导读:本文包含了普克尔斯效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅,普克尔斯效应,空间电荷区
普克尔斯效应论文文献综述
赵建勋[1]（2015）在《切向的近本征硅单晶的普克尔斯效应研究》一文中研究指出本研究采用金属-绝缘体-半导体的平板结构在(111)切向的近本征硅单晶的空间电荷区内观测到了线性电光效应。实验结果表明:硅单晶的线性电光效应十分可观,在设计硅基光电子器件时必须考虑。该效应在未来有可能作为一种研究硅器件的空间电荷区性质的工具。(本文来源于《河南科技》期刊2015年15期）
温海燕,雷林绪,张朝阳[2]（2014）在《基于普克尔效应的双晶体互易型光学电压传感器》一文中研究指出提出了一种基于普克尔效应的双晶体互易型光学电压传感器,利用两块电光晶体抵消无用双折射引起的相位差,利用法拉第旋光器实现互易型光路模式,提高了光路的抗干扰能力。在常温条件下,对传感器进行了直流和交流实验。0~3kV的直流电压和0至约2.5kV的交流电压测试结果表明,传感器的输出和输入具有良好的线性关系,直流测量误差不大于±0.28%,电压较高时交流测量误差不大于±0.22%。传感器对于输入电压的响应迅速没有明显拖尾现象且输出稳定,交流波形不失真。实验结果表明了该系统方案的可行性。(本文来源于《电测与仪表》期刊2014年10期）
温海燕,雷林绪,张朝阳,孙海江,叶志奇[3]（2013）在《基于普克尔效应光学电压互感器的研究现状与设计》一文中研究指出介绍了基于普克尔效应光学电压互感器的基本原理,分析比较了几种常见的基于普克尔效应的光学电压互感器传感头的结构;介绍了基于普克尔效应的光学电压互感器的国内外发展现状;设计了一种基于普克尔效应的横向调制反射式光学高压互感器。(本文来源于《智能电网》期刊2013年02期）
温海燕,雷林绪,张朝阳,孙海江[4]（2013）在《基于普克尔效应的双晶体光学电压互感器》一文中研究指出提出了一种基于普克尔效应的双晶体光学电压互感器。设计了双晶体光学电压传感单元和光学电压互感器系统。设计了3种互感器加压方式,并在常温条件下进行了交流实验。实验结果表明该传感单元在3种加压方式下的输出都具有良好的线性关系,响应迅速,无延迟;输出波形较好,无失真。在传感单元上直接接电极引出线测量灵敏度最强,金属圆筒和平行平板加压方式下互感器输出的变比误差较小,电压较高时变比误差不大于±0.12%。表明了该互感器设计方案的可行性,为下一步原理性样机的研制提供参考。(本文来源于《传感技术学报》期刊2013年10期）
温海燕,雷林绪,张朝阳,孙海江[5]（2013）在《基于普克尔效应的光学电压互感器的设计和实验》一文中研究指出随着电力系统电压等级的提高,传统电磁式电压互感器和电容分压式电压互感器的缺陷如绝缘结构复杂、存在磁饱和及铁磁谐振等将日益突出。光学电压互感器可有效克服传统电压互感器的固有缺陷。设计了一种基于普克尔效应的光学电压互感器,阐述了其结构及工作原理。设计并制作了器件化的传感头以及实验用的屏蔽装置,搭建了光学电压互感器实验系统,利用数字闭环检测技术来进行输出信号的处理。常温下,互感器在0-2.5kV直流电压下的测试结果显示,互感器的输出具有良好的线性关系,表明该光学电压互感器设计方案的可行性。(本文来源于《电网技术》期刊2013年04期）
张君,张雄军,吴登生,田晓琳,李明中[6]（2011）在《平均功率普克尔盒热效应数值模拟及应力双折射补偿》一文中研究指出高能重复频率运转条件下,用作激光隔离、多程放大控制的关键单元普克尔盒遇到了通光口径限制与热效应的双重挑战。在分析电光晶体由于光吸收引起的温度场应变场的基础上,给出电光开关应用于平均功率激光系统中时,透射激光的波前畸变及退偏损耗。当入射激光为50 J10 Hz,光束口径为60 mm×60 mm,填充因子为0.8时,波前畸变峰谷值为0.22λ,最大退偏损耗为3.7%。最后针对纵向电光效应等离子体电光开关,提出了热应力双折射补偿的方案。结果显示:补偿后的电光开关消除了热引起的退偏损耗,同时驱动电压为传统纵向电光效应半波电压的一半,降低了输出高电压脉冲电光开关驱动电源的设计难度。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2011年09期）
张君,张雄军,吴登生,田晓琳,郑建刚[7]（2011）在《高能重复频率运转条件下等离子体普克尔盒热效应及其控制理论分析》一文中研究指出在高能重复频率运转的激光系统中,用作激光隔离、多程放大控制的关键单元普克尔盒遇到了通光口径限制与热效应的双重挑战。采用等离子体电极技术将普克尔盒定标到大口径,通过选择吸收系数小且通光方向薄的KD*P作为电光晶体以减少对激光的吸收,并在此基础上数值分析了等离子体普克尔盒的热效应。提出了端面传导冷却电光晶体的热管理方法,并进行优化设计。数值模拟结果显示,采用单块白宝石传导冷却2块KD*P,普克尔盒的驱动电压可降低至27 kV。在平均功率密度35 W/cm2的激光持续辐照下,端面传导冷却的40 mm×40 mm口径等离子体普克尔盒全口径内最大退偏损耗为0.22%,波前峰谷(PV)值为0.60λ。(本文来源于《中国激光》期刊2011年01期）
张君,张雄军,吴登生,田晓琳,蒋新颖[8]（2010）在《边界主动加热管理平均功率普克尔盒热效应》一文中研究指出建立了平均功率激光辐照下,边界主动加热的电光晶体内3维各向异性热传输有限元模型及其热应力双折射模型,在此基础上分析了等离子体普克尔盒热效应。提出了边界主动加热控制电光晶体横向温度梯度热管理思想,并给出平均功率普克尔盒的光开关性能。结果表明:对于50J/10Hz、光束口径为50mm×30mm的激光系统,普克尔盒最大退偏损耗为3.58%,平均退偏损耗为0.9%,波前畸变为1.59λ。采用边界加热控制后,当加热功率密度为500W/m2时,最大退偏损耗为0.17%、平均退偏损耗为0.05%、波前畸变为0.26λ,普克尔盒热效应显着降低,满足设计要求。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2010年09期）
孙鉴波[9]（2009）在《硅材料场致普克尔斯效应和光整流效应的研究》一文中研究指出本论文首先从理论上分析了直流电场对硅材料的反演对称性的破坏作用,根据推导出的等效二阶非线性光学极化率的形式,证明直流电场沿[100],[ 011]和[111]晶向时,硅材料的对称性将由O h点群分别降低为C4 v, C2 v和C3 v点群。从而,我们推断硅材料中将具有直流电场诱导的场致普克尔斯效应和场致光整流效应。在此基础上,我们以沿(111)面切割的近本证硅材料为样品,设计了金属-绝缘体-半导体-绝缘体-金属(MISIM)型样品结构,采用Bias Tee电路在硅样品上同时沿[111]晶向施加直流电场和交流电信号,从实验上证明了硅样品中存在场致普克尔斯,并观测到在相同的交流调制电场作用下,电光信号的大小随直流偏压的增加而线性增大。此外,在同样的硅样品中,还观测到了场致光整流效应。通过测量光整流信号随入射线偏振光方位角的变化关系,证明在[111]晶向直流电场作用下,硅材料的确具有C3 v点群对称特征。进一步实验证实,场致光整流信号也随外加直流偏压的增加而线性增大。所得到的这些研究结果将为设计和研制新型硅基光电器件提供理论和实验依据,将有力推动硅基光电子学的发展。论文中所采用的研究方法对研究其它具有反演对称性的材料的非线性光学性质也具有重要参考价值。(本文来源于《吉林大学》期刊2009-05-01）
葛进[10]（2008）在《日证明水具有普克尔斯效应》一文中研究指出本报讯（ 葛进） 生活中，当我们向装着水的杯子底部看时，就会觉得水好像变浅了，这是因为光在水中产生了折射的缘故。近日，东京理工大学和电气通信大学的研究小组通过通入电压的方式，成功地使光在水中的折射率发生大幅度改变，证实了水也具有“普克尔斯效应”。(本文来源于《科技日报》期刊2008-07-22）
普克尔斯效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提出了一种基于普克尔效应的双晶体互易型光学电压传感器,利用两块电光晶体抵消无用双折射引起的相位差,利用法拉第旋光器实现互易型光路模式,提高了光路的抗干扰能力。在常温条件下,对传感器进行了直流和交流实验。0~3kV的直流电压和0至约2.5kV的交流电压测试结果表明,传感器的输出和输入具有良好的线性关系,直流测量误差不大于±0.28%,电压较高时交流测量误差不大于±0.22%。传感器对于输入电压的响应迅速没有明显拖尾现象且输出稳定,交流波形不失真。实验结果表明了该系统方案的可行性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
普克尔斯效应论文参考文献
[1].赵建勋.切向的近本征硅单晶的普克尔斯效应研究[J].河南科技.2015
[2].温海燕,雷林绪,张朝阳.基于普克尔效应的双晶体互易型光学电压传感器[J].电测与仪表.2014
[3].温海燕,雷林绪,张朝阳,孙海江,叶志奇.基于普克尔效应光学电压互感器的研究现状与设计[J].智能电网.2013
[4].温海燕,雷林绪,张朝阳,孙海江.基于普克尔效应的双晶体光学电压互感器[J].传感技术学报.2013
[5].温海燕,雷林绪,张朝阳,孙海江.基于普克尔效应的光学电压互感器的设计和实验[J].电网技术.2013
[6].张君,张雄军,吴登生,田晓琳,李明中.平均功率普克尔盒热效应数值模拟及应力双折射补偿[J].红外与激光工程.2011
[7].张君,张雄军,吴登生,田晓琳,郑建刚.高能重复频率运转条件下等离子体普克尔盒热效应及其控制理论分析[J].中国激光.2011
[8].张君,张雄军,吴登生,田晓琳,蒋新颖.边界主动加热管理平均功率普克尔盒热效应[J].强激光与粒子束.2010
[9].孙鉴波.硅材料场致普克尔斯效应和光整流效应的研究[D].吉林大学.2009
[10].葛进.日证明水具有普克尔斯效应[N].科技日报.2008