本文主要研究内容
作者朱轩民,张静,马雪丽,李晓婷,闫江,李永亮,王文武(2019)在《NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe界面的影响》一文中研究指出:研究了不同条件的非原位NH3等离子体钝化对Al2O3/SiGe/Si结构界面组分的影响。在p型Si(100)衬底上外延一层30 nm厚的应变Si0.7Ge0.3,采用双层Al2O3结构,第一层1 nm厚的Al2O3薄膜为保护层,之后使用非原位NH3等离子体分别在300和400℃下对Al2O3/SiGe界面进行不同时间和功率的钝化处理,形成硅氮化物(SiNxOy)和锗氮化物(GeNxOy)的界面层。通过X射线光电子能谱(XPS)分析表面的物质成分,结果表明NH3等离子体钝化在界面处存在选择性氮化,更倾向于与Si结合从而抑制Ge形成高价态,这种选择性会随着时间的增加、功率的增高和温度的升高变得更加明显。
Abstract
yan jiu le bu tong tiao jian de fei yuan wei NH3deng li zi ti dun hua dui Al2O3/SiGe/Sijie gou jie mian zu fen de ying xiang 。zai pxing Si(100)chen de shang wai yan yi ceng 30 nmhou de ying bian Si0.7Ge0.3,cai yong shuang ceng Al2O3jie gou ,di yi ceng 1 nmhou de Al2O3bao mo wei bao hu ceng ,zhi hou shi yong fei yuan wei NH3deng li zi ti fen bie zai 300he 400℃xia dui Al2O3/SiGejie mian jin hang bu tong shi jian he gong lv de dun hua chu li ,xing cheng gui dan hua wu (SiNxOy)he du dan hua wu (GeNxOy)de jie mian ceng 。tong guo Xshe xian guang dian zi neng pu (XPS)fen xi biao mian de wu zhi cheng fen ,jie guo biao ming NH3deng li zi ti dun hua zai jie mian chu cun zai shua ze xing dan hua ,geng qing xiang yu yu Sijie ge cong er yi zhi Gexing cheng gao jia tai ,zhe chong shua ze xing hui sui zhao shi jian de zeng jia 、gong lv de zeng gao he wen du de sheng gao bian de geng jia ming xian 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自半导体技术的朱轩民,张静,马雪丽,李晓婷,闫江,李永亮,王文武,发表于刊物半导体技术2019年06期论文,是一篇关于界面钝化论文,等离子体论文,选择性论文,半导体技术2019年06期论文的文章。本文可供学术参考使用,各位学者可以免费参考阅读下载,文章观点不代表本站观点,资料来自半导体技术2019年06期论文网站,若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权,请联系我们删除。
标签:界面钝化论文; 等离子体论文; 选择性论文; 半导体技术2019年06期论文;