导读:本文包含了稀磁氧化物论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CeO2基稀磁半导体,第一性原理,能带结构,态密度
稀磁氧化物论文文献综述
阳生红,陈菲,张曰理[1]（2018）在《二氧化铈基稀磁氧化物的第一性原理研究》一文中研究指出基于第一性原理的计算方法研究了纯CeO_2、Co掺杂CeO_2和同时引入氧空位Vo和Co掺杂的CeO_2稀磁半导体体系.通过计算体系的能带结构和态密度,探讨了该体系磁性产生的机制.计算发现,纯CeO_2体系不具有磁性;没有氧空位Vo的Co掺杂CeO_2体系中,Co离子之间通过O原子发生超交换反铁磁耦合,体系无铁磁性;当氧空位Vo和Co离子同时存在于CeO_2体系中时,Co离子之间通过氧空位Vo发生铁磁耦合,该体系表现出铁磁性能.另外,由氧空位Vo诱导的Co离子之间的铁磁耦合不仅发生在紧邻的两个Co离子,而且可以扩展到几个原子距离的长度.计算结果证明了氧空位Vo诱导铁磁性耦合机制.本文工作将为CeO_2基稀磁半导体体系制备与磁学性质的研究提供支持.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2018年01期）
沈陆航[2]（2018）在《p-n共掺杂In_2O_3基稀磁氧化物的电子结构与磁性》一文中研究指出最近,稀磁半导体(DMS)兼具电子的电荷和自旋两种属性,可同时实现信息的传输、处理和存储,受到研究者的广泛关注。有着立方方铁锰矿结构的In_2O_3具有宽带隙(3.75 eV)、优良的电学性能、高的可见光透明性以及好的气敏性,已经成为自旋电子学材料的重要候选之一。尽管许多研究者已经报道了In_2O_3基DMS材料具有室温铁磁性,但该体系的铁磁性起源仍存在很大争议。本论文通过基于密度泛函理论的第一性原理计算了p-n共掺杂In_2O_3稀磁氧化物的电子结构与磁性,并对该体系的铁磁性起源机制做了深入讨论。1、利用第一性原理计算(MedeA-VASP软件)系统地研究了Co/Sn共掺杂In_2O_3体系的电子结构与磁性,并从热力学和动力学角度对比了掺杂Co原子位于晶格替位位置和间隙位置的稳定性。结果表明,对于Co单掺In_2O_3体系,晶格替位Co原子在热力学和动力学上都较间隙位置Co原子更加稳定。Sn原子共掺杂后,掺杂的Co原子仍然稳定存在于晶格替位位置,且体系具有更低的形成能,有望提高掺杂Co原子在In_2O_3体系中的固溶度。这很有可能是由于受主Co原子与施主Sn原子分别引入空穴和电子具有相反的电荷态而存在库仑静电吸引作用而引起的。Co单掺杂In_2O_3体系由于Co-O-Co的反铁磁耦合作用而未出现铁磁基态。然而,Sn的共掺杂引入了Co 3d、O 2p和Sn 5s轨道间的杂化作用,进而导致In_2O_3体系出现了稳定的铁磁态(?E_(FM-AFM)≈-260 meV)。进一步计算表明,即使在Co单掺和Co/Sn共掺杂In_2O_3中引入零价态的氧空位(V_O~0)缺陷,体系仍然表现为反铁磁基态,这主要是由于Co原子间的超交换作用为主导而产生的反铁磁交换作用所引起的。2、利用第一性原理系统地研究了非磁性Cu原子与Sn原子共掺杂In_2O_3体系的电子结构与磁性。结果表明,Cu单掺In_2O_3体系在热力学的富O生长环境以及动力学角度上都显示了晶格替位的Cu原子更加稳定。Sn原子共掺杂后,掺杂Cu原子仍然稳定存在于晶格替位位置,且具有更低的形成能。Cu单掺杂In_2O_3体系未出现铁磁基态,而Sn的共掺杂仅导致体系出现较弱的铁磁态基态(?E_(FM-AFM)=-24.3 meV),仍来源于Cu 3d O 2p Sn 5s轨道的杂化作用。为了获得更稳定的铁磁态,我们在两个Cu原子间引入一个N原子。对于Cu/N和Cu/N/Sn共掺杂In_2O_3体系,富O生长环境下晶格中替位Cu原子仍比间隙Cu原子具有低的形成能。且Cu/N以及Cu/N/Sn共掺杂In_2O_3体系都出现了稳定的铁磁基态(?E_(FM-AFM)=-131.3和-142.9 meV),铁磁性可考虑是由于Cu-N间和Cu-O的p-d杂化作用及N 2p和O 2p态间的p-p耦合作用而引起的。(本文来源于《天津理工大学》期刊2018-01-01）
潘非[3]（2017）在《Co/Sn非补偿p-n共掺杂调控In_2O_3稀磁氧化物的局域结构与磁性》一文中研究指出本论文采用磁控溅射法,在SiO_2/Si(100)和超白玻璃基片上制备Co/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线吸收精细结构(XAFS),电阻温度曲线(R-T)、Hall效应、磁电阻(MR)、超导量子干涉仪(SQUID)、紫外-可见光吸收光谱(UV)等表征手段研究Co/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体,分析p-n共掺杂对In_2O_3稀磁半导体薄膜的局域结构及自旋相关磁、光、输运性能的影响,研究结果如下:1、制备了不同Co掺杂浓度的(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜。XRD、XPS以及具有元素分辨的同步辐射XAFS测试表明,制备的(In_(0.98-x)Co_xSn_(0.02))_2O_3薄膜都具有立方方铁锰矿In_2O_3结构,晶格中存在大量氧空位,Co主要是以+2价形式替位In_2O_3中In~(3+)离子。但即使在低Co掺杂浓度(x=0.05)下,仍有少量Co分离相,即Co金属磁团簇出现,随着Co掺杂浓度增加,Co磁团簇也随之进一步增加。输运性能测试表明,所有薄膜样品均表现负磁阻行为,随着Co掺杂浓度的增加,载流子浓度逐渐降低,电阻率增加。薄膜样品的导电机制在低温区符合Mott变程跃迁,而高温区符合硬带跃迁,证实了载流子有强局域性。U-V测试分析发现,薄膜样品的透光率随Co掺杂浓度的增加逐渐减低,吸收边发生红移,禁带宽度也逐渐变小。磁性测试表明,所有样品都具有有明显的室温铁磁性。随着Co掺杂浓度的增加,饱和磁化强度先增大后减小。室温铁磁性起源排除了载流子媒介机制,很可能源于氧空位诱发的束缚磁极子机制。当Co的掺杂浓度过高时,更多的磁性离子出现在束缚磁极子之外,表现为反铁磁性,薄膜样品Ms减弱。2、制备不同Sn掺杂浓度变化的(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3)薄膜。局域结构分析表明,制备的(In_(0.95-x)Co_(0.05)Sn_x)_2O_3)薄膜都具有立方方铁锰矿In_2O_3结构。当Sn掺杂浓度为x=0.02时,掺杂的Co和Sn元素主要是以+2和+4价形式替位In_2O_3中In~(3+)离子,但存在少量Co金属磁团簇分离相。随着Sn掺杂浓度增加,Co磁团簇逐渐消失,最终完全替位In_2O_3中In~(3+)离子。这一结果证实了Sn4+离子与Co2+离子的p-n共掺杂由于具有相反的电性而相互吸引,有利于降低晶格取代位置的缺陷形成能,促进晶格替位,抑制Co磁团簇的产生。输运性能测试表明,随着Sn的掺杂浓度增加,n型载流子浓度单调增加,但薄膜的导电机制在低温仍符合Mott变程跃迁,证实载流子有强局域性。U-V测试分析发现,薄膜样品的透光率随着Sn的掺杂浓度增加而升高,吸收边发生了蓝移,禁带宽度逐渐变大。所有薄膜样品均有室温铁磁性,随Sn掺杂浓度增加,饱和磁化强度Ms随之增大。由于载流子的强局域性以及超顺磁Co的存在,室温铁磁性起源排除了载流子媒介机制和Co磁团簇第二相,很可能源于氧空位诱发的束缚磁极子机制。当Sn的掺杂浓度增加,促进了Co进入晶格替位,有效增加束缚磁极子数目增加,导致薄膜样品的铁磁性增加。(本文来源于《天津理工大学》期刊2017-01-01）
王诗琪[4]（2014）在《In_2O_3稀磁氧化物半导体的局域结构与磁、输运性能》一文中研究指出In2O3稀磁氧化物半导体集光、电、气和磁学性能于一身，具有非常广阔的应用前景。最近几年，人们对如何调控In2O3稀磁半导体的各种性能进行了大量的研究，但是掺杂磁性离子的局域结构以及自旋相关的磁、输运性质等重要问题仍须进一步澄清。在本论文中，通过磁控溅射法在SiO2/Si（100）基片上沉积了Cr单掺杂、Fe/Cu共掺和Co/Cu共掺杂In2O3稀磁半导体薄膜。利用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、同步辐射X射线吸收精细结构（XAFS）、Hall效应、电阻率-温度曲线（R-T）和磁性能测试（SQUID）等结构表征与性能测试方法系统地研究了In2O3稀磁半导体的结构与物理性能，主要有：1、Cr掺杂In2O3薄膜的结构分析显示，Cr离子以高自旋+2价离子取代In3+位，进入In2O3晶格，薄膜中不存在Cr相关的单质或氧化物第二相。Cr K边的多重散射理论计算进一步确定掺杂Cr离子第一近邻配位存在氧空位。Cr掺杂浓度较低的样品中存在金属-半导体转变的导电行为，但高浓度样品中只存在半导体导电行为，其导电机制符合Mott可变程跃迁模型，说明载流子是强局域的。磁性能显示样品饱和磁化强度随着Cr掺杂量增加先增大后降低，而电阻率单调升高，这表明样品具有的室温铁磁性不是由载流子介导机制引起的。样品的铁磁性是内禀铁磁性，可以用与氧空位有关的缺陷所产生的束缚磁极子模型来解释。2、系统地研究了Fe/Cu共掺杂In2O3薄膜的局域结构、磁输运学性能。研究结果表明：Fe以Fe2+和Fe3+离子取代In3+位，进入In2O3晶格，近邻壳层存在氧空位，样品没有Fe相关单质或氧化物第二相生成。掺杂Cu以单质或氧化物状态存在，没有进入In2O3晶格。Fe掺杂浓度较低时，样品出现金属-半导体转变导电行为；当掺杂浓度增加后，则完全表现为半导体导电特性。其导电机制在温度较低时由Mott可变程跃迁机制主导，高温时硬带跃迁则为主要导电机制。所有样品都具有明显的室温铁磁性，随Fe掺杂浓度的增加，饱和磁化强度增加，而载流子浓度则单调降低，这表明载流子为媒介的RKKY机制不是其铁磁性的来源。UV透射光谱发现样品禁带宽度随掺杂量升高而降低。共掺杂样品铁磁性是内禀的，主要由Fe取代In位产生，掺杂Fe离子之间发生的铁磁性交互作用与氧空位有密切关联，这表明铁磁性起源于束缚磁极子极化。Cu单质或氧化物可能会通过缩小束缚磁极子的范围来抑制铁磁性交互作用，氧空位数量降低也会抑制束缚磁极子产生。3、系统地研究了Co/Cu共掺杂In2O3薄膜的局域结构、磁输运学性能。结果表明：大部分掺杂Co原子以Co2+离子取代In3+位形式进入In2O3晶格中，且最近邻壳层存在氧空位。但还有少部分掺杂Co原子形成了Co单质，样品没有Co相关氧化物第二相生成。随着氧分压的增加，明显发现掺杂Co原子完全取代In3+位形式进入In2O3晶格中。掺杂Cu原子以单质或氧化物状态存在，没有进入In2O3晶格。所有样品都只具有半导体导电特性，其导电机制在低温区内由Mott可变程跃迁机制主导，高温区则符合硬带跃迁机制。样品都呈现明显的室温铁磁性，且饱和磁化强度随Co掺杂量升高而降低，载流子浓度则单调下降，这基本可以排除载流子介导引起的铁磁性。样品禁带宽度随掺杂量增加而降低。样品所表现出的室温铁磁性都是起源于Co取代In位的内禀铁磁性，而且氧空位对Co离子之间的铁磁性交互作用做出了非常大的贡献，束缚磁极子模型依然适用。但Co、Cu单质或Cu氧化物以及氧空位数目降低会抑制样品的铁磁性。(本文来源于《天津理工大学》期刊2014-01-01）
杨贵进[5]（2012）在《稀磁氧化物的制备及其铁磁性研究》一文中研究指出稀磁氧化物材料因其具有优异的性能在新型光电磁信息材料、微电子器件特别是自旋电子学器件、化学和生物等领域具有广阔的应用前景,是当前国际上新材料发展的一个重要方向和研究的前沿热点。本博士论文主要针对目前对稀磁氧化物室温铁磁性起源的争议以及如何对其室温铁磁性的调控的重大科学问题,以反铁磁材料(CoO、Co3O4)和不同晶相的A1203纳米颗粒为研究对象,从研究其室温铁磁性的起源出发,研究了真空热处理、颗粒尺寸、不同晶相结构等对其室温铁磁性的影响,探索了稀磁氧化物的室温铁磁性的调控和起源,得到了规律性的结果,并对其机理进行了分析,得到主要结果如下：1、制备了单晶反铁磁CoO纳米颗粒,研究了真空热处理对其结构和磁性的影响。结果表明,真空热处理能诱导出CoO纳米微球的室温铁磁性,CoO纳米微球的室温铁磁性来源于样品表面的氧缺陷,通过改变反应物的浓度控制纳米微球的大小,从而可以对铁磁性进行调控。2、采用水热法加后期热处理的工艺在抛光的A1片上制备出多孔的C0304层状纳米阵列,如多孔的纳米片,纳米片-纳米线,纳米片-纳米线-纳米片。并且可以通过控制水热反应的时间来控制Co304的形貌。同时通过真空热处理,研究了样品的室温铁磁性。并还将该方法推广,在抛光的Al片上制备了层状的NiO结构,如纳米片,纳米片-微米玫瑰花状的花,或是纳米片-微米球。3、分别在空气和Ar与O2混合气体中,将八面体结构的CoO热处理不同时间,制备了CoO/Co3O4核壳结构,研究了这两种气氛对CoO/Co3O4核壳结构的铁磁性的影响。结果表明,在空气中制备的核壳结构表现出顺磁性,而在Ar和O：混合气体中制备的核壳结构具有室温铁磁性,并且饱和磁化强度随着热处理时间的增加先增大后减小。说明CoO/Co3O4核壳结构的室温铁磁性来源于氧缺陷,同时在这种核壳结构中还观察到了交换偏置现象。4、采用溶胶—凝胶法制备了非晶和结晶的Al2O3纳米颗粒,研究了不同晶体结构对其铁磁性的影响。结果发现：非晶的Al2O3纳米颗粒的铁磁性最强,随着结晶性逐渐变好,铁磁逐渐减弱。通过控制煅烧温度和后期真空热处理来实现对铁磁性强弱的调控。利用以氧缺陷为媒介的F色心机制对其铁磁性进行了解释。(本文来源于《兰州大学》期刊2012-05-01）
宋成[6]（2008）在《钴掺杂稀磁氧化物的局域结构与磁学性能》一文中研究指出稀磁氧化物是一种有重要前景的自旋源,是新一代自旋器件的重要支撑材料。制备具有室温铁磁性的稀磁氧化物,探索其磁性来源,并将其应用于自旋器件是自旋电子学领域的研究热点之一。本文采用磁控溅射、离子注入和脉冲激光沉积技术分别制备了Co掺杂ZnO和LiNbO_3稀磁氧化物材料,系统研究了掺杂浓度、基片类型及其温度、氧分压和沉积速率等工艺参数对稀磁氧化物局域结构和磁学性能的影响,重点探讨了磁性与Co的局域结构之间的关系、稀磁氧化物的磁性起源,并利用获得的稀磁氧化物材料,设计和构造了隧道结原型自旋器件,研究了隧道结的隧道磁电阻和相关的自旋极化、注入与传输现象。研究结果表明,采用磁控溅射技术成功获得了居里温度在700K以上的Co掺杂ZnO稀磁材料,其磁矩与掺杂浓度、基片密切相关。在LiNbO_3铁电基片上的(4%) Co掺杂ZnO绝缘态薄膜中观察到6.1μB/Co的室温巨磁矩,发现磁性薄膜/铁电基片之间的逆磁电耦合能有效提高薄膜的磁性,在束缚磁极子机制的基础上发展了超耦合模型,并对巨磁矩现象进行了合理的解释。通过调控氧分压,实现了稀磁绝缘体与稀磁半导体Co掺杂ZnO单晶薄膜的可控生长。基于绝缘态的Co掺杂ZnO具有室温强磁性,以及分离结构缺陷与载流子浓度对磁性的影响,揭示了结构缺陷是稀磁氧化物室温铁磁性的真正起源,载流子调制机制中的载流子只是结构缺陷的副产物,从而对磁性机制进行了较完整的诠释。利用所获得的Co掺杂ZnO稀磁材料,成功构造了全外延的(Zn,Co)O/ZnO/(Zn,Co)O隧道结。该隧道结在4K下磁场为2T时具有20.8%的正隧道磁电阻(TMR)。由于界面质量的改善与兼容性,TMR能保持到室温,说明实现了室温的自旋注入和传输。实验进一步发现双隧穿层的(Zn,Co)O基隧道结表现出反常的偏压相关隧道磁电阻曲线,不仅对深入认识自旋现象有重要意义,还将拓宽使用隧道结器件的偏压范围。实验还表明(5%) Co掺杂LiNbO_3材料也具有很好的室温稀磁特性,验证了基于缺陷的束缚磁极子机制。Co掺杂LiNbO_3是一种室温单相多铁材料,它的铁磁和铁电居里温度非常接近,分别为540K和610K。(本文来源于《清华大学》期刊2008-10-01）
宋成,潘峰[7]（2008）在《Co掺杂ZnO稀磁氧化物的局域结构与磁性》一文中研究指出稀磁半导体是一种先进的自旋源,有望成为巨磁阻读头之后第二代自旋电子器件的主要支撑材料。制备出有室温磁性的稀磁半导体薄膜材料,探索其磁性起源及实现从稀磁层到传统半导体层的自旋注入是当前研究的热点。我们用磁控溅射技术在一系列基片上制备了(4at.(本文来源于《中国真空学会2008年学术年会论文摘要集》期刊2008-10-01）
董燕[8]（2007）在《稀磁氧化物半导体的几何和电子结构研究》一文中研究指出稀磁半导体研究是自旋电子学中的一个重要研究领域,当前研究主要集中在高居里温度的稀磁氧化物和氮化物材料上,其室温铁磁性的来源是争论的焦点,探索该类系统与磁性有关的微结构是解释其磁性机制的关键。本论文简要回顾了自旋电子学、稀磁半导体以及稀磁氧化物的研究历史和现状;详细阐述了原子模拟方法、密度泛函理论以及电子结构计算方法?离散变分方法和ADF。我们首先利用原子模拟方法系统研究了Co掺杂TiO2和Fe掺杂SnO2系统中叁类典型中性缺陷团簇的局域构型和分布特性,并考察了二维表面相下缺陷团簇的偏析情况;最后我们采用基于密度泛函的第一性原理电子结构计算方法研究分析了纳晶稀磁氧化物的电子结构和磁性。我们的研究表明,叁种缺陷团簇[ C oT '' iVO?? ]×、[ C oT ' i CoT'iCoi?? ]×和[ C oT ' i CoT'iVO?? ]×在TiO2锐钛矿和金红石相中,大多喜欢不均匀的分布,这与实验上经常观测到的Co富集现象是吻合的;同时我们发现氧空位更喜欢靠近Co离子,这与第一性原理计算的结果是一致的。在TiO2二维表面相研究中,我们发现锐钛矿TiO2(011)面和金红石(110)面是最稳定的,与前人的DFT计算结果相一致,而且金红石(110)面的原子驰豫计算结果与实验测量非常吻合;不同Co掺杂缺陷团簇在不同表面的偏析能力差别很大:锐钛矿(001)和(100)面的[ C oT ' i CoT'iCoi?? ]×有很大的偏析能:1.77eV, 3.23eV; [C oT '' iVO?? ]×和[C oT ' i CoT'iVO?? ]×在(001)面的偏析能分别为0.49eV,0.33eV,这解释了实验中发现的Co偏析现象;金红石相TiO2(110)表面的[ C oT '' iVO?? ]×偏析能很小,与Park等人实验观测相符。对于Fe掺杂SnO2体系,计算结果表明,[ Fe S' n FeS'nVO?? ]×缺陷团簇喜欢非均匀的(4×4×1)和(4×2×1)分布,它们是孤立的顺磁中心来源;而较均匀的(2×2×2)、(2×2×4)和(3×3×3)分布则易形成磁有序结构,这解释了Fe3+离子顺磁结构(76%)和铁磁有序结构(24%)共存的实验现象。金红石SnO2纯净表面中,最稳定的为(110)面。(101)和(110)面的[ Fe S'' nVO?? ]×偏析能力较强,而叁价Fe离子缺陷团簇[ Fe S' n FeS'nVO?? ]×偏析能力较弱,更易存在于体内。最后我们研究了过渡金属掺杂锐钛矿TiO2纳晶结构特性,团簇的总磁矩与氧原子的化学配比有着非常重要的关系。纳晶团簇TM:Ti8O38 (TM=Fe, Co, Ni)的总磁矩要远小于标准化学配比的TM:Ti8O18团簇。(本文来源于《烟台大学》期刊2007-04-01）
稀磁氧化物论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
最近,稀磁半导体(DMS)兼具电子的电荷和自旋两种属性,可同时实现信息的传输、处理和存储,受到研究者的广泛关注。有着立方方铁锰矿结构的In_2O_3具有宽带隙(3.75 eV)、优良的电学性能、高的可见光透明性以及好的气敏性,已经成为自旋电子学材料的重要候选之一。尽管许多研究者已经报道了In_2O_3基DMS材料具有室温铁磁性,但该体系的铁磁性起源仍存在很大争议。本论文通过基于密度泛函理论的第一性原理计算了p-n共掺杂In_2O_3稀磁氧化物的电子结构与磁性,并对该体系的铁磁性起源机制做了深入讨论。1、利用第一性原理计算(MedeA-VASP软件)系统地研究了Co/Sn共掺杂In_2O_3体系的电子结构与磁性,并从热力学和动力学角度对比了掺杂Co原子位于晶格替位位置和间隙位置的稳定性。结果表明,对于Co单掺In_2O_3体系,晶格替位Co原子在热力学和动力学上都较间隙位置Co原子更加稳定。Sn原子共掺杂后,掺杂的Co原子仍然稳定存在于晶格替位位置,且体系具有更低的形成能,有望提高掺杂Co原子在In_2O_3体系中的固溶度。这很有可能是由于受主Co原子与施主Sn原子分别引入空穴和电子具有相反的电荷态而存在库仑静电吸引作用而引起的。Co单掺杂In_2O_3体系由于Co-O-Co的反铁磁耦合作用而未出现铁磁基态。然而,Sn的共掺杂引入了Co 3d、O 2p和Sn 5s轨道间的杂化作用,进而导致In_2O_3体系出现了稳定的铁磁态(?E_(FM-AFM)≈-260 meV)。进一步计算表明,即使在Co单掺和Co/Sn共掺杂In_2O_3中引入零价态的氧空位(V_O~0)缺陷,体系仍然表现为反铁磁基态,这主要是由于Co原子间的超交换作用为主导而产生的反铁磁交换作用所引起的。2、利用第一性原理系统地研究了非磁性Cu原子与Sn原子共掺杂In_2O_3体系的电子结构与磁性。结果表明,Cu单掺In_2O_3体系在热力学的富O生长环境以及动力学角度上都显示了晶格替位的Cu原子更加稳定。Sn原子共掺杂后,掺杂Cu原子仍然稳定存在于晶格替位位置,且具有更低的形成能。Cu单掺杂In_2O_3体系未出现铁磁基态,而Sn的共掺杂仅导致体系出现较弱的铁磁态基态(?E_(FM-AFM)=-24.3 meV),仍来源于Cu 3d O 2p Sn 5s轨道的杂化作用。为了获得更稳定的铁磁态,我们在两个Cu原子间引入一个N原子。对于Cu/N和Cu/N/Sn共掺杂In_2O_3体系,富O生长环境下晶格中替位Cu原子仍比间隙Cu原子具有低的形成能。且Cu/N以及Cu/N/Sn共掺杂In_2O_3体系都出现了稳定的铁磁基态(?E_(FM-AFM)=-131.3和-142.9 meV),铁磁性可考虑是由于Cu-N间和Cu-O的p-d杂化作用及N 2p和O 2p态间的p-p耦合作用而引起的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
稀磁氧化物论文参考文献
[1].阳生红,陈菲,张曰理.二氧化铈基稀磁氧化物的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报.2018
[2].沈陆航.p-n共掺杂In_2O_3基稀磁氧化物的电子结构与磁性[D].天津理工大学.2018
[3].潘非.Co/Sn非补偿p-n共掺杂调控In_2O_3稀磁氧化物的局域结构与磁性[D].天津理工大学.2017
[4].王诗琪.In_2O_3稀磁氧化物半导体的局域结构与磁、输运性能[D].天津理工大学.2014
[5].杨贵进.稀磁氧化物的制备及其铁磁性研究[D].兰州大学.2012
[6].宋成.钴掺杂稀磁氧化物的局域结构与磁学性能[D].清华大学.2008
[7].宋成,潘峰.Co掺杂ZnO稀磁氧化物的局域结构与磁性[C].中国真空学会2008年学术年会论文摘要集.2008
[8].董燕.稀磁氧化物半导体的几何和电子结构研究[D].烟台大学.2007
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