导读:本文包含了抗辐照能力论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:集成电路,抗辐照,MAPS,读出系统
抗辐照能力论文文献综述
杜文,王东,沈凡[1]（2018）在《芯片抗辐照能力测试系统的设计与实现》一文中研究指出航空航天和高能物理实验的不断发展,对芯片的抗辐照能力提出了更高的要求。因此,如何精确的测量集成电路内部微结构电路的抗辐照能力,是必须考虑的问题。鉴于此,本文研制了一套能精确测试芯片抗辐照能力的系统。本文主要介绍该系统的硬件部分。该系统硬件部分由VC_BOARD、LU_BOARD和HPDAQ2组成。VC_BOARD主要包含一块MIMOSA芯片,该芯片是为正负电子对撞机实验设计的顶点和径迹探测器,是MAPS系列的主要探测器~([1][2])。该款探测器芯片用于带电粒子探测,它具有极高的空间分辨(几微米)、抗辐照能力~([3][4])(～10~(13) neqcm~2),可以精确定位被测芯片受辐照的位置。LU_BOARD是保护板,当击中MAPS芯片的粒子过多时,MAPS芯片内部的电流会急剧增大,该板能在电流过大时切断VC_BOARD的电源,从而保护MAPS芯片。HPDAQ2是自研的读出系统,能够将数据快速读出,通过光纤将数据传输至PC端进行数据处理~([5][6])。(本文来源于《第十九届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集》期刊2018-10-15）
周乐文,窦文华,安蔚钊[2]（2011）在《SOI技术及其抗辐照能力研究》一文中研究指出本文介绍了SOI技术的基本概念、主要优点、国内外研究现状等,着重介绍了SOI技术在抗辐照芯片制造方面的应用,介绍了辐照对电子器件的影响,分析了SOI技术在抗辐照方面的优势,并介绍了SOI技术的抗辐射加固方法,最后介绍了航天器面临的空间辐射环境,分析了采用SOI技术生产具有自主知识产权的航天用抗辐照芯片的可行性,提出了技术方案。(本文来源于《第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛论文集（A辑）》期刊2011-08-12）
彭绍泉,杜磊,庄奕琪,包军林,刘江[3]（2008）在《MOSFET抗辐照能力预测方法》一文中研究指出基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立起MOSFET抗辐照能力预测模型.利用该模型,可较好地通过辐照前的1/f噪声参量,预测辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移的情况.模型模拟结果与实际测量结果符合良好,验证了预测模型的正确性,并为工程应用提供MOSFET抗辐照能力预测方法.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年07期）
赵志刚[4]（2008）在《功率MOS器件抗辐照能力无损评价方法研究》一文中研究指出功率MOS器件,特别是VDMOS器件与现在高度发展的超大规模集成电路(VLSI)工艺相容,发展迅速,已经成为电力电子器件发展的主流。同时,它在航空、航天、核电、军事电子等辐照环境中应用非常广泛。为了保证使用的可靠性并且降低成本,人们迫切需要一种可靠并且低成本的无损评价方法来对其抗辐照能力进行评价。本论文研究功率MOS器件的辐照效应、辐照损伤机理、和1/f噪声物理机制;然后设计完成了功率MOS器件的电离辐照实验;在此基础之上,研究了功率MOS器件抗辐照能力无损评价模型和无损评价方法;并进一步研究了DC-DC电源无损评价方法;最后研究了DC-DC电源辐照寿命预兆单元。通过以上工作,本论文主要结论和研究结果有:1、实验结果表明,在电离辐照后,功率MOS器件阈值电压负向漂移;线性区跨导降低;漏电流增加;1/f噪声幅值增加。同时也发现,N型功率MOS器件的1/f噪声幅值比P型器件大一个数量级左右,所以P型功率MOS器件更适合于抗辐照应用。2、功率MOS开关器件辐照退化会对DC-DC模块产生显着影响,包括:阈值电压漂移导致DC-DC电源转换效率降低;漏电流和开启电阻的增加导致DC-DC电源功耗增加;噪声幅值的增加导致DC-DC电源整体噪声幅值的增加。3、建立功率MOS器件抗辐照能力无损评价模型,包括:1/f噪声幅值与辐照剂量之间的关系;辐照后边缘陷阱电荷与辐照前1/f噪声幅值的关系;辐照后阈值电压漂移量与辐照前1/f噪声幅值之间的关系。4、建立功率MOS器件抗辐照能力无损评价方法、实施步骤。5、建立基于功率MOS开关失效的DC-DC电源抗辐照能力无损评价方法。6、设计验证基于功率MOS开关失效的DC-DC电源辐照寿命预兆单元。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2008-01-01）
杨丽侠[5]（2008）在《肖特基二极管抗辐照能力表征技术研究》一文中研究指出为了满足航天电子系统对SBD抗辐照能力进行评估的要求,本论文课题通过理论研究和~(60)Coγ射线辐照实验数据分析,研究了器件辐照损伤效应及其抗辐照能力的表征方法。文中设计了SBD器件~(60)Coγ射线辐照实验,测试器件电特性和1/f噪声特性,详细分析器件损伤微观机制,深入研究辐照损伤对SBD器件正反向I-V特性和1/f噪声的影响,并确定反向漏电流、击穿电压和1/f噪声功率谱强度拟合参数B为器件抗辐照能力表征参量。研究结果表明,辐照主要产生电离效应,在器件表面的钝化层中引人界面态,使器件性能退化,反向击穿电压减小、漏电流变大、1/f噪声参数B急剧增加;但是没有明显引起正向特性变化。辐照诱生新的界面态,改变界面态密度分布,进而调制了肖特基势垒高度,增大表面复合速度,是引起器件性能退化主要原因,也是1/f噪声剧烈增加的主要原因。基于SBD辐照损伤机理及1/f噪声的总剂量效应、产生机制及1/f噪声的迁移率涨落和载流子数涨落模型的研究,建立SBD器件1/f噪声抗辐照能力表征模型。提出基于1/f噪声的SBD器件抗辐照能力表征技术,并依据SBD器件抗辐照能力表征参量及国军标,实现器件无损筛选。依据实验结果验证,参数B越大,偏离标准值越多,器件可靠性越差,抗辐照能力越低,在辐照环境下工作越容易失效。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2008-01-01）
王党会[6]（2007）在《用于筛选的VDMOS器件抗辐照能力表征参量研究》一文中研究指出近年来，随着对电子元器件低频噪声的深入研究，人们发现低频噪声能敏感地反映电子元器件内部潜在的缺陷。因此，可以用噪声来分析和表征电子元器件的质量和可靠性。与传统的方法相比较，噪声表征技术具有普遍适用性、高度灵敏性、非破坏性以及检测速度较快等优点。本文在电离辐照效应、1/f噪声产生物理机制等理论的基础上，进行了VDMOS器件的电性能测试、电离辐照实验以及噪声测试。获得了大量辐照前后VDMOS器件的电参数及噪声参数数据，并对VDMOS器件抗辐照能力的1/f噪声表征参量进行了深入研究，取得了以下研究成果：1．对不同沟道类型增强型的VDMOS器件、不同种类的军品和民品进行了60Co -g电离辐照实验，发现辐照前后1/f噪声的涨落与辐照引起阈值电压漂移、跨导退化之间有明显的相关性；2．对VDMOS器件在辐照前后电参数和噪声参数的比较，进一步从理论上分析了辐照前后阈值电压的漂移和线性区最大跨导的退化，从敏感性方面对两种表征方法做了比较，从理论上对两者的相关性方面做了证明；3．利用本文提供的VDMOS器件的抗辐照能力的分析方法，可以利用1/f噪声作为分析工具。通过测量VDMOS器件的1/f噪声，就可以对器件的质量、可靠性和抗辐照能力进行评估、表征和筛选。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2007-01-01）
李瑞珉[7]（2006）在《基于1/f噪声的MOSFET抗辐照能力无损表征方法》一文中研究指出随着大量商用高性能半导体器件用于宇航、核能等领域，越来越多的未加固MOSFET需要在核辐射条件下工作，为了在保证使用的可靠性的同时尽可能的降低成本，人们迫切需要一种可靠，快速，成本低廉的无损伤辐照效应预测方法来代替传统的辐射退火晒选方法。本文介绍了MOS器件电离辐照效应及1／f噪声物理机制，在此基础上，进行了噪声与电离辐照相关性的试验，获取了大量辐照前后MOS器件的电参数及噪声参数数据，并对MOS器件抗辐照能力的1／f噪声表征进行了深入研究，取得了以下研究成果：1、对不同沟道类型和沟道尺寸的MOSFET进行了~(60)Coγ辐照实验，发现辐照前1／f噪声与辐照引起阈值电压漂移、跨导退化及栅泄漏电流增加之间有明显的相关性。理论分析表明，电离辐照在MOS器件栅氧化层中激发的电荷会被Si／SiO_2系统中缺陷所俘获形成陷阱电荷，这些陷阱电荷的存在导致器件电参数发生改变，严重的还引起器件的实效。由于1／f噪声反应了栅中缺陷数目的多少，也就是反映了栅氧质量的好坏，因此辐照前的1／f噪声与辐照后器件的电参数变化体现出相关性。2、基于界面陷阱形成的氢离子运动两步模型和反应过程的热力学平衡假设，推导了MOSFET经历电离辐照后氧化层空穴俘获与界面陷阱形成间关系的表达式。利用初始1／f噪声功率谱幅值与氧化层空穴俘获之间的联系，建立了辐照前的1／f噪声幅值与辐照诱生界面陷阱数量之间的半经验公式，并通过实验予以验证。本文研究结果表明，由于辐照诱生的氧化层内陷阱通过与分子氢作用而直接参与到界面陷阱的建立过程中，从而使界面陷阱生成数量正比于这种陷阱增加的数量，因此辐照前的l／f噪声功率谱幅值正比于辐照诱生的界面陷阱数量。本文结果为1／f噪声用作MOSFET辐照损伤机理研究的新工具，对其抗辐照性能进行无损评估提供了理论依据与数学模型，并且通过实验给予验证。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2006-01-01）
毛慧顺,王国良,史焕章,刘念宗,张戈[8]（1994）在《闪烁体／光纤量能器的结构、材料和抗辐照能力》一文中研究指出描述了闪烁体／光纤的不同结构和材料对量能器抗辐照能力的影响。用北京正负电子对撞机将～１ＧｅＶ电子束对五个量能器模型逐步辐照到１０ｋＧｙ或６０ｋＧｙ。通过对不同累积辐照剂量时各模型不同断面的光产额的测量，研究和比较了辐照引起的损伤及损伤后的恢复。(本文来源于《核技术》期刊1994年03期）
王明刚,宋钦岐[9]（1989）在《电子器件抗辐照能力数据库的建立》一文中研究指出本文详细分析了大量的器件核辐照效应实验数据的具体组成,利用DBASEⅢ建立了电子器件核辐照效应数据库。(本文来源于《微电子学与计算机》期刊1989年12期）
抗辐照能力论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文介绍了SOI技术的基本概念、主要优点、国内外研究现状等,着重介绍了SOI技术在抗辐照芯片制造方面的应用,介绍了辐照对电子器件的影响,分析了SOI技术在抗辐照方面的优势,并介绍了SOI技术的抗辐射加固方法,最后介绍了航天器面临的空间辐射环境,分析了采用SOI技术生产具有自主知识产权的航天用抗辐照芯片的可行性,提出了技术方案。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
抗辐照能力论文参考文献
[1].杜文,王东,沈凡.芯片抗辐照能力测试系统的设计与实现[C].第十九届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集.2018
[2].周乐文,窦文华,安蔚钊.SOI技术及其抗辐照能力研究[C].第十五届计算机工程与工艺年会暨第一届微处理器技术论坛论文集（A辑）.2011
[3].彭绍泉,杜磊,庄奕琪,包军林,刘江.MOSFET抗辐照能力预测方法[J].半导体学报.2008
[4].赵志刚.功率MOS器件抗辐照能力无损评价方法研究[D].西安电子科技大学.2008
[5].杨丽侠.肖特基二极管抗辐照能力表征技术研究[D].西安电子科技大学.2008
[6].王党会.用于筛选的VDMOS器件抗辐照能力表征参量研究[D].西安电子科技大学.2007
[7].李瑞珉.基于1/f噪声的MOSFET抗辐照能力无损表征方法[D].西安电子科技大学.2006
[8].毛慧顺,王国良,史焕章,刘念宗,张戈.闪烁体／光纤量能器的结构、材料和抗辐照能力[J].核技术.1994
[9].王明刚,宋钦岐.电子器件抗辐照能力数据库的建立[J].微电子学与计算机.1989