导读:本文包含了表面纳米缺陷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:叁氧化二铁,多相芬顿催化,羟基自由基,双活性位点
表面纳米缺陷论文文献综述
邱江源,肖碧源,覃方红,张美婷,万婷[1]（2019）在《表面缺陷α-Fe_2O_3(001)纳米片双活性位点类芬顿催化剂用于降解污染物（英文）》一文中研究指出纯Fe2O3表面活性位点较少具有较低的催化活性限制了其在多相芬顿催化体系中的应用。通常采用元素掺杂、贵金属负载以及与其它化合物质复合等改性措施来提升催化活性,然而这些措施存在催化剂制备复杂,制备成本高以及催化剂的精细结构难以精准控制等问题。因此,本文提出在α-Fe2O3表面引入氧空位缺陷构筑双活性位点(Fe2+和氧空位)用于促进H2O2分解提高降解污染物降解效率。实验结果发现α-Fe2O3-x-330/H2O2体系具有较宽的pH使用范围(pH=2～10)。当pH=4时,罗丹明B的降解速率常数为0.834 h-1,而且催化剂具有磁性,易回收重复使用。催化机理研究表明氧空位缺陷α-Fe2O3-x催化剂的氧空位和Fe2+两种活性位点均可促进H2O2分解,而且氧空位的引入有利于污染物在催化剂表面的吸附进一步提高催化性能。(本文来源于《无机化学学报》期刊2019年09期）
马宁贵[2]（2019）在《缺陷诱导ZnO表面及TiO_2纳米管的磁性研究》一文中研究指出随着科学技术和社会经济的高速发展,人们对手机,电脑等电子产品的要求也越来越高。有着大容量,便捷读取,快速储存等特点的电子产品备受欢迎。具有自旋属性和电荷属性的稀磁半导体,因其可以极大的提高信息的读取以及存储速度,可以应用于自旋量子计算机等方面。但是,迄今为止稀磁半导体并没有得到广泛的使用,主要存在两方面的问题:(1)居里温度低于室温,不能在室温下正常使用;(2)饱和磁化强度低。因此,如何提高稀磁半导体的居里温度以及饱和磁矩引起了广泛的关注。研究发现,在无磁半导体中产生磁性的途径主要有叁种:1、在无磁性的半导体中掺杂磁性元素;2、在材料表面吸附气体;3、本征空位诱导材料产生磁性。但是由于掺杂会形成磁团簇并且引入二次相,因此目前人们更关注本征空位诱导材料产生磁性。英国皇家科学院Coey院士将本征空位诱导的材料磁性定义为d~0磁性,但有关d~0磁性的起源问题迄今为止并没有统一的认识:多数的实验结果报道,在无掺杂的稀磁半导体中材料铁磁性的产生是由阴离子空位引起的;而理论计算的结果表明,阳离子空位会诱导材料产生磁性。实验中往往用真空退火及空气回火来探索材料磁性的来源。半导体金属氧化物经过真空退火后磁性增强,空气回火后磁性减弱。基于这个实验现象,研究者认为真空退火导致氧空位增加,而空气回火后,材料中的氧空位减少,磁性先增加后减弱。空气中氧气的占比为21%,且化学性质活泼,因此实验过程所制备的样品会不可避免的与氧气发生接触。我们认为探索材料表面氧气分子的吸附后对材料磁性的影响是非常有必要的。在此基础上我们探索了氧气分子吸附对半导体金属氧化物Zn O的d~0磁性的影响。此外,大多数先前的铁磁研究关注于Ti O_2薄膜和块体,然而很少研究Ti O_2纳米管的磁性。由于实验技术的快速发展,Ti O_2纳米管已经通过多种方式被成功制造,在光催化和电化学等领域被广泛研究。最近的实验结果表明未掺杂的Ti O_2纳米管的磁性与它的管状有着非常紧密的联系。因此探究Ti O_2超薄纳米管的本征空位所引导的d~0磁性意义重大。通过研究我们得到如下结论:1、对于无缺陷的w-Zn O(100)表面,氧气分子难以形成化学吸附。空位形成能的计算表明,在多数情况下,氧空位比锌空位更稳定,表层空位比亚表层空位更容易产生。对于含空位的Zn O(100)表面,氧气分子可以自发吸附,而且氧气分子在缺氧表面比缺锌表面具有更高的吸附能力。此外,表层锌空位的存在可以抑制更多的氧气分子吸附。磁计算结果表明,完美的wZn O(100)表面和仅含有氧缺陷的表面是无磁性的,而锌空位可以在表面引入局部磁矩。对于缺氧Zn O(100)表面,当吸附氧分子的数量等于表面氧空位的数量时,表面的磁矩较小。但是随着吸附氧分子数量的增多,会对整个系统的磁矩有积极的作用。相反,吸附的氧气分子的引入会使缺锌Zn O(100)表面的磁矩减小。2、采用溶胶-凝胶法制备的Zn O纳米粉体在600℃的空气中退火1 h表现出室温铁磁性,而且这个室温铁磁性经过在600℃中真空退火30 min后磁性增强。并且真空退火样品在0.1Mpa的氧气环境中室温处理16 h后室温铁磁性再一次得到增强。说明在半导体金属氧化物中氧气吸附对磁性增强有积极作用。我们对Zn O(100)表面上氧气分子的吸附进行了详细的DFT研究,在理想氧化锌表面的所有吸附点上,O_2的化学吸附都是不利的。对于缺氧的亚表面,O_2分子可以进行放热的化学吸附,自发地填补空缺,其O 2p轨道在费米能级附近的自旋极化可以引入较大的本征磁矩。可以确定,氧气吸附为调节电子性能和自旋极化提供了良好的选择。3、卷曲能的计算显示(m,0)金红石Ti O_2纳米管遵循经典弹性理论。与单个原子层卷曲的纳米管相比,Ti O_2纳米管的壁厚较大,需要更多的能量才能从Ti O_2纳米片形成Ti O_2纳米管。随着纳米管直径的增加,管壁厚度变薄,结合能和带隙增大,直至达到饱和。对于(10,0)金红石Ti O_2纳米管,V_Ti~0可以诱导一个大的局域磁矩和长程铁磁耦合,V_O~0空位则不可以。空位形成能计算显示V~0_(Ti)和V_O~+空位相比于V_Ti~0和V_O~0空位更加稳定。此外,在(10,0)金红石Ti O_2纳米管引入V~0_(Ti)空位导致不稳定的铁磁耦合,然而,V_O~+空位更有利于形成铁磁耦合。此外,相同类型的氧空位相互吸引,不同类型的氧空位相互排斥。(本文来源于《太原理工大学》期刊2019-06-01）
高文坤,杨敏,迟京起,张鑫宇,谢静宜[3]（2019）在《原位构筑表面缺陷的碳掺杂型叁元钴镍铁磷化物纳米立方体用于高效全水分解（英文）》一文中研究指出本文以叁元金属钴-镍-铁普鲁士蓝结构纳米立方体(Co0.9-Ni~(0.9)Fe1.2NCs)为前驱体,通过简单气相磷化处理,得到优化比例的P-Co0.9Ni_(0.9)Fe1.2纳米立方体磷化物,其具有高本征活性、导电性和高缺陷密度的特点. SEM和TEM结果表明,碳掺杂型P-Co0.9Ni_(0.9)-Fe1.2保持了纳米立方体的结构,其粗糙的表面结构意味着丰富的缺陷位,暴露更多真实活性位.叁元金属普鲁士蓝前驱体的磷化处理不仅提供了碳掺杂,而且原位构筑了立方体表面缺陷位.碳掺杂降低了电荷传输的阻抗,优化了电子传输速率.叁元金属离子之间的协同作用以及丰富的缺陷活性位有效提高了电催化的性能.P-Co_(0.9)Ni_(0.9)Fe_(1.2)拥有极其高的HER和OER催化活性,仅需要~(-2)00.7 mV(HER)和273.1 mV(OER)过电位就可以达到10 mA cm~(-2)的电流密度.其全水分解仅需1.52 V就可以达到10 mA cm~(-2)的电流密度.此外,本文还对催化剂的稳定性进行了测试.本工作为设计高效过渡金属基双功能电解水催化剂提供了一种简便方法.(本文来源于《Science China Materials》期刊2019年09期）
吴凯[4]（2019）在《硫化镉纳米晶的表面缺陷及钯修饰对光催化制氢性能的影响》一文中研究指出化石能源的过度消耗以及由此带来的环境问题日渐突出,开发利用可再生新能源迫在眉睫,近年来氢气被认为是一种清洁替代能源。自从发现利用TiO_2光催化分解水制氢(PHER)~1以来,半导体光催化剂制氢技术的开发已经受到人们的极大关注~(2,3)。金属硫化物(这里主要指ds区和p区金属)一般拥有较窄的带宽以及合适的导带位(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年02期）
刘志明,刘国亮,洪昕林[5]（2019）在《表面缺陷与钯的沉积对硫化镉纳米晶粒的光催化制氢性能的影响（英文）》一文中研究指出近年来,光解水制氢的发展引起了人们的高度关注。CdS是一种具有可见光响应的很有潜力光催化剂,但由于光生电子/空穴对的快速复合和表面上的析氢反应速率低,所以它仅表现出有限的光解水制氢活性。对CdS表面结构和性能的影响的研究仍然非常有限。在本工作中,我们制备了叁种具有不同形貌的CdS纳米晶体(长棒状,短棒状和叁角片状)用于光解水制氢。随着纵横比的增加,非极性表面暴露面积增大,表面缺陷程度也随之增加,而表面缺陷可以捕获光生电子/空穴,从而降低其复合机会。我们发现氢的生产率可能与表面缺陷的程度有关。另外,这些缺陷可以用来固定Pd粒子形成异质结结构,有利于光生电荷的分离。在1%(w,质量分数) Pd的协助下,所有CdS催化剂的氢气产率都大大提高。值得注意的是,sr-CdS/Pd的制氢产率达到了7884μmol·h~(-1)·g~(-1),与文献报道的最高值相当。希望本文能够为了解晶体结构和性能对光催化的影响提供认识。(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年02期）
于贵阳,张文祥,刘钢[6]（2018）在《CdS纳米粒子表面缺陷在光催化产氢中的作用》一文中研究指出缺陷不可避免地存在于所有材料中。半导体材料中的缺陷直接影响材料的光物理行为,如导电性、光敏性以及光催化性能等1。缺陷会引发其周围电荷的重排,空间上形成局域化的电子态,并形成相应的缺陷态能级2;当表面缺陷能级在热力学上满足催化反应的条件时,表面缺陷同时具有提供反应活性位、提高电荷传输等动力学方面的优势3,因此,有效地利用表面缺陷可以为半导体光催化剂的设计提供了一些新的思路4,5。本文在课题组前期硫化物半导体纳米粒子构建基础上,对其结构和表面性质、尤其是表面缺陷性质和成因进行了较(本文来源于《第十一届全国环境催化与环境材料学术会议论文集》期刊2018-07-20）
赵鹏越,郭永博,白清顺,张飞虎[7]（2018）在《基于微观结构的多晶Cu纳米压痕表面缺陷研究》一文中研究指出基于多晶材料的微观拓扑结构,从多晶Cu纳米压痕中晶粒内部、晶界面、叁叉晶界和顶点团等4类微观结构与缺陷结构的配位数、内应力、原子势能等方面,研究了压痕表面位错缺陷的演化机制。结果表明:当高维数的微观结构承载压应力时,与其邻近的低维数微观结构表现为拉应力,且更低维数的微观结构(顶点团)更易表现为拉应力;位错缺陷形核时其原子具有较高的内应力与原子势能,扩展时其边缘的不完全位错原子内应力高于内部堆垛层错原子内应力;位错形核与扩展和内应力的累积与释放具有相似的方向性,首先扩展至低维数的顶点团、叁叉晶界,而后传递至高维数的晶界面并止于晶界面。(本文来源于《金属学报》期刊2018年07期）
宋佳平[8]（2018）在《纳米颗粒表面缺陷对PEO:ZnO器件电双稳特性的影响》一文中研究指出聚合物/纳米颗粒复合薄膜电双稳器件因成本低,制备工艺简单,存储密度大成为近年来电双稳器件研究中的热点。这种材料体系电双稳态通常是利用混合在聚合物中的纳米颗粒作为缺陷中心在不同电场下俘获与释放电荷而产生的。然而该体系的电导高低态转变的形成机制却尚无定论,甚至在相同材料体系制备的器件中会发现两种不同的转换机制:一种是FN隧穿电流机制,另一种是陷阱电荷限制电流(Trapped Charge-Limited-Current,TCLC)机制。众所周知,纳米颗粒大量存在的表面缺陷极易俘获载流子,而在制备聚合物纳米颗粒器件过程如果加入表面配体,纳米颗粒的表面缺陷会被不同程度地钝化。但在文献报道的研究中却忽略了纳米颗粒表面缺陷与电双稳形成机制的关联。本工作通过引入PEO这一绝缘聚合物,分别与具有和没有表面配体的ZnO纳米颗粒相混合,制备出两种工作机理不同的电双稳器件,从而研究了表面缺陷对器件电双稳特性形成机制的影响,同时研究了优化器件的方法。主要研究内容如下:(1)利用水热法制备了无表面配体包覆的平均尺寸在10 nm以下的均匀ZnO纳米颗粒,将PEO与无包覆的ZnO纳米颗粒共混,形成较好的PEO表面包覆,从而显着减少了纳米颗粒的聚集,通过扫描电子显微镜SEM和能谱分析EDS-mapping测试表征复合薄膜的微观形貌和纳米颗粒在薄膜中的分散性。不同质量比PEO:ZnO薄膜的光致发光光谱测试表明,虽然所有薄膜中纳米颗粒的表面缺陷明显存在,但随着PEO混合浓度的提高,可以显着提高对ZnO纳米颗粒表面缺陷的钝化。最后制备结构为ITO/PEO:ZnO/Al的器件,对其进行电流-电压测试表明过少或过多的PEO含量会分别使器件的导电低态过高或高态过低,而在10:1和20:1的情况下,器件性能稳定,开关比显着提高,通过对I-V曲线进行线性拟合,发现器件从电导的低态到高态的转变归因于TCLC电流的形成。(2)通过光致发光PL谱测试,发现有表面配体包覆的ZnO纳米颗粒的表面缺陷被充分钝化;将其与PEO相混合,制备出ZnO分布均匀的混合薄膜,通过SEM和EDS-mapping测试对其微观形貌及材料分布均匀性进行表征。在此基础上制备了含有不同PEO与ZnO质量比的混合薄膜器件,电双稳测试发现,所有器件都具有相同的电导高低态转换规律,器件的I-V曲线线性拟合结果表明器件电导高低态转变是基于FN隧穿电流机制。在此基础上优化了该体系的器件,分别发现了最佳的PEO:ZnO配比、混合薄膜的退火温度和薄膜的厚度。(3)通过对器件的I-V与C-V测试对比,确定了表面缺陷的存在与否直接导致了 PEO:ZnO这一器件体系的电双稳转变机制的改变。当表面缺陷存在的时候,电荷被纳米颗粒表面缺陷俘获,这样俘获的电荷容易释放出去。而当表面缺陷被充分钝化后,电荷被纳米颗粒体缺陷所俘获。从而前者器件的高低态转变机制归因与TCLC电流的形成,而后者为FN隧穿电流。这一研究揭示了为什么以往的不同报道中,相同聚合物纳米颗粒体系却显示出不同的电双稳转换机制。同时对比表明,具有隧穿机制的电双稳器件性能要优于导电机制为TCLC占主导的器件。(本文来源于《北京交通大学》期刊2018-06-01）
李树龙[9]（2018）在《碳化硅纳米线表面缺陷及表面改性研究》一文中研究指出碳化硅(SiC)作为典型宽禁带的第叁代半导体材料,由于其在高频、高温、抗辐射及极端环境中的良好性能,而引起了极大的关注。纳米材料在制备过程中,由于实验条件和环境的影响不可避免存在很多的空位和间隙等本征缺陷,而这些缺陷对于材料的性能有很大的影响。表面改性作为一种不改变材料固有性能的方法,能够很好的抑制表面缺陷对纳米线的影响。在本文中我们系统的研究了 2H-SiC的空位缺陷以及氢钝化和羟基钝化两种表面改性方法对2H和3C-SiC的影响。论文主要内容如下:首先,介绍了碳化硅纳米线的研究背景及结构与基本性质,并且阐述了所运用的基本原理。然后,我们对存在空位缺陷的2H-SiC的电子结构和光学性质进行了分析计算,发现碳原子和硅原子两种不同空位缺陷对光电性能的影响显着。最后,我们对2H-SiC以及3C-SiC进行了氢钝化和羟基钝化两种不同的表面改性计算,发现钝化以后,能带和介电常数等电学性质相较未钝化的存在明显差异,进而从态密度分析了导致这个情况产生的原因。(本文来源于《燕山大学》期刊2018-05-01）
张加宏,陈剑翔,顾芳,李敏,冒晓莉[10]（2018）在《分子动力学研究表面缺陷对硅纳米线杨氏模量的影响》一文中研究指出硅纳米线因受量子尺寸效应与表面效应的影响而具有奇特的力、电及其耦合特性,成为了纳米电子器件的核心构件.然而在硅纳米线的制备过程中,表面产生缺陷不可避免.因此本文采用分子动力学方法着重研究了表面缺陷浓度对不同横截面形状(正方形、六角形和叁角形)的[110]晶向和[111]晶向硅纳米线杨氏模量的影响.研究结果表明,当硅纳米线仅有单一表面缺陷时,不同晶向硅纳米线的杨氏模量均随表面缺陷浓度增加而迅速单调减小.当表面缺陷浓度为10%时,杨氏模量的减小幅度在10%-20%之间,减小幅度的差异与硅纳米线的晶向以及横截面形状密切相关.当存在多个表面缺陷时,杨氏模量随着缺陷浓度的增加表现出了不同程度的波动趋势.叁角形截面硅纳米线的杨氏模量波动幅度最大,正方形截面的波动较小,即表面缺陷分布的不同对正方形截面硅纳米线的杨氏模量影响较小,这表明表面缺陷的影响与其分布及硅纳米线的横截面形状密切相关.通过与实验结果对比,本文的研究结果揭示了表面缺陷是导致硅纳米线杨氏模量实验值变小的重要因素,因此在表征硅纳米线的力学性能时,需要考虑表面缺陷的影响.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2018年02期）
表面纳米缺陷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着科学技术和社会经济的高速发展,人们对手机,电脑等电子产品的要求也越来越高。有着大容量,便捷读取,快速储存等特点的电子产品备受欢迎。具有自旋属性和电荷属性的稀磁半导体,因其可以极大的提高信息的读取以及存储速度,可以应用于自旋量子计算机等方面。但是,迄今为止稀磁半导体并没有得到广泛的使用,主要存在两方面的问题:(1)居里温度低于室温,不能在室温下正常使用;(2)饱和磁化强度低。因此,如何提高稀磁半导体的居里温度以及饱和磁矩引起了广泛的关注。研究发现,在无磁半导体中产生磁性的途径主要有叁种:1、在无磁性的半导体中掺杂磁性元素;2、在材料表面吸附气体;3、本征空位诱导材料产生磁性。但是由于掺杂会形成磁团簇并且引入二次相,因此目前人们更关注本征空位诱导材料产生磁性。英国皇家科学院Coey院士将本征空位诱导的材料磁性定义为d~0磁性,但有关d~0磁性的起源问题迄今为止并没有统一的认识:多数的实验结果报道,在无掺杂的稀磁半导体中材料铁磁性的产生是由阴离子空位引起的;而理论计算的结果表明,阳离子空位会诱导材料产生磁性。实验中往往用真空退火及空气回火来探索材料磁性的来源。半导体金属氧化物经过真空退火后磁性增强,空气回火后磁性减弱。基于这个实验现象,研究者认为真空退火导致氧空位增加,而空气回火后,材料中的氧空位减少,磁性先增加后减弱。空气中氧气的占比为21%,且化学性质活泼,因此实验过程所制备的样品会不可避免的与氧气发生接触。我们认为探索材料表面氧气分子的吸附后对材料磁性的影响是非常有必要的。在此基础上我们探索了氧气分子吸附对半导体金属氧化物Zn O的d~0磁性的影响。此外,大多数先前的铁磁研究关注于Ti O_2薄膜和块体,然而很少研究Ti O_2纳米管的磁性。由于实验技术的快速发展,Ti O_2纳米管已经通过多种方式被成功制造,在光催化和电化学等领域被广泛研究。最近的实验结果表明未掺杂的Ti O_2纳米管的磁性与它的管状有着非常紧密的联系。因此探究Ti O_2超薄纳米管的本征空位所引导的d~0磁性意义重大。通过研究我们得到如下结论:1、对于无缺陷的w-Zn O(100)表面,氧气分子难以形成化学吸附。空位形成能的计算表明,在多数情况下,氧空位比锌空位更稳定,表层空位比亚表层空位更容易产生。对于含空位的Zn O(100)表面,氧气分子可以自发吸附,而且氧气分子在缺氧表面比缺锌表面具有更高的吸附能力。此外,表层锌空位的存在可以抑制更多的氧气分子吸附。磁计算结果表明,完美的wZn O(100)表面和仅含有氧缺陷的表面是无磁性的,而锌空位可以在表面引入局部磁矩。对于缺氧Zn O(100)表面,当吸附氧分子的数量等于表面氧空位的数量时,表面的磁矩较小。但是随着吸附氧分子数量的增多,会对整个系统的磁矩有积极的作用。相反,吸附的氧气分子的引入会使缺锌Zn O(100)表面的磁矩减小。2、采用溶胶-凝胶法制备的Zn O纳米粉体在600℃的空气中退火1 h表现出室温铁磁性,而且这个室温铁磁性经过在600℃中真空退火30 min后磁性增强。并且真空退火样品在0.1Mpa的氧气环境中室温处理16 h后室温铁磁性再一次得到增强。说明在半导体金属氧化物中氧气吸附对磁性增强有积极作用。我们对Zn O(100)表面上氧气分子的吸附进行了详细的DFT研究,在理想氧化锌表面的所有吸附点上,O_2的化学吸附都是不利的。对于缺氧的亚表面,O_2分子可以进行放热的化学吸附,自发地填补空缺,其O 2p轨道在费米能级附近的自旋极化可以引入较大的本征磁矩。可以确定,氧气吸附为调节电子性能和自旋极化提供了良好的选择。3、卷曲能的计算显示(m,0)金红石Ti O_2纳米管遵循经典弹性理论。与单个原子层卷曲的纳米管相比,Ti O_2纳米管的壁厚较大,需要更多的能量才能从Ti O_2纳米片形成Ti O_2纳米管。随着纳米管直径的增加,管壁厚度变薄,结合能和带隙增大,直至达到饱和。对于(10,0)金红石Ti O_2纳米管,V_Ti~0可以诱导一个大的局域磁矩和长程铁磁耦合,V_O~0空位则不可以。空位形成能计算显示V~0_(Ti)和V_O~+空位相比于V_Ti~0和V_O~0空位更加稳定。此外,在(10,0)金红石Ti O_2纳米管引入V~0_(Ti)空位导致不稳定的铁磁耦合,然而,V_O~+空位更有利于形成铁磁耦合。此外,相同类型的氧空位相互吸引,不同类型的氧空位相互排斥。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
表面纳米缺陷论文参考文献
[1].邱江源,肖碧源,覃方红,张美婷,万婷.表面缺陷α-Fe_2O_3(001)纳米片双活性位点类芬顿催化剂用于降解污染物（英文）[J].无机化学学报.2019
[2].马宁贵.缺陷诱导ZnO表面及TiO_2纳米管的磁性研究[D].太原理工大学.2019
[3].高文坤,杨敏,迟京起,张鑫宇,谢静宜.原位构筑表面缺陷的碳掺杂型叁元钴镍铁磷化物纳米立方体用于高效全水分解（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2019
[4].吴凯.硫化镉纳米晶的表面缺陷及钯修饰对光催化制氢性能的影响[J].物理化学学报.2019
[5].刘志明,刘国亮,洪昕林.表面缺陷与钯的沉积对硫化镉纳米晶粒的光催化制氢性能的影响（英文）[J].物理化学学报.2019
[6].于贵阳,张文祥,刘钢.CdS纳米粒子表面缺陷在光催化产氢中的作用[C].第十一届全国环境催化与环境材料学术会议论文集.2018
[7].赵鹏越,郭永博,白清顺,张飞虎.基于微观结构的多晶Cu纳米压痕表面缺陷研究[J].金属学报.2018
[8].宋佳平.纳米颗粒表面缺陷对PEO:ZnO器件电双稳特性的影响[D].北京交通大学.2018
[9].李树龙.碳化硅纳米线表面缺陷及表面改性研究[D].燕山大学.2018
[10].张加宏,陈剑翔,顾芳,李敏,冒晓莉.分子动力学研究表面缺陷对硅纳米线杨氏模量的影响[J].原子与分子物理学报.2018