导读:本文包含了晶格梯度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:梯度流方法,薛定谔方程,稳态解,Lojasiewicz-Simon不等式
晶格梯度论文文献综述
张瑞凤,刘男[1]（2019）在《非线性光学晶格中的梯度流方法》一文中研究指出该文利用梯度流方法研究非线性光学晶格中经典薛定谔方程稳态解的存在性.文中首先给出了控制方程整体解的存在性,然后证明了当时间趋于无穷大时整体解收敛到一个平衡态(即光学晶格模型的稳态解).此外,通过Lojasiewicz-Simon不等式给出了收敛速度估计.(本文来源于《数学物理学报》期刊2019年05期）
朱亚军[2]（2018）在《不同晶格位掺杂以及梯度掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的制备及其电性能研究》一文中研究指出通过溶胶-凝胶法制备了不同晶格位掺杂以及梯度掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜,研究了A'位Y、A"位Mg和B位Zr掺杂以及梯度掺杂对CCTO薄膜显微结构以及电性能的影响。利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜分别表征了薄膜的物相结构和微观形貌。采用精密阻抗分析仪、介电温谱测试系统和压敏电阻直流仪测量了薄膜的介电以及压敏特性。首先研究了CCTO薄膜的最佳烧结温度,研究表明750℃时更有利于CCTO薄膜的制备。对该烧结温度下制备的CCTO薄膜的介电以及压敏特性进行了理论分析,认为CCTO薄膜的介电性能与内部导电晶粒尺寸和薄绝缘晶界的厚度有关,压敏特性与其内部存在的双肖特基势垒有关。A'位Y掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:A'位Y掺杂低频下能够提高CCTO薄膜的介电常数,增加CCTO薄膜的介电损耗,降低CCTO薄膜的介电频率和温度稳定范围,对CCTO薄膜的压敏性能影响不大,并未明显改变CCTO薄膜的非线性系数;A'位Y梯度掺杂可以显着改善CCTO薄膜的介电性能,Y上梯度更有利于提高介电常数,Y下梯度更有利于降低其介电损耗,Y梯度掺杂显着提高了CCTO的非线性系数,其中Y上梯度掺杂存在最高的非线性系数7.2。A"位Mg掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:A"位Mg掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数,中频附近显着减低了CCTO薄膜的介电损耗,并拓宽了介电频率和温度稳定范围,15mol%的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数高达7.4,这表明A"位Mg掺杂能够同时提高CCTO薄膜的电容和压敏性能;A"位Mg梯度掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数并降低了其介电损耗,但同时降低了CCTO薄膜的非线性系数。B位Zr掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:B位Zr掺杂使得CCTO薄膜的介电常数显着提升,介电损耗显着降低,其中20mol%的Zr掺杂薄膜室温1 kHz时的介电常数高达8124,而介电损耗低至0.023,同时B位Zr掺杂能够使得CCTO薄膜的介电频率和温度稳定范围得到显着提升,Zr掺杂量15mol%的CCTO薄膜的非线性系数获得最大值5.8;B位Zr上梯度掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数,并同时降低了其介电损耗,而且Zr上梯度掺杂薄膜的非线性系数高达8.3,这表明B位Zr上梯度掺杂能够同时提高CCTO薄膜的电容和压敏性能。(本文来源于《江苏大学》期刊2018-06-01）
闵长平[3]（2011）在《纳米微晶晶格畸变的高分辨电子显微研究及块体纳米晶铜的应变梯度效应》一文中研究指出本文第一部分内容是,用高分辨电子显微图像分析方法研究块体纳米晶铜中晶粒内部晶格的畸变情况。块体纳米晶铜中椭球状纳米颗粒的晶格畸变用提取高分辨图像亮点位置坐标的方法测得。样品表面非晶层的影响和衬度离位效应对高分辨图像中亮点位置的影响用模拟高分辨图像方法测得。结果表明,在距离晶界1.5nm的晶粒中心区域,高分辨图中亮点的间距能近似的看做原子柱间的间距。用高分辨图像分析法,我们测量了椭球状纳米晶粒内部的应变。我们发现椭球状纳米晶粒在长轴方向被压缩,短轴方向被拉伸,晶格产生了非均匀畸变。将块体纳米晶材料中的晶粒看成晶体嵌在非晶基底的非同质夹杂。用Sharm和Wheeler引入表面／界面-体的关联弹性关系改进的Eshelby等效夹杂理论形式计算了与实际椭球状的夹杂体形状和周围基体情况相近的非同质夹杂体的应变情况。比较得知,考虑了表面张力的计算结果与实验结果一致。这些说明界面张力引起了椭球状纳米颗粒晶格的非均匀畸变。本文的第二部分内容是,用微弯曲实验方法研究纳米晶薄膜的尺寸效应并用塑性形变应变梯度理论分析纳米晶铜的力学数据。通过测量同一样品的不同弯曲半径的卸载回弹后样品的曲率半径,计算得到不同晶粒大小,不同厚度的样品的无量纲弯曲力矩和表面应变的关系曲线。结果表明,粗晶铜薄膜有明显的尺寸效应,能与SG理论的预期符合很好；纳米晶铜薄膜没有表现出尺寸效应,SG理论的预期得到了不合理的负的内禀长度。说明当材料中晶粒尺寸为纳米量级时,材料的尺寸效应消失,应变梯度理论不再适用。究其原因可能是因为纳米材料的形变机制不再能用位错理论解释。(本文来源于《武汉大学》期刊2011-10-01）
王凯,张永刚,顾溢,李成,李好斯白音[4]（2009）在《异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善》一文中研究指出采用气态源分子束外延方法生长了叁种不同结构的扩展波长(室温下50%截止波长为2.4μm)InxGa1-xAs光电探测器材料,并制成了台面型器件.材料的表面形貌、X射线衍射摇摆曲线及光致发光谱表明,在InA lAs/In-GaAs异质界面处生长数字梯度超晶格可以明显提高材料质量;器件在室温下的暗电流结果显示,直径为300μm的器件在反向偏压为10mV时,没有生长超晶格结构的器件暗电流为0.521μA,而生长超晶格结构的器件暗电流降到0.480μA.同时,在生长InxA l1-xAs组分线性渐变缓冲层之前首先生长一层InP缓冲层也有利于改善材料质量和器件性能.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2009年06期）
向俊锋,舒春英,侯可悦,唐亚林,王春儒[5]（2006）在《利用双偶极脉冲场梯度反转恢复脉冲序列测量高场强核磁下水的自旋晶格弛豫时间》一文中研究指出核磁共振成像广泛应用于临床各种疾病的诊断,其应用范围主要受到核磁共振成像对比剂性能的影响。在成像过程中,往往加入成像对比剂,增加水的弛豫率,从而提高图像对比度。其中,水的自旋晶格弛豫时间(T_1值)对成像对比效率和体系的极化恢复时间起着关键(本文来源于《第十四届全国波谱学学术会议论文摘要集》期刊2006-10-01）
金英进,姜恩永,金光日,金成规,任世伟[6]（2001）在《共轭梯度法研究超晶格 Ga As/Al_xGa_(1-x)As的电子结构(英文)》一文中研究指出改进了一种从头计算方法—共轭梯度方法 ,研究了超晶格 Ga As/ A lx Ga1 - x A s的电子结构 .根据超晶格的基本方程 ,在固定电子密度 n(z)下 ,求解了基本方程的本征值和本征函数 ,并由它们组成新的 n(z) ,重复此过程直到得自洽解 .另按超晶格基本方程的具体情况 ,对每个 kz独立地应用了共轭梯度方法 ,此可大大节省与 Gram-Schm it正交化有关的时间 .计算了超晶格的两个最低子能带之间的能量差和 F ermi能量 ,其模拟计算的结果与对应的实验数值一致(本文来源于《Transactions of Tianjin University》期刊2001年02期）
氏家良博,秋山雅彦,林永洲[7]（1989）在《根据自旋-晶格弛豫时间推算古地温梯度》一文中研究指出用核磁共振法(NMR)测定的干酪根的~1H自旋-晶格弛豫时间(T_1),随埋深增大而有规律地增加。温度每增加10℃,有机质成熟的反应速度就增加一倍。从MITI-滨勇知钻井泥质岩中分离的干酪根样品,其T_1与古地温的关系图是充分考虑时间后绘制的。5个钻井和2个露头剖面样品的古地温梯度是在与MITI-滨勇知标准数据比较的基础上计算的。用这种方法算得的古地温梯度值,略低于不考虑干酪根的绝对地质年龄而算出的古地温梯度值。这一证据可用所有取样地点的沉积速率比MITI-滨勇知的低来解释。(本文来源于《地质地球化学》期刊1989年06期）
晶格梯度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过溶胶-凝胶法制备了不同晶格位掺杂以及梯度掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜,研究了A'位Y、A"位Mg和B位Zr掺杂以及梯度掺杂对CCTO薄膜显微结构以及电性能的影响。利用X射线衍射技术和扫描电子显微镜分别表征了薄膜的物相结构和微观形貌。采用精密阻抗分析仪、介电温谱测试系统和压敏电阻直流仪测量了薄膜的介电以及压敏特性。首先研究了CCTO薄膜的最佳烧结温度,研究表明750℃时更有利于CCTO薄膜的制备。对该烧结温度下制备的CCTO薄膜的介电以及压敏特性进行了理论分析,认为CCTO薄膜的介电性能与内部导电晶粒尺寸和薄绝缘晶界的厚度有关,压敏特性与其内部存在的双肖特基势垒有关。A'位Y掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:A'位Y掺杂低频下能够提高CCTO薄膜的介电常数,增加CCTO薄膜的介电损耗,降低CCTO薄膜的介电频率和温度稳定范围,对CCTO薄膜的压敏性能影响不大,并未明显改变CCTO薄膜的非线性系数;A'位Y梯度掺杂可以显着改善CCTO薄膜的介电性能,Y上梯度更有利于提高介电常数,Y下梯度更有利于降低其介电损耗,Y梯度掺杂显着提高了CCTO的非线性系数,其中Y上梯度掺杂存在最高的非线性系数7.2。A"位Mg掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:A"位Mg掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数,中频附近显着减低了CCTO薄膜的介电损耗,并拓宽了介电频率和温度稳定范围,15mol%的Mg掺杂CCTO薄膜的非线性系数高达7.4,这表明A"位Mg掺杂能够同时提高CCTO薄膜的电容和压敏性能;A"位Mg梯度掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数并降低了其介电损耗,但同时降低了CCTO薄膜的非线性系数。B位Zr掺杂以及梯度掺杂CCTO薄膜的研究表明:B位Zr掺杂使得CCTO薄膜的介电常数显着提升,介电损耗显着降低,其中20mol%的Zr掺杂薄膜室温1 kHz时的介电常数高达8124,而介电损耗低至0.023,同时B位Zr掺杂能够使得CCTO薄膜的介电频率和温度稳定范围得到显着提升,Zr掺杂量15mol%的CCTO薄膜的非线性系数获得最大值5.8;B位Zr上梯度掺杂提高了CCTO薄膜的介电常数,并同时降低了其介电损耗,而且Zr上梯度掺杂薄膜的非线性系数高达8.3,这表明B位Zr上梯度掺杂能够同时提高CCTO薄膜的电容和压敏性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶格梯度论文参考文献
[1].张瑞凤,刘男.非线性光学晶格中的梯度流方法[J].数学物理学报.2019
[2].朱亚军.不同晶格位掺杂以及梯度掺杂CaCu_3Ti_4O_(12)薄膜的制备及其电性能研究[D].江苏大学.2018
[3].闵长平.纳米微晶晶格畸变的高分辨电子显微研究及块体纳米晶铜的应变梯度效应[D].武汉大学.2011
[4].王凯,张永刚,顾溢,李成,李好斯白音.异质界面数字梯度超晶格对扩展波长InGaAs光电探测器性能的改善[J].红外与毫米波学报.2009
[5].向俊锋,舒春英,侯可悦,唐亚林,王春儒.利用双偶极脉冲场梯度反转恢复脉冲序列测量高场强核磁下水的自旋晶格弛豫时间[C].第十四届全国波谱学学术会议论文摘要集.2006
[6].金英进,姜恩永,金光日,金成规,任世伟.共轭梯度法研究超晶格GaAs/Al_xGa_(1-x)As的电子结构(英文)[J].TransactionsofTianjinUniversity.2001
[7].氏家良博,秋山雅彦,林永洲.根据自旋-晶格弛豫时间推算古地温梯度[J].地质地球化学.1989
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