导读:本文包含了衬底腐蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:碲锌镉,溴甲醇,表面粗糙度,总厚度偏差
衬底腐蚀论文文献综述
吴亮亮,王经纬,高达,王丛,刘铭[1]（2018）在《不同腐蚀时间对CZT(211)B衬底的影响分析》一文中研究指出主要分析了不同溴甲醇(溴体积比为0. 05%)腐蚀时间对CZT(211) B衬底表面粗糙度、总厚度偏差、红外透过率、Zn值以及X射线衍射半峰宽(FWHM)的影响。研究发现即使使用溴体积比0. 05%的溴甲醇溶液腐蚀5 s,衬底表面粗糙度都会由0. 5 nm增加至1. 5 nm以上。随着腐蚀时间的增加CZT(211) B衬底总厚度偏差逐渐增加。使用溴甲醇作为抛光液的两个样品的Zn值明显低于使用氨水作为抛光液的样品,同时该两样品的X射线衍射半峰宽和红外透过率随腐蚀时间的变化趋势一致,但不同于使用氨水作为抛光液的样品,说明不同的抛光液影响CZT(211) B衬底表面Zn值以及表面损伤层等表面状态。(本文来源于《激光与红外》期刊2018年10期）
宋林伟,吴军,孔金丞,李东升,张阳[2]（2018）在《碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应》一文中研究指出该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相外延生长过程中,高温汞蒸气对碲锌镉衬底中表面沉淀物尺寸无明显影响,但在衬底表面发现两种类型的腐蚀点,一种是尺寸为25μm左右的较大腐蚀点,分布较均匀;另一种是尺寸为7μm左右的圆形腐蚀点,分布不均匀.衬底经过液相外延薄膜成核生长前的温度变化过程以及高温Hg蒸气的作用,碲锌镉衬底表面形貌呈鱼鳞状,粗糙度增大了50%以上.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2018年01期）
徐文俊,李海鸥,李琦,翟江辉,何志毅[3]（2015）在《湿法腐蚀制备GaN LED蓝宝石图形衬底的工艺方法研究》一文中研究指出近几年来,蓝宝石图形衬底(PSS)制备工艺技术已成为国内外研究GaN基发光二极管(LED)的热点问题.该技术不仅能够降低GaN外延缺陷和位错密度,还能够有效提高LED的光提取效率.为了获得均匀性好的PSS及操作简便、成本较低的制备方法,采用湿法腐蚀方式研制C面蓝宝石图形衬底;利用自主设计的高温腐蚀系统,在硫酸和磷酸配比为3:1,加热280℃的条件下,腐蚀40分钟得到深度大于2μm的规整图形结构,具有极高的图形占空比;分析了时间、温度、腐蚀深度等因素与腐蚀速率的关系,对PSS结构设计和实现具有参考意义.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2015年04期）
李兆辰,赵雷,刁宏伟,李海玲,周春兰[4]（2013）在《电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究》一文中研究指出将多晶硅片置于HF、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、去离子水的混合溶液中,研究电流密度、腐蚀时间对多晶硅绒面形貌以及表面反射率的影响。实验结果表明,可在多晶硅上获得平均孔径为5～20μm、深为1～3μm的腐蚀坑,其加权反射率达到11.3%,较处理之前降低了60%。(本文来源于《太阳能》期刊2013年02期）
田巧伟,檀柏梅,高宝红,黄妍妍,刘楠[5]（2012）在《微腐蚀去除硅衬底表面损伤及污染物研究》一文中研究指出硅片CMP工艺会引入表面缺陷和沾污,通常采用NaOH和KOH作为腐蚀溶液,利用微腐蚀法将硅片表面的损伤污染层剥离,以免导致IC制备过程中产生二次缺陷,但会不可避免地引入金属离子。制备了一种用螯合剂和表面活性剂复配的新型清洗液,利用螯合剂对硅片表面损伤层进行微腐蚀,同时采用表面活性剂去除硅片表面吸附的微粒。经台阶仪和原子力显微镜检测,该清洗液能有效去除硅片表面损伤层和颗粒,同时螯合剂本身不含金属离子,并且对金属离子有螯合作用,可有效避免传统腐蚀液中金属离子带来的二次污染。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2012年12期）
邵慧慧,李树强,曲爽,李毓锋,王成新[6]（2010）在《湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究》一文中研究指出利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响。扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后GaN的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增加,光致发光谱(PL)发光强度逐渐增加。管芯结果表明,LED管芯的光强也逐渐增加。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2010年06期）
赵广才,李培咸,郝跃[7]（2010）在《腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响》一文中研究指出使用熔融的KOH在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了GaN材料的外延生长。通过X射线衍射结果比较了两组衬底上外延材料的质量,利用原子力显微镜结果对外延层表面形貌进行了分析,最后论述了腐蚀时间的调整对蓝宝石衬底上外延生长氮化镓质量的影响机理。(本文来源于《发光学报》期刊2010年05期）
邵慧慧,李树强,曲爽,李毓锋,王成新[8]（2010）在《湿法腐蚀制备柱状与锥状图形衬底的研究》一文中研究指出利用湿法腐蚀的方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。通过浓硫酸和浓磷酸混合液高温腐蚀制备出柱状图形和锥状图形,并研究其表面形貌特点和GaN外延后的影响。扫描电镜(SEM)观察显示,柱状与锥状图形的阵列排布都非常整齐,且方向一致。高分辨X-Ray射线摇摆曲线结果表明,图形衬底可以提高晶体质量,柱状图形对晶体质量的提升更为明显。对PSS上外延的GaN-LED进行光致发光(PL)谱测试,柱状图形衬底的法向光强明显高于锥状图形和普通衬底。将LED外延片制备管芯,柱状图形衬底和锥状图形衬底比普通衬底的法向光强分别提高150%和25%。光输出功率测试,分别提高20%和16%。(本文来源于《第七届中国国际半导体照明论坛论文集》期刊2010-10-14）
张涵,李伟华[9]（2010）在《体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法》一文中研究指出从硅晶胞的空间原子结构出发,对(110)衬底进行研究,提出了针对(110)衬底上规则目标凸角结构的通用补偿方法.以(100)衬底上已提出的图形分析和共性补偿方法为依据,确定了(110)衬底表面特征晶向的平面关系,将所选70℃30%(质量分数)的KOH腐蚀液条件下的特征晶面(111)、(311)以及与衬底同簇的(110)晶面与衬底相交,得到平面特征晶向,从而构建补偿图形的拓扑框架,最终选择拓扑框架中的部分晶向构成具体的补偿图形.利用各向异性叁维仿真软件对由该方法设计得到的补偿结果进行验证,模拟结果与设计预期相一致,充分证实了该设计方法的正确可行.(本文来源于《东南大学学报(自然科学版)》期刊2010年04期）
刘军,毕凯,陈志刚,唐利强[10]（2010）在《YG8衬底腐蚀处理对氮化碳薄膜摩擦学性能的影响》一文中研究指出采用直流与射频磁控反应溅射法在硬质合金YG8衬底上制备了氮化碳(carbon nitride,CNx)薄膜。研究了溅射方式、衬底腐蚀处理对薄膜摩擦学性能的影响。结果表明:射频反应磁控溅射制备的CNx薄膜的膜基结合力和摩擦因数明显高于直流反应磁控溅射薄膜的,适当的负偏压可以提高膜基结合力。衬底化学腐蚀预处理能够大幅度提高CNx薄膜的膜基结合力,对直流溅射CNx薄膜的摩擦因数影响不大,但能降低射频溅射CNx薄膜的摩擦因数。射频反应磁控溅射法制备的CNx薄膜比直流溅射法制备的CNx薄膜耐磨性能好。衬底化学腐蚀预处理和溅射时对衬底施加适当的负偏压均有利于耐磨性能的提高。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2010年01期）
衬底腐蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相外延生长过程中,高温汞蒸气对碲锌镉衬底中表面沉淀物尺寸无明显影响,但在衬底表面发现两种类型的腐蚀点,一种是尺寸为25μm左右的较大腐蚀点,分布较均匀;另一种是尺寸为7μm左右的圆形腐蚀点,分布不均匀.衬底经过液相外延薄膜成核生长前的温度变化过程以及高温Hg蒸气的作用,碲锌镉衬底表面形貌呈鱼鳞状,粗糙度增大了50%以上.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
衬底腐蚀论文参考文献
[1].吴亮亮,王经纬,高达,王丛,刘铭.不同腐蚀时间对CZT(211)B衬底的影响分析[J].激光与红外.2018
[2].宋林伟,吴军,孔金丞,李东升,张阳.碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应[J].红外与毫米波学报.2018
[3].徐文俊,李海鸥,李琦,翟江辉,何志毅.湿法腐蚀制备GaNLED蓝宝石图形衬底的工艺方法研究[J].微电子学与计算机.2015
[4].李兆辰,赵雷,刁宏伟,李海玲,周春兰.电化学腐蚀多晶硅衬底减反射效果研究[J].太阳能.2013
[5].田巧伟,檀柏梅,高宝红,黄妍妍,刘楠.微腐蚀去除硅衬底表面损伤及污染物研究[J].微纳电子技术.2012
[6].邵慧慧,李树强,曲爽,李毓锋,王成新.湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究[J].人工晶体学报.2010
[7].赵广才,李培咸,郝跃.腐蚀时间对蓝宝石衬底上外延生长GaN质量的影响[J].发光学报.2010
[8].邵慧慧,李树强,曲爽,李毓锋,王成新.湿法腐蚀制备柱状与锥状图形衬底的研究[C].第七届中国国际半导体照明论坛论文集.2010
[9].张涵,李伟华.体硅湿法腐蚀中(110)衬底上的凸角补偿方法[J].东南大学学报(自然科学版).2010
[10].刘军,毕凯,陈志刚,唐利强.YG8衬底腐蚀处理对氮化碳薄膜摩擦学性能的影响[J].硅酸盐学报.2010