电阻比大于10~5连续循环超过10~4个周期性能无明显下降。NiO薄膜上下表面都插入HfO_2界面层的C2型器件在1mA限制电流和0.4 V扫描电压幅值的测量参数下,可观测到分别具有1次和2次SET过程的双稳态电阻开关特性(分别标识为S(1)和S(2)态):S(1)态在连续循环7200个周期后,依然保持超低置/复位电压(<?0.2 V)、优异的数据保存时效性(>9.6?10~3s)和>10~4的高/低电阻比;S(2)态在连续循环1000个周期后,二次SET过程的高/低电阻比也分别高达10~2和10~3,初步显示出稳定的多态开关特性。而在NiO薄膜上/下表面和中间都插入HfO_2界面层的C3器件则呈现了多级暂态电阻开关特性:叁个暂态(S1、S2和S3)和一个稳态(S4),其中S4稳态在连续循环2000个周期后,依然保持>10~3的高低电阻比。综上所述,HfO_2界面层修饰促进了薄膜中氧空位中导电细丝的形成,从而降低器件置/复位电压,改善其分布弥散性。而且两层HfO_2界面层修饰的NiO薄膜器件还呈现出了稳定的多阻态开关特性,初步显示出其在开发应用新一代超低工作电压和多态开关存储器件方面的应用前景。(本文来源于《西南大学》期刊2019-04-10）
吴良臣[8]（2019）在《含ZnO多层薄膜的电阻开关特性的研究》一文中研究指出21世纪信息科技的发展进步,使得市场对存储器性能的要求越来越高。目前,闪存是市场上主流的存储技术,但是它面临寿命短、成本高、尺寸不可继续缩小等挑战。因此人们不断地探索新的存储技术来推动科技的发展和满足市场的需求。阻变存储器的出现可以说最有望使得其成为替代闪存的下一代存储器,其产业化目前已经成为可能,并且阻变存储器是非易失存储技术,在性能方面具有极大的优势,例如,阻变存储器具有金属—介质—金属这样简单的叁明治结构和可微缩性,有利于实现叁维的高密度集成,以及读写速度快等。阻变存储器是基于电阻变化来进行逻辑存储的器件。这种在电场作用下,器件结构的电阻可以在高电阻态和低电阻态之间可逆地切换,就称作电阻开关效应。简单说,电阻开关就是通过控制电流的变化可改变其阻值,并且,电流停止了其阻值保持不变,直到反向电流把它推回去。如果我们把高电阻态定义为逻辑运算的“1”,低电阻态定义为逻辑运算的“0”,就可以实现数据的存储功能。我们知道众多材料中大部分或多或少都具有电阻开关现象,其中有一些具有应用于阻变存储器中的潜能,但是要制备性能良好的电阻开关存储器,需要掌握电阻变化过程的物理机制。制备具有良好性能的电阻开关效应的器件是研发阻变存储器的首要条件,提高电阻开关的性能首先要从材料和结构入手,其次是制备的工艺,再其次是导电机理的掌控。目前,单一的材料还没有出现具有足够良好的电阻开关特性可以应用于阻变存储器,于是出现了掺杂、镀多层薄膜、嵌入式堆栈结构等方法来提高电阻开关的性能。除此之外,外界的条件也会影响电阻开关的性能,所以在不同的条件下进行研究也十分重要,例如,光,磁场,温度,偏压等。目前,出现了一个具有潜在应用价值的就是光对电阻开关性能的影响。本文主要研究了光对Si/[ZnO/BiFeO_3]/Ta、Si/[C/ZnO/C]/Ta、Si/[C/BaTiO_3/C]/Ta这叁个器件的电阻开关效应的影响。本实验采用超高真空磁控溅射系统制备了ZnO/BiFeO_3、C/ZnO/C、C/BaTiO_3/C叁种结构的阻变存储器件,使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)设备对其进行相关表征,应用Keithley2400对其进行电阻开关性能测试。测试结果显示出几种结构的样品都表现出明显的电阻开关效应,并且,光照强度对器件的电阻开关效应有明显的促进作用,但其性能各有差异,包括开关比、耐受性和保持时间。根据测量结果得到的I-V曲线,可以看出叁种结构都属于双极性电阻开关效应。(本文来源于《西南大学》期刊2019-04-10）
魏明龙,江雪,王颖玥,赖芮涟,王建波[9]（2019）在《金属基底层上NiO(111)外延薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制》一文中研究指出利用射频磁控溅射方法在Pt层上制备了沿<111>晶向外延生长的NiO薄膜,研究了其晶体微结构和变温电阻开关特性.微结构观测分析发现, NiO(111)薄膜与Pt层满足"立方-立方"晶格生长关系.在周期性外电场作用下,薄膜中氧空位的定向漂移和电极附近银离子的氧化还原反应相互促进,使得在较低的翻转电压下即可在薄膜中形成周期性导通/截断的氧空位导电丝通道,从而使得Ag/NiO(111)/Pt存储单元在室温至80°C测试温度范围里的电流-电压曲线均呈现稳定的双极性电阻开关特性.运用Arrhenius作图法以及肖特基热激发隧穿公式拟合薄膜高阻态电流-温度曲线符合线性关系,表明薄膜高阻态漏电流符合肖特基热激发隧穿机制.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2019年04期）
吴荣华[10]（2019）在《开关接触电阻和触点压降指标的设计与测量》一文中研究指出本文对开关的接触电阻和触点压降指标进行分析,阐述了接触电阻和触点压降基本概念、形成原理、设计分析、测量方法等,为开关的研发设计和技术分析、指标检测提供参考。(本文来源于《机电元件》期刊2019年01期）
电阻开关论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过溶胶凝胶的方法,在FTO衬底上制备得到SnO_2薄膜,并对SnO_2薄膜的晶体结构以及荧光光谱(PL)进行了研究。XRD结果显示SnO_2薄膜为多晶结构,荧光光谱结果表明SnO_2薄膜存在氧空位以及氧填隙等缺陷。通过直流磁控溅射在SnO_2薄膜上面溅射Al作为顶电极,并对Al/SnO_2/FTO结构进行了电阻开关性质研究,测试结果表明器件具有双极型电阻开关性质和良好的阻态保持特性。对器件的电流-电压曲线特征进行了研究,认为SnO_2薄膜内氧离子(氧空位)在电场作用下发生迁移,在Al/SnO_2界面发生氧化还原反应是引起Al/SnO_2/FTO电阻状态改变的原因。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电阻开关论文参考文献
[1].王雨.负载电阻对开关变换器放电特性影响分析[J].防爆电机.2019
[2].赵飞,周磊,王鑫.Al/SnO_2/FTO结构双极型电阻开关的制备及其性质研究[J].塑料助剂.2019
[3].张茜,肖霞,徐雁,刘琦,胡浩亮.开关柜内电场环境对电阻式电压互感器准确度的影响分析[J].高压电器.2019
[4].甘路平.高压开关回路电阻超标的分析与处理[J].电工技术.2019
[5].朱蒙,李明,李刚,傅耘.不同环境下微动开关腐蚀形貌及接触电阻变化对比分析研究[J].装备环境工程.2019
[6].王军帅.Carbon多层薄膜的电阻开关特性的研究[D].西南大学.2019
[7].魏明龙.HfO_2界面层调制的NiO薄膜的低压多态电阻开关特性[D].西南大学.2019
[8].吴良臣.含ZnO多层薄膜的电阻开关特性的研究[D].西南大学.2019
[9].魏明龙,江雪,王颖玥,赖芮涟,王建波.金属基底层上NiO(111)外延薄膜的变温电阻开关特性与隧穿机制[J].中国科学:物理学力学天文学.2019
[10].吴荣华.开关接触电阻和触点压降指标的设计与测量[J].机电元件.2019