导读:本文包含了双重图形论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:中考数学,图形与坐标,数形结合
双重图形论文文献综述
张书阳[1]（2018）在《执行与解释:图形与坐标的双重关系——2017年中考“图形与坐标”专题解题分析》一文中研究指出图形与坐标就是把几何图形"搬"到直角坐标系中,用数来刻画形,用形来直观地表示数.把数与形紧密地结合在一起,是解析法的重要内容.其主要内容有坐标与图形位置、坐标与图形运动,它涉及图形的性质与变化,以及坐标与图形的综合题,一般设置在几种知识的交会处,需灵活运用数学思想方法才能顺利解决.(本文来源于《中国数学教育》期刊2018年05期）
赵智[2]（2017）在《一种基于窗口的双重图形版图分解方法》一文中研究指出随着集成电路特征尺寸的不断地缩小,工业上使用的193nm光刻波长已经达到了分辨率极限。短期内极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,EUVL)又难以投入生产,双重图形技术(Double Patterning Technology)成为了解决光刻问题的最有效方法。但是,在实际的设计当中,这样双重图形版图的分解并不总是可行的,尤其是在具有复杂图形的金属层中。这时需要插入缝合点将完整图形进行切割,并将分解后的图形分配到不同掩膜版上,以此消除图形冲突。但引入过多的缝合点也会导致光刻质量下降,线端极易产生光刻畸变,从而造成电路故障。为了减少双重图形版图分解过程中引入的缝合点数目,本文提出一种基于窗口的双重图形版图分解方法。具体步骤为:1)根据布线后的版图实际尺寸,按照一定规则将版图虚拟拓展为正方形;2)使用图形匹配的方式对原始版图进行简单矩形分解,为奇数环的构建做好准备;3)根据拓展后版图的尺寸,将拓展后版图划分为若干窗口,为最后的迭代分解做好准备;4)提取出跨越窗口的图形,利用奇数环构建的方法对这些图形进行版图分解,并保持后续步骤中,它们的优先级最高,不首先对它们进行操作;5)在每一轮迭代窗口内部构建奇数环,通过窗口的迭代完成双重图形技术版图的分解。本文在45纳米工艺条件下进行了实验。实验结果表明,对电路c5315、c7552、s38417的M2层使用本文出的基于窗口的双重图形版图分解方法后,与普通的版图分解方法相比较,本文方法引入缝合点数量分别可以减少11.34%、14.38%、8.1%。同时本文进行了光刻仿真,与普通双重图形版图分解方法进行对比,光刻热点数目分别减少了17.54%、15.58%、13.15%,验证了本文方法的有效性。(本文来源于《大连理工大学》期刊2017-04-30）
于丽贤,粟雅娟,韦亚一[3]（2016）在《一种新型双重图形技术拆分方法》一文中研究指出基于奇数周期理论,提出一种新型快速高效率的双重图形技术(DPT)拆分方法。对于图形拆分过程中遇到的剩余违规冲突问题,分析其存在的原因,阐述了已知解决途径;基于奇数周期理论,详细阐述了新型图形拆分方法的实现步骤,该方法主要适用于未在设计阶段考虑兼容DPT的设计版图,能够对版图顺利完成包含更改设计和引入切割的图形拆分过程;采用新方法拆分实际版图,进一步证明了该方法能够同时减少剩余冲突和引入切割数目;采用EDA工具模拟了拆分之后进行光源掩膜优化(SMO)和光学临近效应修正(OPC)的光刻分辨率增强流程,验证了DPT能够提高分辨率、增大光刻工艺窗口。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2016年04期）
巨筱[4]（2015）在《C语言中用双重循环解决图形打印类问题探究》一文中研究指出本文从C语言中打印输出一个简单图形入手,分析了C语言中如何用双重循环解决图形打印的思路,提出了解决图形打印类问题的解决方案,最后通过举一反叁的例子进行了论证,得出结论找到了解决问题的一般规律。(本文来源于《考试周刊》期刊2015年52期）
郝一江[5]（2014）在《时间图形的双重本原》一文中研究指出对于康德的时间图形理论,海德格尔有两种不同解释:一是认为过去构成时间的本原,只有过去才是作为时间的时间;二是认为未来构成时间的本原,未来先行规定现在与过去的综合统一,只有未来才能提供时间图形的框架结构。文章阐明:本原分为定义本原与生成本原,过去构成时间图形的定义本原,未来构成时间图形的生成本原;语言是造成双重本原的终极原因,语言(此在)是对于时间的存在建构,语言的谓词功能建构时间的未来维度,语言的名词功能建构时间的过去维度。(本文来源于《重庆理工大学学报(社会科学)》期刊2014年11期）
张芸[6]（2013）在《双重图形技术在后端设计中的解决方案》一文中研究指出当集成电路设计进入20纳米技术节点的时候,其对应的半间距(Half Pitch,HP)是32纳米,而最先进浸入式光刻系统只能支持最大半间距40纳米,可见其没有足够的成像能力。深紫外(EUV)技术的曝光波长可以下降到13.5纳米,并且被认为是下代光刻技术的实际光源。然而在深紫外光刻技术适合大量生产前,需要一个合适的曝光技术来弥补浸入式ArF和深紫外扫描仪之间的空白。双重图形技术(Double Patterning Technology, DPT)是这样一种延长浸入式ArF系统可用性的技术。值得注意的是,DPT放宽了电路版图的最小间距。因此水介质浸入式ArF系统能够延伸到32纳米技术节点以下。DPT只需对现有光刻基础设施进行很小的改动,就可以有效填补更小节点的光刻技术空白。本论文阐述了DPT在EDA后端设计中理想的解决方案是从布局布线阶段开始将DPT考虑进去,接着进行快速的、独立的一致性检查,从而能够在设计早期发现问题。另外一个关于物理实现的关键因素是对DPT效应的提取。这些效应需要准确的建模从而保证准确的时序签核。Synopsys的IC Compiler布局布线通过使用相关技术规避双重图形违规(DRC violation)和遵守半导体晶圆代工厂(Foundry)指定的双重图形设计规则,从而自动兑现双重图形需求。从布局开始,双重图形间距就被用来阻止由于标准单元(Standard Cell)相邻而引起的双重图形规则违规。布线通过额外考虑双重图形路径资源来识别出拥堵点,且这个拥堵点地图还能够用来调整平面图或者在布线早期实施拥堵移除。而后布线阶段可以预防、探测以及纠正双重图形路径违规。用户可以调用同步(In-Design)物理验证工具IC Validator使用设计规则检查签核检查版图,从而在IC Complier中加速设计规则收敛。该同步技术通过IC Validator和IC Compiler的密切合作,从而为20纳米设计提供了高度有效的解决方案,物理验证对DPT的解决方案包括库单元的着色、DPT一致性检查和自动修补技术,该一致性检查保证版图可以被分解成两个分立的图形。StarRC作为工业界领先的寄生参数提取工具,知道如何为DPT效应准确的建模,从而使得签核结果能够跟硅片密切的匹配。(本文来源于《复旦大学》期刊2013-03-01）
贾永林[7]（2012）在《利用双重循环实现图形打印的一般方法研究》一文中研究指出"循环结构"是江苏省高中信息技术学业水平测试(选修为算法与程序设计)中的一个重点考点。近几年来的学业水平测试中经常出现利用双重循环打印图形的题型。阅读教材《算法与程序设计》(选修、教育科学出版社)可以发现,在讲解双重循环打印图形知识点时,教材仅列举了一个图形打印的例子,列出了代码,而并未就双重循环的具体涵义、代码执行流程及图形打印的一般编程规律等做详细的讲解归纳。因此,想仅仅通过此例来掌握双重循环的涵义和图形打印的一般方法,教材内容是远远不够的。这也就导致了学生在作答此类问题时,对双重循环的程序结构阅读不懂,不知如何下手答题。(本文来源于《长叁角(教育)》期刊2012年11期）
姚树歆[8]（2011）在《基于32nm光刻双重图形技术的研究和工艺实践》一文中研究指出近十年来,随着半导体技术的不断进步,器件的功能也不断强大。然而随之而来的制造难度也与日俱增。为了便于半导体生产商突破制造技术的瓶颈,生产导向型设计(DFM)应运而生。而作为生产导向型设计的重要组成部分,光刻分辨率增强技术(RET)和光学临近效应修正技术(OPC)得到了业界的普遍重视。随着半导体技术大步迈向32纳米技术节点,通常的RET和OPC已经无法满足更高技术代的要求,双重图形光刻技术(Double Patterning Lithography)、高折射率浸没式光刻技术(High Index Immersion Lithography)以及极紫外光刻技术(Extremely Ultra Violet Lithography)等光刻分辨率增强技术应运而生。然而,高折射率浸没式光刻所选择的液体和镜头组的开发仍然没有定论；EUV受制于过低的光源功率、光刻版的缺陷率、光刻胶的选择、过低的产能等诸多难题,在短时间内量产的可能性不大。目前,作为这些光刻分辨率增强技术之一的双重图形浸没式光刻技术,被认为是在2011年前实现32纳米甚至22纳米技术的唯一可行性解决方案。双重图形的原理是将一套高密度的电路图形分解成两套分立的、密度低一些的图形,然后将它们印制到目标圆晶上。双重图形被当作是一种能够使本已很难再降低的k1因子(表征光刻工艺复杂度的参数)得以继续减小的主流方案,在2006年,它已经加入ITRS中。目前此技术仍处在研发阶段,尚有若干技术问题需要研究解决。国外知名的研发机构乃至有实力的半导体大公司都在投入大量人力物力进行研发使其能成为解决32nm技术节点的可行性量产技术。国内由于技术代和国际上的差距,虽然现阶段无法量产32nm,但对其研发终究会指导未来的技术走向,并在现有设备前提不变的条件下或只需对现有光刻基础设施进行很小的改动,就可以有效地填补45nm到32nm,浸没式光刻与EUV之间的甚至更小节点的光刻技术空白。利用该技术提高设备的工艺能力,为解决光刻机的设备资本高投入从而降低成本做出贡献。(本文来源于《复旦大学》期刊2011-10-10）
潘意杰,陈晔[9]（2008）在《双重图形技术的优化设计》一文中研究指出作为集成电路光刻设计下一节点发展的候选之一,双重图形技术(DPT)面临的诸多复杂过程将影响其在制造领域的迅速应用,其中最突出的因素是设计的复杂度和数据量急剧增长。通过分析版图分解问题和光学邻近校正(OPC)中的信息重用,在重分解修正后的版图与前次OPC数据-分段和段偏移量之间建立了关联,并进行了相关实验。实验结果表明,在保证版图校正精确度的同时,可节省大量的运行时间,同时也有效地缩短了DPT的流程。(本文来源于《机电工程》期刊2008年12期）
[10]（2008）在《双重图形成像技术成本与复杂性之战》一文中研究指出今年在SEMICON West的Sokudo光刻早餐论坛上,重点讨论了双重图形成像技术的挑战。可以确定,双重图形成像技术并未解决所有难题,但即便如此,对32nm成像而言,已被认定为最有前景的技术,对22nm成像来说也可能如此。(本文来源于《集成电路应用》期刊2008年Z2期）
双重图形论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着集成电路特征尺寸的不断地缩小,工业上使用的193nm光刻波长已经达到了分辨率极限。短期内极紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography,EUVL)又难以投入生产,双重图形技术(Double Patterning Technology)成为了解决光刻问题的最有效方法。但是,在实际的设计当中,这样双重图形版图的分解并不总是可行的,尤其是在具有复杂图形的金属层中。这时需要插入缝合点将完整图形进行切割,并将分解后的图形分配到不同掩膜版上,以此消除图形冲突。但引入过多的缝合点也会导致光刻质量下降,线端极易产生光刻畸变,从而造成电路故障。为了减少双重图形版图分解过程中引入的缝合点数目,本文提出一种基于窗口的双重图形版图分解方法。具体步骤为:1)根据布线后的版图实际尺寸,按照一定规则将版图虚拟拓展为正方形;2)使用图形匹配的方式对原始版图进行简单矩形分解,为奇数环的构建做好准备;3)根据拓展后版图的尺寸,将拓展后版图划分为若干窗口,为最后的迭代分解做好准备;4)提取出跨越窗口的图形,利用奇数环构建的方法对这些图形进行版图分解,并保持后续步骤中,它们的优先级最高,不首先对它们进行操作;5)在每一轮迭代窗口内部构建奇数环,通过窗口的迭代完成双重图形技术版图的分解。本文在45纳米工艺条件下进行了实验。实验结果表明,对电路c5315、c7552、s38417的M2层使用本文出的基于窗口的双重图形版图分解方法后,与普通的版图分解方法相比较,本文方法引入缝合点数量分别可以减少11.34%、14.38%、8.1%。同时本文进行了光刻仿真,与普通双重图形版图分解方法进行对比,光刻热点数目分别减少了17.54%、15.58%、13.15%,验证了本文方法的有效性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双重图形论文参考文献
[1].张书阳.执行与解释:图形与坐标的双重关系——2017年中考“图形与坐标”专题解题分析[J].中国数学教育.2018
[2].赵智.一种基于窗口的双重图形版图分解方法[D].大连理工大学.2017
[3].于丽贤,粟雅娟,韦亚一.一种新型双重图形技术拆分方法[J].微纳电子技术.2016
[4].巨筱.C语言中用双重循环解决图形打印类问题探究[J].考试周刊.2015
[5].郝一江.时间图形的双重本原[J].重庆理工大学学报(社会科学).2014
[6].张芸.双重图形技术在后端设计中的解决方案[D].复旦大学.2013
[7].贾永林.利用双重循环实现图形打印的一般方法研究[J].长叁角(教育).2012
[8].姚树歆.基于32nm光刻双重图形技术的研究和工艺实践[D].复旦大学.2011
[9].潘意杰,陈晔.双重图形技术的优化设计[J].机电工程.2008
[10]..双重图形成像技术成本与复杂性之战[J].集成电路应用.2008