导读:本文包含了晶格掺杂论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:二氧化锰,钙离子,球磨法,超级电容器
晶格掺杂论文文献综述
齐建全,郭瑞,韩秀梅,钟瑞霞,赵芳芳[1]（2018）在《Ca~(2+)掺杂对MnO_2晶格结构的调制及其超级电容器性能的改善作用》一文中研究指出MnO_2存在很多不同的晶格相,作为超级电容器材料,其电荷存储能力通常被认为α-MnO_2>δ-MnO_2>γ-MnO_2相。本研究采用陶瓷工艺球磨混合KMn O_4、Mn SO_4·H_2O和Na OH,通过不同浓度的Ca~(2+)掺杂,在室温下可以直接合成不同形貌和晶型的MnO_2粉体。在采用去离子水作为介质时,获得α-MnO_2(硬碱锰矿),而用无水乙醇做介质,则获得γ-MnO_2(畸变水铝石)。在去离子水介质中,通过极其微量的Ca~(2+)(<100 mg/L)掺杂,可以使α相转化为α、γ混合相,从而形成对MnO_2晶格结构的调制,有效地提高MnO_2超级电容器电荷存储性能。掺杂浓度进一步提高则产生不明杂相,使性能转而劣化。因此,通过Ca~(2+)掺杂浓度的控制,可以控制物相。对其循环伏安特性的测试分析表明,其存储电荷的能力依次为调制的混合相MnO_2>α-MnO_2>γ-MnO_2。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2018年S1期）
司倩瑛[2]（2018）在《AlGaN基深紫外LED超晶格p型掺杂的研究》一文中研究指出AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)因其在光学存储、危险品检测、生物医药学、杀菌医疗、深度净化、固态照明、全彩色显示等众多领域的应用价值,吸引了许多研究学者的广泛关注。但是目前还存在一些亟待解决的难题,如载流子渗漏、p型掺杂困难、内量子效率依旧不高和低的光抽取效率功率等问题制约着AlGaN基深紫外LED进一步发展,因此为了能获得更高功率和内量子效率的深紫外LED,已经有多个研究课题组设计应用不同的器件结构对LED的性能加以改善和提高。本论文主要是基于课题组原有的实验数据和模拟工作,凝炼出基准的AlGaN基DUV-LED结构(本文称为传统结构),进一步应用APSYS软件针对其p型掺杂层进行研究,在一系列的数值模拟计算中,通过调整器件结构参数,提出具有更优性能的新型LED结构——变Al组分垒层的p型超晶格掺杂的AlGaN基DUV-LED(PSL型LED),即将电子阻挡层(EBL)之上的传统的p型AlGaN层设计成为变垒中Al组分的p型超晶格掺杂层,然后选取一系列模拟工作中的叁种特殊的新型PSL结构(p型超晶格的阱层中A1组分保持不变,改变垒层中Al组分)与传统结构相互比较,对四种结构的LED器件性能和内部物理机制进行研究和结果讨论,并通过实验进行验证。论文主要内容如下:1)首先简单介绍了 AlGaN基DUV-LED的基本性质和发光机理,然后讨论了 DUV-LED的市场应用前景、所存问题及解决方案。接着介绍了 AlGaN基DUV-LED的模拟方法,比如半导体器件的物理模型和基本方程,扼要介绍了 APSYS软件能够仿真的半导体器件种类,其操作环境和大致操作流程。2)对AlGaN基DUV-LED超晶格p型掺杂的研究,应用APSYS软件构建了四种不同的LED,结构A、B和C是新型超晶格p型掺杂结构,即将EBL层上传统的p型AlGaN层设计成为超晶格结构,超晶格的阱中Al组分都是0.4,垒层中Al组分不同,分别是0.5、0.55和0.6对应于结构A、B和C。结构D为传统的p型掺杂结构。然后对这四种结构进行模拟计算,通过比较内量子效率、发光功率、EL、电场强度、辐射复合效率、载流子浓度分布和能带结构图,发现垒层中A1组分为0.55的p型超晶格结构B,有更强的载流子限制作用,能使更多的空穴输运到有源区,从而有更优秀的器件输出性能。3)介绍了 PSL型AlGaN基DUV-LED的外延与表征,为了在实验上加以验证,我们用金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)的方法分别生长了理论模拟的新的p型超晶格结构B和传统结构D,对二者进行了实验表征,包含PL和CL特性的测试,实验结果表明新型的p型超晶格DUV-LED的发光性能和电学性能相对传统结构DUV-LED有大幅提升。实验结果与APSYS软件模拟计算的结果保持一致,使用新型的变A1组分垒层p型超晶格掺杂层结构的DUV-LED可以大幅提高器件性能,这种独特的设计方法有良好的应用前景和使用价值。(本文来源于《厦门大学》期刊2018-06-30）
朱亚军[3]（2018）在《不同晶格位掺杂以及梯度掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的制备及其电性能研究》一文中研究指出通过溶胶-凝胶法制备了不同晶格位掺杂以及梯度掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜,研究了A'位Y、A"位Mg和B位Zr掺杂以及梯度掺杂对CCTO薄膜显微结构以及电性能的影响。利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜分别表征了薄膜的物相结构和微观形貌。采用精密阻抗分析仪、介电温谱测试系统和压敏电阻直流仪测量了薄膜的介电以及压敏特性。首先研究了CCTO薄膜的最佳烧结温度,研究表明750℃时更有利于CCTO薄膜的制备。对该烧结温度下制备的CCTO薄膜的介电以及压敏特性进行了理论分析,认为CCTO薄膜的介电性能与内部导电晶粒尺寸和薄绝缘晶界的厚度有关,压敏特性与其内部存在的双肖特基势垒有关。A'位Y掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:A'位Y掺杂低频下能够提高CCTO薄膜的介电常数,增加CCTO薄膜的介电损耗,降低CCTO薄膜的介电频率和温度稳定范围,对CCTO薄膜的压敏性能影响不大,并未明显改变CCTO薄膜的非线性系数;A'位Y梯度掺杂可以显着改善CCTO薄膜的介电性能,Y上梯度更有利于提高介电常数,Y下梯度更有利于降低其介电损耗,Y梯度掺杂显着提高了CCTO的非线性系数,其中Y上梯度掺杂存在最高的非线性系数7.2。A"位Mg掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:A"位Mg掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数,中频附近显着减低了CCTO薄膜的介电损耗,并拓宽了介电频率和温度稳定范围,15mol%的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数高达7.4,这表明A"位Mg掺杂能够同时提高CCTO薄膜的电容和压敏性能;A"位Mg梯度掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数并降低了其介电损耗,但同时降低了CCTO薄膜的非线性系数。B位Zr掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:B位Zr掺杂使得CCTO薄膜的介电常数显着提升,介电损耗显着降低,其中20mol%的Zr掺杂薄膜室温1 kHz时的介电常数高达8124,而介电损耗低至0.023,同时B位Zr掺杂能够使得CCTO薄膜的介电频率和温度稳定范围得到显着提升,Zr掺杂量15mol%的CCTO薄膜的非线性系数获得最大值5.8;B位Zr上梯度掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数,并同时降低了其介电损耗,而且Zr上梯度掺杂薄膜的非线性系数高达8.3,这表明B位Zr上梯度掺杂能够同时提高CCTO薄膜的电容和压敏性能。(本文来源于《江苏大学》期刊2018-06-01）
刘丹[4]（2018）在《水滑石晶格中掺杂的Zn~(2+)对Au纳米催化剂的定位分散研究》一文中研究指出负载型Au纳米催化剂在多个催化领域具有高活性和选择性,引起了研究者们的极大关注。但Au纳米颗粒(Au NPs)的催化性能却受到其粒径大小和分散度的影响,因此,控制Au NPs的尺寸大小以及其分散性具有重大的研究意义。本文制备了一系列过渡元素同晶掺杂的水滑石(M-HTs,M=Zn2+、Fe3+、Co2+、Cr3+或Mn2+)负载Au催化剂(Au/M-HTs),拟利用过渡元素M的定位作用,控制Au NPs的尺寸和分散度。通过N2物理吸附、程序升温还原、X射线衍射仪、场发射透射电子显微镜以及多功能成像光电子能谱仪对催化剂尺寸,结构和组成进行表征分析。研究了 Au NPs的形成机理,并将该催化剂应用于1-苯乙醇氧化反应,探究了其结构和催化性能之间的关系。(1)晶格Zn2+对控制Au NPs形成的影响。STEM分析表明,Zn2+的分散度影响了 Au NPs的大小和分散性。XPS分析表明,Au NPs与Zn2+之间存在电子转移和相互作用。并探究了 Au NPs形成机理,发现水滑石晶格中Zn2+的分散度和Au与Zn之间的相互作用是影响Au NPs分散的两个关键因素。基于这两个关键因素得到的Au/Zn-HTs中Au NPs大小是1.8 nm,远小于传统方法得到的Au NPs。利用本实验法得到的催化剂的性能也优于传统方法,Au/Zn-HTs对苯乙酮的产率为92%,而传统方法制备的催化剂对苯乙酮的产率低于65%。(2)晶格中其它过渡元素(Fe3+、Co2+、Cr3+或Mn2+)对Au NPs形成以及催化活性的影响。当HTs中含有过渡元素时,Au/M-HTs中Au NPs的大小与传统方法得到的颗粒尺寸相当,但粒径分布较窄,表明过渡元素对Au NPs的大小以及对其分散度有一定的定位作用,但它的定位作用低于Zn2+。对本实验方法制备的催化剂对1-苯乙醇氧化反应的活性测试,发现Au催化剂的催化活性受到其尺寸大小和掺杂过渡元素的影响。当HTs中含有Fe3+和Cr3+,其活性优于传统方法制备催化剂;Co2+存在于HTs时,其活性与传统方法相差不大;当HTs中含有Mn2+,其活性低于传统方法得到的催化剂。(本文来源于《陕西师范大学》期刊2018-05-01）
黄诗浩,谢文明,汪涵聪,林光杨,王佳琪[5]（2018）在《双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响》一文中研究指出性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其直接带发光增强机理.本文研究了N型掺杂Si基Ge材料导带电子的晶格散射过程.N型掺杂Si基Ge材料具有独特的双能谷(Γ能谷与L能谷)结构,它将通过以下两方面的竞争关系提高直接带导带底电子的占有率:一方面,处于Γ能谷的导带电子通过谷间光学声子的散射方式散射到L能谷;另一方面,处于L能谷的导带电子通过谷内光学声子散射以及二次谷间光学声子散射或者直接通过谷间光学声子散射的方式跃迁到Γ能谷.当掺杂浓度界于10~(17)cm~(-3)到10~(19)cm~(-3)时,适当提高N型掺杂浓度有利于提高直接带Γ能谷导带底电子占有率,进而提高Si基Ge材料直接带发光效率.(本文来源于《物理学报》期刊2018年04期）
杨乾辉[6]（2017）在《In掺杂ZnO超晶格纳米材料的光学性质》一文中研究指出具有超晶格结构的InMO_3(ZnO)_m(M=In,Ga和A1等)同系化合物,由于具有优良的光电性能,一直受到人们的关注.近年来,大量的InMO_3(ZnO)m准一维超晶格纳米结构被成功制备.然而已有的工作主要集中在此类化合物的制备和结构表征上,对该同系物超晶格纳米结构的物性研究特别是光学性质、电学性质研究还很缺乏.对其物性深入研究将是下一步InMO3(ZnO)m同系超晶格纳米结构的研究重点.本论文研究工作以In_2O_3(ZnO)m纳米结构为主要研究对象,从In_2O_3(ZnO)m超晶格纳米带的光学、电学性质到In_2O_3(Zn0)m超晶格纳米棒的缺陷发光性质开展了一系列工作.论文包括五部分内容:第一章为绪论部分,介绍了准一维纳米材料的制备方法、光学性质和当前应用面临的挑战;第二章介绍了 In_2O_3(ZnO)m平面向超晶格纳米带的光致发光性质及其电学性质.第叁章介绍了 In_2O_3(ZnO)m超晶格纳米棒的制备和缺陷性质.第四章分两个小节分别介绍了ZnO纳米带-In_2O_3纳米颗粒复合结构和In掺杂层状ZnO超晶格纳米棒的制备和物性的初步研究.具体来说包括以下几个方面:1.利用化学气相传输法制备了小m值(m = 3,5)的In_2O_3(ZnO)m平面向超晶格纳米带.这种小m值纳米带的低温PL谱只显示一个很强的非对称宽激子发射峰,同时首次观察到该激子发射峰相对于纯ZnO纳米带存在14 meV的轻微蓝移.我们发现小m值时,纳米带的超晶格层-In/Zn-O层厚度略小于ZnO的激子波尔半径,由此带来较强的量子限域效应,超过了 In重掺杂导致的红移效应,最终导致激子峰蓝移.随后我们研究了这种纳米带的变温发光性质,得到了束缚到In施主的束缚激子(D0X→In)的激活能大约在18.3-25.7 meV范围,并通过带隙收缩经验公式得到相应的参数E0=3.370-3.373eV,α =1.0-1.2meV/K和β =500-520K.同时我们也分析和解释了低温到高温激子峰的展宽机制,发现低温下超晶格结构引起的势阱、势垒起伏导致的非均匀展宽占主导,高温下为温度相关的均匀展宽占主导.室温下的PL谱表明In_2O_3(ZnO)m纳米带的可见光区域发光峰被明显抑制,可能和In重掺杂形成的中性深能级复合缺陷有关.最后我们初步研究了其室温下的电学输运性质,发现欧姆接触的Ⅰ-Ⅴ线随着偏置电压增加,在3.7 eV左右开始出现了从线性到非线性转变的现象,并测得这种超晶格纳米带的电阻率(ρ)约为3.0Ω·cm,优于已报道的In掺杂ZnO纳米带.2.利用化学气相传输的方法合成了 In掺杂In_2O_3(ZnO)m(m = 17,19)超晶格纳米棒.通过XRD、Raman、TEM、EDS确认了产物为沿着纳米棒生长方向(c轴)分层堆垛的超晶格纳米棒.研究了纳米棒低温下的变温PL发光,观察到一个3.325 eV的未知峰A,可能和类结构缺陷有关.室温下分别在H2气和空气下对样品进行退火处理,发现样品的深能级缺陷发光同VZn或VZn相关的复合缺陷(用VZn-R表示)、Oi相关的复合缺陷(Oi-R)关联.用XPS进一步分析也证明纳米棒内部处于氧过量状态,说明样品存在较多的VZn/VZn-R缺陷,还存在Oi/Oi-R缺陷.我们用电子顺磁共振技术测试了样品,发现g～1.96处存在两个信号,1.9524和1.9443,分别来自于VZ-n和InZn0缺陷.同时测量了样品在H2气和空气下退火后的EPR变化,联合PL和EPR的退火变化关系可以推断样品的深能级发光主要来源于VZ-n或者VZn-R,而Oi相关的缺陷发光出现在更低能红光区域.值得注意的是用氙灯产生的白光照射样品后,g～1.96信号逐渐减弱,撤去光照后又逐渐恢复,具有很好的重复性,说明样品初始状态(无光照)下VZn和InZn缺陷主要以顺磁中心价态存在,而VZn-相关的缺陷可能是具有顺磁态的复合缺陷(InZn+-VZn-)0.通过二价态跃迁模型进一步讨论了缺陷的光致电离动力学过程.另外超晶格纳米棒在室温下表现出明显的铁磁性,可能来源于自补偿效应产生大量的VZn.3.(1)利用化学气相传输方法,1480℃下蒸发ZnO和In_2O_3混合物粉末首次成功制备出ZnO纳米带-In_2O_3八面体颗粒的复合结构.这种复合结构的主体部分为ZnO纳米带,而纳米带的头部则附着一颗In_2O_3八面体纳米颗粒.我们根据已有的文献报道提出了这种复合结构的生长机制,其中In_2O_3八面体纳米颗粒在生长过程中起到自催化的作用.另外通过PL发光揭示In_2O_3颗粒还能使得纳米带的表面部分钝化,从而导致近带边发射增强,深能级发射减弱.最后联合EPR结果,初步确认PL谱中的深能级发光可能来自于氧空位.(2)通过改变In掺入量,用气相法制备了 In掺杂ZnO层状纳米棒.这种纳米棒在SEM观察下为六棱柱状结构,六棱柱表面具有粗糙层状结构.用微区PL聚焦单根纳米棒,结果在可见光区域出现8条很强的尖锐峰.通过计算我们发现这些共振峰来源于纳米棒正六边形微谐振腔的回音壁谐振腔模式,而非普通的F-P谐振腔模式.层状结构可能有利于形成回音壁式微谐振腔共振.这些结果可能有利于未来把In掺杂ZnO层状纳米棒应用于微型可见光激光.(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2017-06-01）
江鹏飞,丛日红,杨韬[7]（2016）在《CaBa_(1-x)Pb_xZn_2Ga_2O_7中离子掺杂诱导的异常晶格扩张》一文中研究指出"114"系列化合物LnBaB_4O_(7+δ)(Ln=rare earth,Y~(3+),Sc~(3+),In~(3+),Ca~(2+);B=Co~(2+/3+),Fe~(2+/3+))由于其丰富物理性质如磁阻挫、氧存储而受到了广泛关注,其结构可以看成是由CoO_4/FeO_4连接构成的triangular(T1)层和Kagome(T2)层沿着c-轴交替堆积而成。"114"系列结构都是极性(本文来源于《中国晶体学会第六届学术年会暨会员代表大会论文摘要集——多晶（粉晶）衍射分会》期刊2016-12-19）
崔素珍,杨汉培,孙慧华,聂坤,吴俊明[8]（2016）在《Fe对NaNbO_3的晶格掺杂和同步异质结改性及其光催化性能》一文中研究指出运用溶剂热法及继之的高温晶化法制备钙钛矿结构NaNbO_3,并在此基础上同步获得了NaNbO_3晶格内Fe~(3+)的掺杂和NaNbO_3晶格外α-Fe_2O_3的异质结复合.观察到了同步改性NaNbO_3对水体罗丹明B(RhB)光催化降解效率的显着提升,最适Fe含量的改性NaNbO_3对罗丹明B 1 h内的降解率可达95%,表观一级动力学速率常数为改性前NaNbO_3的近7倍.运用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)、X光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、低温N2吸附-脱附(BET法),电子自旋共振光谱(ESR),紫外-可见漫反射光谱(DRS)及光致电流检测等表征和测量探明改性体系的组成及结构,并表明Fe~(3+)对Nb5+的掺杂取代可通过杂质能级形成、电子和空穴捕获以及溶氧吸附的促进从而有利于对罗丹明B的光催化降解;适量α-Fe_2O_3晶格外复合改性NaNbO_3可通过NaNbO_3与α-Fe_2O_3异质结间电子的跃迁和流动提高复合催化剂的光量子效率.Fe对NaNbO_3晶格内外改性促活的实质可能在于光生载流子迁移的促进和对其复合的抑制.(本文来源于《化学学报》期刊2016年12期）
刘光辉,江晓红,庄玉召,陆路德,PILIPTSOU,D,G[9]（2016）在《N掺杂TiO_2复合膜中N晶格位置转变》一文中研究指出采用磁过滤真空直流阴极弧蒸发工艺在石英基底上沉积N掺杂Ti薄膜,随后将其在马弗炉中以不同的退火温度(100~700℃)热处理制备N掺杂TiO_2薄膜,采用X线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、X线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析表征。结果表明:初始态N掺杂Ti薄膜为包含少量TiN相的Ti薄膜,在300℃退火处理时,N掺杂Ti薄膜直接氧化生成N掺杂金红石相TiO_2薄膜。初始态的N掺杂Ti薄膜表面平整、颗粒细密,与基底附着牢固,经700℃退火处理后,TiO_2颗粒得到了良好的结晶生长,薄膜厚度增加了60%。当热处理温度为600℃时,N掺杂TiO_2复合膜中替代型N开始转变为填隙型N,由于填隙型N具有更高的能级,这种N位置的转变进一步窄化了N掺杂TiO_2的能带宽度,提高了对可见光的利用率。(本文来源于《南京工业大学学报(自然科学版)》期刊2016年06期）
齐建全,郭瑞,韩秀梅,钟瑞霞,赵芳芳[10]（2016）在《Ca~(2+)掺杂形成MnO2晶格的调制对其超级电容器性能的改善》一文中研究指出MnO2存在很多不同的晶格相,作为超级电容器材料,其电荷存储能力通常被认为α--MnO2>γ-MnO2相。本文采用陶瓷工艺球磨混合KMnO4、MnSO4·H2O和NaOH,通过引入不同浓度的Ca2+掺杂,在室温下可以直接合成不同形貌和晶型的MnO2粉体。在采用去离子水作为介质时,获得α-MnO2(硬碱锰矿),而用无水乙醇做介质,则获得γ-MnO2(畸变水铝石)。在去离子水介质中,通过极其微量的Ca2+(<100ppm)掺杂,可以使α相转化为α、γ混合相,从而形成对Mn O2晶格结构的调制,有效地提高MnO2超级电容器电荷存储性能。掺杂浓度进一步提高则产生不明杂相,使性能转而劣化。因此通过Ca2+掺杂浓度和工艺的控制,可以控制物相,对其循环伏安特性的测试分析表明,其存储电荷的能力依次为调制的混合相Mn O2>α-MnO2>γ-Mn O2。(本文来源于《第十九届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2016-10-11）
晶格掺杂论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LED)因其在光学存储、危险品检测、生物医药学、杀菌医疗、深度净化、固态照明、全彩色显示等众多领域的应用价值,吸引了许多研究学者的广泛关注。但是目前还存在一些亟待解决的难题,如载流子渗漏、p型掺杂困难、内量子效率依旧不高和低的光抽取效率功率等问题制约着AlGaN基深紫外LED进一步发展,因此为了能获得更高功率和内量子效率的深紫外LED,已经有多个研究课题组设计应用不同的器件结构对LED的性能加以改善和提高。本论文主要是基于课题组原有的实验数据和模拟工作,凝炼出基准的AlGaN基DUV-LED结构(本文称为传统结构),进一步应用APSYS软件针对其p型掺杂层进行研究,在一系列的数值模拟计算中,通过调整器件结构参数,提出具有更优性能的新型LED结构——变Al组分垒层的p型超晶格掺杂的AlGaN基DUV-LED(PSL型LED),即将电子阻挡层(EBL)之上的传统的p型AlGaN层设计成为变垒中Al组分的p型超晶格掺杂层,然后选取一系列模拟工作中的叁种特殊的新型PSL结构(p型超晶格的阱层中A1组分保持不变,改变垒层中Al组分)与传统结构相互比较,对四种结构的LED器件性能和内部物理机制进行研究和结果讨论,并通过实验进行验证。论文主要内容如下:1)首先简单介绍了 AlGaN基DUV-LED的基本性质和发光机理,然后讨论了 DUV-LED的市场应用前景、所存问题及解决方案。接着介绍了 AlGaN基DUV-LED的模拟方法,比如半导体器件的物理模型和基本方程,扼要介绍了 APSYS软件能够仿真的半导体器件种类,其操作环境和大致操作流程。2)对AlGaN基DUV-LED超晶格p型掺杂的研究,应用APSYS软件构建了四种不同的LED,结构A、B和C是新型超晶格p型掺杂结构,即将EBL层上传统的p型AlGaN层设计成为超晶格结构,超晶格的阱中Al组分都是0.4,垒层中Al组分不同,分别是0.5、0.55和0.6对应于结构A、B和C。结构D为传统的p型掺杂结构。然后对这四种结构进行模拟计算,通过比较内量子效率、发光功率、EL、电场强度、辐射复合效率、载流子浓度分布和能带结构图,发现垒层中A1组分为0.55的p型超晶格结构B,有更强的载流子限制作用,能使更多的空穴输运到有源区,从而有更优秀的器件输出性能。3)介绍了 PSL型AlGaN基DUV-LED的外延与表征,为了在实验上加以验证,我们用金属氧化物化学气相淀积(MOCVD)的方法分别生长了理论模拟的新的p型超晶格结构B和传统结构D,对二者进行了实验表征,包含PL和CL特性的测试,实验结果表明新型的p型超晶格DUV-LED的发光性能和电学性能相对传统结构DUV-LED有大幅提升。实验结果与APSYS软件模拟计算的结果保持一致,使用新型的变A1组分垒层p型超晶格掺杂层结构的DUV-LED可以大幅提高器件性能,这种独特的设计方法有良好的应用前景和使用价值。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶格掺杂论文参考文献
[1].齐建全,郭瑞,韩秀梅,钟瑞霞,赵芳芳.Ca~(2+)掺杂对MnO_2晶格结构的调制及其超级电容器性能的改善作用[J].稀有金属材料与工程.2018
[2].司倩瑛.AlGaN基深紫外LED超晶格p型掺杂的研究[D].厦门大学.2018
[3].朱亚军.不同晶格位掺杂以及梯度掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的制备及其电性能研究[D].江苏大学.2018
[4].刘丹.水滑石晶格中掺杂的Zn~(2+)对Au纳米催化剂的定位分散研究[D].陕西师范大学.2018
[5].黄诗浩,谢文明,汪涵聪,林光杨,王佳琪.双能谷效应对N型掺杂Si基Ge材料载流子晶格散射的影响[J].物理学报.2018
[6].杨乾辉.In掺杂ZnO超晶格纳米材料的光学性质[D].中国科学技术大学.2017
[7].江鹏飞,丛日红,杨韬.CaBa_(1-x)Pb_xZn_2Ga_2O_7中离子掺杂诱导的异常晶格扩张[C].中国晶体学会第六届学术年会暨会员代表大会论文摘要集——多晶（粉晶）衍射分会.2016
[8].崔素珍,杨汉培,孙慧华,聂坤,吴俊明.Fe对NaNbO_3的晶格掺杂和同步异质结改性及其光催化性能[J].化学学报.2016
[9].刘光辉,江晓红,庄玉召,陆路德,PILIPTSOU,D,G.N掺杂TiO_2复合膜中N晶格位置转变[J].南京工业大学学报(自然科学版).2016
[10].齐建全,郭瑞,韩秀梅,钟瑞霞,赵芳芳.Ca~(2+)掺杂形成MnO2晶格的调制对其超级电容器性能的改善[C].第十九届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2016