导读:本文包含了引线框论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:分层,（裸芯）,引线框,树脂
引线框论文文献综述
卞伟[1]（2014）在《集成电路封装引线框产品分层的解决方案研究》一文中研究指出进入集成电路封装领域，分层是一个常见的故障现象。相对于基板产品，引线框产品的分层发生率更高。它将带来电性能和可靠性降低的问题，比如爆米花现象。本文目标有二：一是开列影响分层的因子，提供改善分层的方向。二是基于较多的实际案例，归纳总结其改善方案。具体论文内容举要有五：1.概论封装制程和失效分析方法；2.聚类分层的影响因子；3.分析改善分层的方法；4.改善方法的验证；5.总结归纳各改善方法。研究结果提示：改善分层最常用技巧，依性价比降幂排列为：电浆清洗，减小镀银区，表面粗化，芯片位置优化，以及，模压参数优化。上述方案能够解决85%以上的分层问题，而当这些改善方案不能奏效时，还可通过优化树脂或优化封装体结构来达到改善效果。研究结论认为：本封装优化设计的案例，权可作为深刻理解基尔必法则的实战精华。(本文来源于《苏州大学》期刊2014-11-01）
吴建忠,王伦波,王建新[2]（2012）在《引线框氧化与可靠性关系的研究》一文中研究指出铜材料引线框架具有良好的导电导热性能,同时具备良好的机械性能和较低成本,但是由于框架和塑封料之间较差的粘结力在回流焊时容易造成封装体开裂。文章研究了铜框架氧化膜的特性,以及氧化膜对半导体封装的可靠性影响。根据试验,氧化膜会随着时间温度而增加,当氧气含量低于1%时增加缓慢。当氧化膜的厚度超过20nm时,塑封料与氧化铜之间的结合力就会显着下降,同时交界面的分层也会加剧。最后针对氧化膜厚度受控的产品做回流焊测试,确认是否有开裂,结果表明与结合力测试相符。氧化膜的厚度需要低于42.5nm,可以提高在reflow时的抗开裂性能。(本文来源于《电子与封装》期刊2012年10期）
曹阳根,张恩霞,秦秀珍,刘筱倩[3]（2008）在《LET引线框通用精密硬质合金级进模设计》一文中研究指出发光叁极管的引线框结构较为精细,产量很大,用高速冲床生产,对模具的精度和寿命要求很高。设计了25工位两件通用冲压排样方案和相应的精密硬质合金级进模,该模具能够通过更换局部凸模通用于两个不同类型的发光管引线框的冲压生产。凸模、凹模和卸料板的镶件部分均采用了硬质合金。经制造、调试达到了大批量、高精度、可通用的要求。(本文来源于《半导体技术》期刊2008年12期）
欧阳波仪[4]（2007）在《引线框多工位精密级进模设计》一文中研究指出分析了引线框的冲压工艺性,设计出了多工位级进模.并详细介绍了模具设计制造的技术要领。(本文来源于《模具制造》期刊2007年04期）
李学锋,李军[5]（2005）在《IC芯片引线框骨架精密级进模设计与制造》一文中研究指出分析了IC芯片引线框骨架的冲压工艺性,对内外引脚采用分次冲切,确定了合理的工位排样,详细地介绍了模具的总体设计、主要成形零件的设计与制造、计数切断原理及实现间歇定尺寸切断机构的设计。(本文来源于《模具工业》期刊2005年07期）
陈平[6]（2001）在《TO-3P(N)IS裸铜引线框组装工艺研究》一文中研究指出本文对高反压大功率管组装过程中 ,使用裸铜TO 3P (N)IS引线框进行了研究和探索。(本文来源于《微电子技术》期刊2001年06期）
童雄生[7]（1998）在《蚀刻集成电路引线框原理及其应用》一文中研究指出集成电路的发展，带来了其引线密度的提高，产生了引线框加工的新工艺——蚀刻法。本文介绍了该法的原理、工艺过程及其推广应用。(本文来源于《半导体技术》期刊1998年02期）
辛勇,王鹭[8]（1997）在《IC引线框级进模工步设计CAD系统的开发与应用》一文中研究指出介绍了ＩＣ（集成电路）引线框多工位冲裁级进模工步设计ＣＡＤ系统及其应用实例。(本文来源于《计算机辅助设计与图形学学报》期刊1997年05期）
陈奉明[9]（1996）在《国产IC引线框材料的应用研究》一文中研究指出一、前言自五十年代后半期以来，半导体的生产技术取得了惊人的发展，由半导体二极管进一步开发成功了集成电路，从而，电子技术由真空管时代完全过渡到了微电子技术时代。我国自1956年诞生第一块集成电路以来，经过几代人叁十多年的艰苦创业，集成电路已形成了初具规模的(本文来源于《微电子技术》期刊1996年04期）
王铁坤,许幸,朱洪忠[10]（1995）在《在同一机器上进行铁镍和铜材引线框的Sn/Pb电镀》一文中研究指出研究了在同一台机器上进行铁镍和铜材两种不同材质的塑封引线框的Sn／Pb电镀工艺。本文根据两种材质的不同性质和要求，着重描述了前处理过程中为防止交叉污染所采取的各项措施以及对工艺和设备所提出的要求，还阐述了产品和工艺的质量控制。文章最后讨论了影响工艺的若干问题和注意事项。(本文来源于《微电子技术》期刊1995年04期）
引线框论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
铜材料引线框架具有良好的导电导热性能,同时具备良好的机械性能和较低成本,但是由于框架和塑封料之间较差的粘结力在回流焊时容易造成封装体开裂。文章研究了铜框架氧化膜的特性,以及氧化膜对半导体封装的可靠性影响。根据试验,氧化膜会随着时间温度而增加,当氧气含量低于1%时增加缓慢。当氧化膜的厚度超过20nm时,塑封料与氧化铜之间的结合力就会显着下降,同时交界面的分层也会加剧。最后针对氧化膜厚度受控的产品做回流焊测试,确认是否有开裂,结果表明与结合力测试相符。氧化膜的厚度需要低于42.5nm,可以提高在reflow时的抗开裂性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
引线框论文参考文献
[1].卞伟.集成电路封装引线框产品分层的解决方案研究[D].苏州大学.2014
[2].吴建忠,王伦波,王建新.引线框氧化与可靠性关系的研究[J].电子与封装.2012
[3].曹阳根,张恩霞,秦秀珍,刘筱倩.LET引线框通用精密硬质合金级进模设计[J].半导体技术.2008
[4].欧阳波仪.引线框多工位精密级进模设计[J].模具制造.2007
[5].李学锋,李军.IC芯片引线框骨架精密级进模设计与制造[J].模具工业.2005
[6].陈平.TO-3P(N)IS裸铜引线框组装工艺研究[J].微电子技术.2001
[7].童雄生.蚀刻集成电路引线框原理及其应用[J].半导体技术.1998
[8].辛勇,王鹭.IC引线框级进模工步设计CAD系统的开发与应用[J].计算机辅助设计与图形学学报.1997
[9].陈奉明.国产IC引线框材料的应用研究[J].微电子技术.1996
[10].王铁坤,许幸,朱洪忠.在同一机器上进行铁镍和铜材引线框的Sn/Pb电镀[J].微电子技术.1995