导读:本文包含了负向电压论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:镁合金,微弧氧化,负向电压,耐蚀
负向电压论文文献综述
崔学军,李晓飞,李特,林修洲[1]（2016）在《负向电压对AZ31B镁合金表面微弧氧化膜结构和耐蚀性的影响》一文中研究指出以Na2Si O3-Na OH-Na F溶液为电解液,采用双极性非对称脉冲电源的恒压加载方式,制备AZ31B镁合金表面微弧氧化膜。以扫描电镜和极化曲线为表征手段,研究在固定正向电压(260 V)条件下,负向电压对膜层形貌及腐蚀性能的影响。结果表明:负向电压40 V,氧化处理10~15 min,可获得致密层较厚的耐蚀微弧氧化膜;负向电压高于60 V,膜层容易烧蚀,表面产生大尺寸微裂纹,导致膜层耐蚀性能降低。适当的负向电压能够显着提高膜层的致密性,但必需控制电压的范围和氧化处理的时间。(本文来源于《中国腐蚀与防护学报》期刊2016年02期）
沈雁,王红星[2]（2016）在《负向电压对海洋平台铝合金钻探管表面微弧氧化膜组织和耐蚀性影响》一文中研究指出目的提高海洋平台铝合金钻探管的耐腐蚀性能。方法采用微弧氧化技术,在海洋平台钻探管用2A12铝合金表面制备氧化铝陶瓷膜。通过盐雾试验,研究负向电压对微弧氧化膜耐腐蚀性的影响,并通过扫描电子显微镜和光学显微镜对微弧氧化膜的微观形貌、组织结构进行分析。结果在微弧氧化处理过程中,随着负电压的升高,微弧氧化膜表面的孔径先增大后减小,膜表面变光滑。在一定负电压范围内,Al_2O_3相的含量随负电压的升高先增加,当负电压达到一极限值后,Al_2O_3相随负电压的升高而减少。负电压的增大能提高微弧氧化膜的耐腐蚀性,当负电压由8 V升高至24 V时,腐蚀速率由0.005 68g/(dm2·h)降低至0.000 28 g/(dm2·h),前者是后者的20倍;当负电压为4 V时,部分膜层剥落,腐蚀严重;当负电压增至24 V时,有效延缓了微弧氧化膜的腐蚀程度。结论在微弧氧化处理过程中,负电压对微弧氧化膜的制备有较大影响,增大负电压能有效提高微弧氧化膜的耐腐蚀性,此外基体本身所含的Fe、S等杂质是影响微弧氧化膜的主要因素。(本文来源于《表面技术》期刊2016年04期）
刘婷婷,刘向东,张雅萍,吕凯[3]（2014）在《KOH体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响》一文中研究指出负向电压对微弧氧化陶瓷膜形成有极其重要的影响。电解液组成变化时,负向电压也必须作相应调整,才能确保微弧氧化过程的稳定和氧化膜的质量。在含mSiO2·nH2O的KOH复合电解液中,在负向电压60~140 V的条件下对ZAlSi12Cu2Mg1合金进行微弧氧化。采用电涡流测厚仪、SEM和XRD对陶瓷膜进行表征,研究了负向电压对厚度、表面形貌、相组成及耐磨性的影响。结果表明:随着负向电压增大,膜厚增加,膜层中有显微裂纹存在;负向电压为120 V时,膜厚达到186.7μm,耐磨性好。膜层主要由Mullite及α-Al2O3相组成,但衍射谱中α-Al2O3相峰强较高。(本文来源于《材料热处理学报》期刊2014年08期）
闫淑芳,刘向东,陈伟东,王志刚,徐志高[4]（2015）在《硅酸盐体系负向电压对氢化锆表面微弧氧化膜的影响》一文中研究指出采用WHD-30型双向交流脉冲电源对氢化锆表面进行微弧氧化处理,研究了负向电压对氢化锆表面微弧氧化膜的厚度、表面形貌、截面形貌、相结构及阻氢性能的影响。实验选取电解液体系为Na2SiO3-NaOH-Na2EDTA体系,正向电压为350V,电源频率为200Hz,氧化时间为20min;氢化锆表面微弧氧化膜的阻氢性能采用真空脱氢实验进行测试。研究结果表明:负向电压在120~160V范围内变化时,氢化锆表面微弧氧化膜的厚度在30~90μm范围内,氧化膜的厚度随着负向电压的升高而增大。氧化膜外部为疏松层,存在孔洞和裂纹缺陷,氧化膜内部为致密层,与基体结合紧密,无孔洞和裂纹缺陷。氧化膜相结构由单斜相氧化锆(M-ZrO2)和四方相氧化锆(T-ZrO1.88)构成,并以单斜相氧化锆(M-ZrO2)为主。负向电压升高有利于增大氧化膜致密层的厚度,进而提高氧化膜的阻氢能力。当负向电压为160V时,氧化膜的阻氢能力最高,氢渗透降低因子(PRF,permeationreductionfactor)值达到10.4。(本文来源于《稀有金属》期刊2015年10期）
郭泉忠,张伟,杜克勤,王荣[5]（2012）在《电化学阻抗谱研究负向电压对AZ31B镁合金微弧氧化陶瓷层致密性的影响》一文中研究指出采用单极性和双极性脉冲,分别改变几种不同正向电压时的负向电压,在AZ31B镁合金表面制备了微弧氧化膜。利用电化学阻抗谱和扫描电镜研究氧化膜的等效电路元件值以及微观结构的变化,从而分析负向电压对镁合金微弧氧化膜致密性的影响。结果表明:负向电压对于微弧氧化陶瓷膜致密性具有至关重要的作用,适当的负向电压可以有效地提高膜层致密性。并且,不同的正向电压下形成致密氧化膜的负向电压都约为30 V,不随正向电压变化而变化。(本文来源于《中国腐蚀与防护学报》期刊2012年06期）
钟学奎,陈伟东,闫国庆[6]（2011）在《负向电压对氢化锆表面防氢渗透层的影响》一文中研究指出采用微弧氧化技术在氢化锆表面制备防氢渗透层.采用磷酸盐电解液体系,溶液组成为Na5P3O1012 g/L,NaOH1.5 g/L,Na2EDTA 2 g/L.实验中正向电压为350 V,频率固定在200 Hz,通过改变负向电压在氢化锆表面制备防氢渗透层,负向电压的变化范围为120～160 V.采用XRD,SEM和称重试验等分析测试方法对膜层的厚度、组成、结构和形貌等进行了分析.实验结果表明,膜层的厚度随着负向电压的增加而减小,厚度在72.5～62μm之间变化.膜层的氢渗透降低因子(PRF值)随着负向电压的增大由9.8下降到7.6;负向电压对膜层的组成和结构无明显影响规律.(本文来源于《内蒙古科技大学学报》期刊2011年02期）
赵晖,朱其柱,金光,易赟[7]（2010）在《负向电流密度对镁合金微弧氧化电压及陶瓷膜的影响》一文中研究指出以恒流模式在含有硅酸钠、氟化钾、甘油、氢氧化钾的电解液中对AM50镁合金进行微弧氧化。研究了正向电流密度恒定时,负向电流密度对正向电压及陶瓷膜表面形貌、显微硬度和厚度的影响。结果表明,不同负向电流密度对应的正向电压随时间的变化都呈先快速增长后趋于稳定的变化趋势,而随负向电流密度的增大,不同负向电流密度对应的正向电压(同一时刻)呈先增加后逐渐降低的变化趋势;随负向电流密度的增大,氧化膜表面微孔数量先减少后增加,而陶瓷膜表面微孔孔径变化不大,都在1～5μm范围内;提高负向电流密度有利于增加微弧氧化陶瓷膜的硬度与厚度。(本文来源于《特种铸造及有色合金》期刊2010年09期）
程海梅,宁成云,郑华德,谭帼馨,马强[8]（2009）在《负向电压对纯钛微弧氧化膜层结构特征的影响》一文中研究指出采用微弧氧化技术,以β-甘油磷酸钠和乙酸钙混合溶液为电解液,在固定正向电压(450V)和氧化时间(5min)等参数情况下,研究了负向电压对纯钛表面微弧氧化膜层的相组成和形貌的影响规律。结果表明:负向电压为100~200V时,微弧氧化膜层较均匀,膜层由二氧化钛和磷酸叁钙组成;负向电压升至300V,膜层表面被严重烧蚀,其主要物相为钛酸钙。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2009年06期）
刘忠德,付华,孙茂坚,张中元[9]（2009）在《负向电压对镁合金微弧氧化膜层的影响》一文中研究指出研究了负向电压对镁合金微弧氧化陶瓷膜层的表面形貌,厚度及相组成的影响,试验结果表明负向电压对膜层的质量影响很大,它能使膜层表面空隙率降低且光滑平整,并显着提高镁合金微弧氧化的膜层厚度,但同时负向电压的变化应控制在一定范围之内。经对微弧氧化试样的膜层进行SEM、XRD以及厚度的检测,分析了不同负向电压对镁合金微弧氧化膜层的影响,得到一组较为稳定的正负向电压参数,使得镁合金微弧氧化膜层的效果得到较好的提高。(本文来源于《轻金属》期刊2009年04期）
乌迪,刘向东,吕凯[10]（2008）在《负向电压与氧化时间对AZ91D微弧氧化膜层形成特性的影响》一文中研究指出在硅酸盐体系下对AZ91D镁合金进行了微弧氧化处理,研究了负向电压和氧化时间对微弧氧化膜层特性的影响,并通过XRD、金相显微镜及SEM对氧化膜进行了相结构和表面形貌的分析。结果表明,随着负向电压的提高,膜厚逐渐增加,表面孔洞增大,但孔洞及微裂纹的数量减少,当负向电压为120V时,膜厚达到157μm,孔洞及裂纹数量最少。延长氧化时间,使得微弧氧化膜层厚度增加,膜层生长速率先增大后减小。氧化膜层主要由立方结构MgO和镁橄榄石相Mg2SiO4构成,衍射谱中未发现Mg的衍射峰,氧化膜层致密性较好。陶瓷膜层由致密层和疏松层组成且与基体结合紧密。(本文来源于《特种铸造及有色合金》期刊2008年07期）
负向电压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目的提高海洋平台铝合金钻探管的耐腐蚀性能。方法采用微弧氧化技术,在海洋平台钻探管用2A12铝合金表面制备氧化铝陶瓷膜。通过盐雾试验,研究负向电压对微弧氧化膜耐腐蚀性的影响,并通过扫描电子显微镜和光学显微镜对微弧氧化膜的微观形貌、组织结构进行分析。结果在微弧氧化处理过程中,随着负电压的升高,微弧氧化膜表面的孔径先增大后减小,膜表面变光滑。在一定负电压范围内,Al_2O_3相的含量随负电压的升高先增加,当负电压达到一极限值后,Al_2O_3相随负电压的升高而减少。负电压的增大能提高微弧氧化膜的耐腐蚀性,当负电压由8 V升高至24 V时,腐蚀速率由0.005 68g/(dm2·h)降低至0.000 28 g/(dm2·h),前者是后者的20倍;当负电压为4 V时,部分膜层剥落,腐蚀严重;当负电压增至24 V时,有效延缓了微弧氧化膜的腐蚀程度。结论在微弧氧化处理过程中,负电压对微弧氧化膜的制备有较大影响,增大负电压能有效提高微弧氧化膜的耐腐蚀性,此外基体本身所含的Fe、S等杂质是影响微弧氧化膜的主要因素。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
负向电压论文参考文献
[1].崔学军,李晓飞,李特,林修洲.负向电压对AZ31B镁合金表面微弧氧化膜结构和耐蚀性的影响[J].中国腐蚀与防护学报.2016
[2].沈雁,王红星.负向电压对海洋平台铝合金钻探管表面微弧氧化膜组织和耐蚀性影响[J].表面技术.2016
[3].刘婷婷,刘向东,张雅萍,吕凯.KOH体系下负向电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响[J].材料热处理学报.2014
[4].闫淑芳,刘向东,陈伟东,王志刚,徐志高.硅酸盐体系负向电压对氢化锆表面微弧氧化膜的影响[J].稀有金属.2015
[5].郭泉忠,张伟,杜克勤,王荣.电化学阻抗谱研究负向电压对AZ31B镁合金微弧氧化陶瓷层致密性的影响[J].中国腐蚀与防护学报.2012
[6].钟学奎,陈伟东,闫国庆.负向电压对氢化锆表面防氢渗透层的影响[J].内蒙古科技大学学报.2011
[7].赵晖,朱其柱,金光,易赟.负向电流密度对镁合金微弧氧化电压及陶瓷膜的影响[J].特种铸造及有色合金.2010
[8].程海梅,宁成云,郑华德,谭帼馨,马强.负向电压对纯钛微弧氧化膜层结构特征的影响[J].稀有金属材料与工程.2009
[9].刘忠德,付华,孙茂坚,张中元.负向电压对镁合金微弧氧化膜层的影响[J].轻金属.2009
[10].乌迪,刘向东,吕凯.负向电压与氧化时间对AZ91D微弧氧化膜层形成特性的影响[J].特种铸造及有色合金.2008