本文主要研究内容
作者赵斌,张芮境,申倩倩,王羿,薛晋波,张爱琴,贾虎生（2019）在《TiO2纳米管阵列基底退火温度对CdSe/TiO2异质结薄膜光电化学性能的影响》一文中研究指出：通过电化学沉积法以TiO2纳米管阵列（TNTs）为基底制备CdSe/TiO2异质结薄膜。研究TiO2纳米管阵列基底不同退火温度（200,350,450,600℃）对CdSe/TiO2异质结薄膜光电化学性能的影响。采用SEM,XRD,UV-Vis,电化学测试等方法对样品的微观形貌、晶体结构、光电化学性能等进行表征。结果表明:立方晶型的CdSe纳米颗粒均匀沉积在TiO2纳米管阵列管口及管壁上。TiO2纳米管阵列未经退火及退火温度为200℃时,为无定型态,在TiO2纳米管阵列上沉积的CdSe纳米颗粒数量少,尺寸小,异质结薄膜光电性能较差,光电流几乎为零。随着退火温度升高到350℃,TiO2纳米管阵列基底开始向锐钛矿转变;且沉积在TiO2纳米管上的CdSe颗粒增多,尺寸增大,光电化学性能提高。退火温度为450℃时光电流值达到最大,为4.05mA/cm2。当退火温度达到600℃时,TiO2纳米管有金红石相出现,CdSe颗粒变小,数量减少,光电化学性能下降。
Abstract
tong guo dian hua xue chen ji fa yi TiO2na mi guan zhen lie （TNTs）wei ji de zhi bei CdSe/TiO2yi zhi jie bao mo 。yan jiu TiO2na mi guan zhen lie ji de bu tong tui huo wen du （200,350,450,600℃）dui CdSe/TiO2yi zhi jie bao mo guang dian hua xue xing neng de ying xiang 。cai yong SEM,XRD,UV-Vis,dian hua xue ce shi deng fang fa dui yang pin de wei guan xing mao 、jing ti jie gou 、guang dian hua xue xing neng deng jin hang biao zheng 。jie guo biao ming :li fang jing xing de CdSena mi ke li jun yun chen ji zai TiO2na mi guan zhen lie guan kou ji guan bi shang 。TiO2na mi guan zhen lie wei jing tui huo ji tui huo wen du wei 200℃shi ,wei mo ding xing tai ,zai TiO2na mi guan zhen lie shang chen ji de CdSena mi ke li shu liang shao ,che cun xiao ,yi zhi jie bao mo guang dian xing neng jiao cha ,guang dian liu ji hu wei ling 。sui zhao tui huo wen du sheng gao dao 350℃,TiO2na mi guan zhen lie ji de kai shi xiang rui tai kuang zhuai bian ;ju chen ji zai TiO2na mi guan shang de CdSeke li zeng duo ,che cun zeng da ,guang dian hua xue xing neng di gao 。tui huo wen du wei 450℃shi guang dian liu zhi da dao zui da ,wei 4.05mA/cm2。dang tui huo wen du da dao 600℃shi ,TiO2na mi guan you jin gong dan xiang chu xian ,CdSeke li bian xiao ,shu liang jian shao ,guang dian hua xue xing neng xia jiang 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自材料工程的赵斌,张芮境,申倩倩,王羿,薛晋波,张爱琴,贾虎生，发表于刊物材料工程2019年08期论文，是一篇关于异质结论文,退火温度论文,光电化学性能论文,相转变论文,材料工程2019年08期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自材料工程2019年08期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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