导读:本文包含了阶梯掺杂论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:碳化硅,光控,电流增益,变掺杂
阶梯掺杂论文文献综述
张颖颖[1]（2018）在《一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管》一文中研究指出提出并研究了一种具有阶梯变掺杂基区的Si C光控晶体管。通过Silvaco TACD计算机仿真平台,对具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管与常规均匀掺杂基区的SiC光控晶体管的性能进行了对比分析。结果表明,阶梯变掺杂基区结构可以产生加速载流子输运的感生电场,缩短基区渡越时间,改善器件开通性能。该结构提高了SiC光控晶体管的电流增益并缩短开通时间,但同时会损失部分关断性能。仿真结果显示,当变掺杂区浓度梯度为4.5×10~(20)cm~(-4)时,电流增益与开通时间改善幅度分别达到18%和32%,关断时间增加了约22%。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年08期）
李晓娜,袁震,孟敬恒,李子玉,何圣贵[2]（2015）在《单铂原子掺杂的铝氧化物团簇催化氧化CO研究:电负性阶梯效应》一文中研究指出单个Pt原子掺杂的氧化物催化剂在很多反应中都表现出优异的催化性能,~([1])例如CO氧化,水煤气转换(CO+H_2O→CO_2+H_2),HCHO氧化,以及加氢反应等。然而,目前科学家对单个Pt原子起催化作用的本质原因一直存在争议。本文中,我们通过对单个Pt原子掺杂的铝氧化物团簇阴离子(PtAl_3O_7~-),在分子(本文来源于《第十四届全国化学动力学会议会议文集》期刊2015-08-21）
周爱榕,王栋,高珊,陈军宁[3]（2015）在《全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET二维解析模型》一文中研究指出采用分离变量法求解柱坐标系下二维泊松方程,建立了考虑耗尽电荷和自由电荷的全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET的二维体电势模型,并在此基础上得到阈值电压和亚阈值摆幅的解析模型。研究了不同区域长度和漏压下的表面势,分析了不同掺杂的区域长度和掺杂浓度对器件性能的影响。结果表明,与均匀掺杂的GAA MOSFET相比,阶梯掺杂结构不仅降低了漏端电场,而且能更好地抑制短沟道效应和热载流子效应;通过对掺杂区域参数进行优化,可以提高器件的可靠性。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2015年02期）
刘东峰,林奕新,马彩虹[4]（2010）在《光泵调制掺杂阶梯量子阱THz激光器瞬态动力学的Monte Carlo模拟》一文中研究指出采用系综Monte Carlo(EMC)方法首次对光泵量子阱THz激光器的载流子瞬态动力学进行了分析.提出的器件原型为叁能级调制掺杂GaAs/GaxAl(1-x)As系列非对称阶梯量子阱,激射频率为6.1THz.模拟中包括了电子-电子、电子-光学声子和电子-声学声子等散射机制,采用调制掺杂以得到较高电子密度可以忽略电子-电离杂质散射.已报道的研究工作都是在量子阱中掺杂,而对于这种器件原型能否得到电子布居反转,报道的结果也是相互矛盾.器件原型在温度为77K,光泵强度达到一定值时可以得到电子布居反转,所得到的研究结果对相关的实验研究具有一定的指导意义.(本文来源于《电子学报》期刊2010年03期）
徐翠芹,Popadic,Milo,Nanver,L.K.,茹国平[5]（2010）在《用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)》一文中研究指出研究了应用双边C-V法测量超浅结(如p+-n结)的掺杂分布。推导了在已知p+-n结的电容-电压(C-VR)关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度(xn0)的情况下计算p区掺杂浓度分布的公式。xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,通过将n区掺杂设计成阶梯状,可实现对xn0的精确提取。用Medici对具有相同的阶梯状掺杂n区的p+-n和n-肖特基结进行器件仿真可得其C-VR关系。运用常规C-V法,由肖特基结的C-VR关系可提取出n区掺杂浓度。实现了对xn0的精确提取,其精度达1.8nm。基于精确的xn0,运用双边C-V法提取的p+区的掺杂浓度分布与Medici仿真结果非常吻合。(本文来源于《半导体技术》期刊2010年01期）
尹晓雪[6]（2010）在《固体激光器阶梯掺杂晶体研究》一文中研究指出如何有效的控制激光器热效应已经成为激光器研究重点之一。激光晶体的热效应由晶体的热耗、晶体自身的性质以及晶体散热方式共同决定。泵浦源的空间分布以及晶体的吸收性质这两者共同决定了吸收泵浦光在晶体中的空间分布和热耗。晶体对泵浦光的吸收取决于晶体掺杂浓度等晶体的性质,传统激光晶体为均匀掺杂浓度,晶体中泵浦光的吸收沿着吸收长度指数衰减,造成了晶体温度纵向分布不均匀,晶体端面热效应严重,晶体吸收效率沿着晶体长度方向逐渐降低,引起了吸收效率和温度分布的不一致性。本文主要讨论了晶体掺杂浓度对吸收泵浦光的影响,针对吸收造成的热效应纵向分布的不均匀,提出了分散热效应思路。根据激光晶体掺杂浓度与泵浦光吸收之间的关系得出了阶梯掺杂晶体模型。以LD端面泵浦Nd:YAG固体激光器为例,在实际制作工艺条件下,讨论了阶梯掺杂晶体的分段数、晶体掺杂浓度和晶体的长度,以使每段激光晶体吸收的热功率和热透镜焦距大致相等,总的热透镜焦距较大,在此基础上,提出了梯度掺杂晶体结构。最后仿真分析得到了晶体的温度分布和热透镜焦距变化。结果表明,与均匀掺杂晶体相比,采用阶梯掺杂晶体和梯度掺杂晶体,泵浦光的吸收功率密度沿纵向分布更加均匀,激光晶体的温度明显降低,且温度沿纵向分布更加均匀,端面形变明显变小,热透镜效应得到改善。本文的最后讨论了激光晶体的输出特性。文中讨论了吸收饱和效应和受激发射截面的减小对晶体输出功率的影响,并且模拟分析了采用阶梯掺杂晶体结构后输出功率的改善情况。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2010-01-01）
徐翠芹[7]（2009）在《通过使用阶梯状掺杂的埋层对超浅结进行双边C-V剖面分析》一文中研究指出为了改进集成电路性能和速度,需要不断缩小器件尺寸,高掺杂且突变的超浅源／漏结的是高性能MOS器件所必需的。但传统的掺杂浓度测量方法不能满足高掺杂且突变的超浅结掺杂浓度分布对深度分辨力和定量测量精度的严格要求。本论文研究了通过使用阶梯状掺杂的埋层对超浅结(如p+-n结)进行双边电容-电压(C-V)剖面分析,从而提取p区的掺杂浓度分布。在已知p+-n结的C-VR关系、n区掺杂、以及热平衡下n区耗尽层宽度xn0的情况下推导了计算p区掺杂浓度分布的公式。其中Xn0是计算p区掺杂分布所需的一个关键参数,但是一般情况下,Xn0是未知的。在本工作中,我们用解析法和Medici仿真两种途径获得p+-n结C-VR关系,然后分别运用双边C-V法对p区的掺杂浓度分布进行提取。在解析法所得p+-n结C-VR关系的基础上,我们发现通过将n区掺杂设计成阶梯状,可实现对XnO和p区掺杂浓度分布的精确提取。但由于解析法计算p+-n结的C-VR关系的过程中,采用了耗尽层近似,忽略了载流子的扩散和输运,所得到的V-VR关系不能代表p+-n结真实的C-VR关系,且实验中n区的掺杂浓度分布不可直接使用。因此,我们也运用Medici对具有相同的阶梯状掺杂n区的p+-n和n-肖特基结进行器件仿真可得其C-VR关系。运用常规C-V法,由肖特基结的C-VR关系可提取出n区掺杂浓度。我们的研究结果表明,在不同的XnO假设值下,运用双边C-V法,通过p区耗尽层宽度随反偏电压的变化关系和p区掺杂浓度分布的平滑性可以分别确定出Xn0的上下限(xn0_min=-99.0nm,xn0_max=-97.3 nm),其精度可达1.7nm。基于精确的Xn0,运用双边C-V法提取的p+区的掺杂浓度分布与Medici仿真结果非常吻合。我们还对双边C-V法在实验中的运用进行了初步探索。本论文还讨论了另一种特殊情况的双边C-V法,当p+-n结的n区均匀掺杂时,不能提取出正确的Xn0值,但是即便在不正确的Xn0假设值下,也可以运用双边C-V法获得正确的p区掺杂浓度梯度。此外,本论文还利用Medici对测量结果进行拟合分析,测量了SPE铝掺杂的超浅p+-n结的少数载流子寿命和表面复合速度。表面复合速度的范围为7×105-1.2×106 cm／s,与常规值可比拟,少数载流子寿命大约为2-3×10-8s,与高质量硼掺杂的单晶硅也相符。(本文来源于《复旦大学》期刊2009-10-01）
李琦,张波,李肇基[8]（2008）在《漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型》一文中研究指出提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型,研究其结构参数对击穿电压的影响;计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系,给出获得最大击穿电压的途径.数值结果,解析结果和试验结果符合较好.漂移区各区和衬底电场相互调制,在漂移区中部产生新的峰值,改善电场分布;高掺杂区位于表面,降低了正向导通电阻.结果表明:SD结构较常规结构击穿电压从192V提高到242V,导通电阻下降33%.(本文来源于《物理学报》期刊2008年03期）
刘全旺[9]（2006）在《SOI阶梯掺杂LDMOS的设计与实验》一文中研究指出SOI (Silicon On Insulator)高压集成电路具有无闩锁、漏电流小、抗辐射、隔离性能好等优点,已成为功率集成电路(Power Integrated Circuit)的重要发展方向。SOI高压横向耐压器件是高压集成电路的核心和关键,受到了国际上众多学者的关注。近二十年来,众多学者提出了很多种器件结构和技术,为SOI高压器件的发展做出了贡献,但是SOI的耐压和导通电阻的折衷问题一直是无法忽略的。本文研究内容来源于国家自然科学基金重点项目(项目编号60436030)。围绕SOI阶梯掺杂LDMOS器件的优化问题,本文从器件结构和工艺材料方面出发,借鉴已有理论,进行了SOI Single-RESURF LDMOS的优化研究以及SOI阶梯掺杂漂移区LDMOS的优化设计及器件制备实验。SOI Single-RESURF效应研究。研究了SOI Single-RESURF LDMOS的器件参数对击穿电压和导通电阻的影响。采用数值模拟分析方法,深入研究了漂移区长度、漂移区浓度、埋氧层厚度、顶层硅厚度、氧化层电荷以及衬底偏压对RESURF效应、击穿电压和导通电阻的影响。仿真结果表明,击穿电压与导通电阻存在明显折衷关系,因此在选择器件结构时要选择埋氧层厚度大,漂移区浓度高,在保证击穿发生在纵向的情况下,漂移区长度越小越好。SOI阶梯掺杂漂移区LDMOS的优化设计与制备实验。理论分析、数值模拟和实验结果表明,该结构可以使表面电场变得更加均匀,有效提高器件击穿电压。该功率器件的版图设计为圆形结构,避免了球面结的形成,有效的降低了曲率效应造成的电场集中。在器件设计过程中,在源端和漏端都采用了多晶场板技术,减小了表面PN结和NN+处的峰值电场,避免了器件在这两处过早击穿。在工艺设计过程中,采用工艺模拟仿真方法,设计出与BCD工艺兼容的工艺流程,而且只需多两张掩模版也能与CMOS工艺相兼容。在进行高压SOI LDMOS的实验过程中,开发出一种新的制备厚膜SOI材料的制备工艺SIMOX+Epitaxial+SDB,简称SES法。在3μm顶层硅、1.5μm埋氧层的SOI材料上成功研制了耐压为250V,导通电阻为1.6?mm2的二阶掺杂SOI LDMOS,其耐压比相同结构的均匀掺杂漂移区器件提高了57%,而导通电阻下降(本文来源于《电子科技大学》期刊2006-05-01）
毛平,陈培毅[10]（2006）在《阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF结构耐压机理研究》一文中研究指出研究了阶梯变掺杂漂移区高压SOI RESURF(Reduce SURface Field)结构的器件几何形状和物理参数对器件耐压的影响;发现并解释了该结构纵向击穿时,耐压与浓度关系中特有的“多RESURF平台”现象。研究表明,阶梯变掺杂漂移区结构能明显改善表面电场分布,提高耐压,降低导通电阻,增大工艺容差;利用少数分区,能得到接近线性变掺杂的耐压,降低了工艺难度。(本文来源于《微电子学》期刊2006年02期）
阶梯掺杂论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
单个Pt原子掺杂的氧化物催化剂在很多反应中都表现出优异的催化性能,~([1])例如CO氧化,水煤气转换(CO+H_2O→CO_2+H_2),HCHO氧化,以及加氢反应等。然而,目前科学家对单个Pt原子起催化作用的本质原因一直存在争议。本文中,我们通过对单个Pt原子掺杂的铝氧化物团簇阴离子(PtAl_3O_7~-),在分子
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
阶梯掺杂论文参考文献
[1].张颖颖.一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管[J].半导体技术.2018
[2].李晓娜,袁震,孟敬恒,李子玉,何圣贵.单铂原子掺杂的铝氧化物团簇催化氧化CO研究:电负性阶梯效应[C].第十四届全国化学动力学会议会议文集.2015
[3].周爱榕,王栋,高珊,陈军宁.全耗尽阶梯掺杂沟道围栅MOSFET二维解析模型[J].固体电子学研究与进展.2015
[4].刘东峰,林奕新,马彩虹.光泵调制掺杂阶梯量子阱THz激光器瞬态动力学的MonteCarlo模拟[J].电子学报.2010
[5].徐翠芹,Popadic,Milo,Nanver,L.K.,茹国平.用阶梯状掺杂埋层对超浅结进行C-V剖面分析(英文)[J].半导体技术.2010
[6].尹晓雪.固体激光器阶梯掺杂晶体研究[D].西安电子科技大学.2010
[7].徐翠芹.通过使用阶梯状掺杂的埋层对超浅结进行双边C-V剖面分析[D].复旦大学.2009
[8].李琦,张波,李肇基.漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型[J].物理学报.2008
[9].刘全旺.SOI阶梯掺杂LDMOS的设计与实验[D].电子科技大学.2006
[10].毛平,陈培毅.阶梯变掺杂漂移区高压SOIRESURF结构耐压机理研究[J].微电子学.2006