导读:本文包含了化学蚀刻论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:CR-39固体核径迹探测器,化学蚀刻装置,蚀刻液容器,探测器夹持器
化学蚀刻论文文献综述
孙伟,林志凯,周建炜,刘翀,杨雪昆[1]（2019）在《CR-39固体核径迹探测器化学蚀刻装置的研制与应用》一文中研究指出目的:CR-39固体核径迹探测器学名为烯丙基二甘醇碳酸酯[1],通常厚度在0.8mm～1.0mm。CR-39主要化学成分由C、O、H元素组成,其化学分子式为(C_(12)O_7H_(18))n,分子量为272,密度为1.31g/cm3～1.32g/cm3[2]。由于CR-39核固体径迹探测器具有探测重粒子核中子的灵敏度高、能量分辨率性能好、入射粒子形成的潜径迹稳定不易衰退、探测器易于加工成不同尺寸、重量轻携带方便、为无源探测器测量周期可长可短的优点,所以,CR-39固体核径迹探测已广泛用于中子-g混合辐射场中放射工作人员中子个人剂量监测和民用建筑、地下空间、铀矿及各类非铀矿等环境中的氡(Rn)浓度测量。为使经中子或a粒子照射的CR-39探测器中的潜径迹通过化学方法蚀刻后便于在显微镜下测读,需要研制有效、稳定、操作方便的CR-39固体核径迹探测器化学蚀刻装置。方法:选取可与电热恒温水浴锅入口孔径和水体高度基本一致的化学蚀刻液容器,且容器壁材料的热传导率较高为宜。需设计加工一个CR-39核固体径迹探测器夹持器和夹持器支架。将夹持器支架放入化学思考液容器中,再将夹持CR-39核径迹探测器片的夹持器放置在支架上,即构成一套完整的CR-39核固体径迹探测器化学蚀刻装置。然后将化学蚀刻液注入容器中并放在恒温水浴锅内,即可对CR-39核固体核径迹探测器进行化学蚀刻。结果:夹持器设计为左右两侧可夹持CR-39探测器形式,每侧可夹持10片CR-39探测器,每一夹持器可同时夹持20片CR-39探测器进行化学蚀刻。使用多孔电热恒温水浴锅时,可同时使用多个该化学蚀刻装置同时对大量的CR-39探测器进行化学蚀刻,可大大提高CR-39探测器的蚀刻效率。应用该化学蚀刻装置对日本产CR-39探测器进行了测氡效率刻度片的蚀刻,达到令人满意的效果。结论:由于CR-39探测器夹持器两侧的夹持口之间为等间距,容器上口用盖密闭,所以,蚀刻时CR-39探测器上下左右都是等距离浸泡在蚀刻液中,即可保持蚀刻液的浓度不变,又可保证在恒温条件下,蚀刻容器内的温度是均匀分布的,从而保证了蚀刻液对探测器的蚀刻速率是一致的。因此,可有效保证CR-39探测器核径迹蚀刻的均匀性和一致性。(本文来源于《中国医学装备大会暨2019医学装备展览会论文汇编》期刊2019-07-18）
赵晨光,刘迅航[2]（2019）在《通过化学蚀刻提高Bi_2WO_6/Bi_2MoO_6光催化活性的机理探析》一文中研究指出Bi_2WO_6/Bi_2MoO_6复合半导体已经能够利用无模板一步水热法得到,并通过简单的化学蚀刻方法处理实现其催化性能的提升,使用氢氧化钠作为蚀刻剂.光催化测试表明碱蚀刻催化剂的降解率提升了约60%,捕获剂实验为催化机理的分析提供了有力的证据,电子顺子共振(EPR)直接证明蚀刻使得样品中形成大量的氧空位;阻抗测试表明该样品具有更高的电子转移活性.结合上述结论对蚀刻催化剂性能提升的机理做出了以下分析:复合催化剂中Bi_2WO_6和Bi_2MoO_6相互匹配的能带结构使得光生电子的转移和传输极为顺利,碱蚀刻使催化剂微观结构改变,并在Bi_2WO_6和Bi_2MoO_6表面制造大量氧穴位,光催化过程中氧空位有效捕获水分子中的氧原子;后续电子参与的两步还原反应将溶液中的溶解氧转化成·OH.上述分析结果为光催化反应中催化剂催化性能的提高做出实质贡献.(本文来源于《哈尔滨师范大学自然科学学报》期刊2019年01期）
张哲,赵江赫,张铭,熊青昀,熊金平[3]（2019）在《GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展》一文中研究指出提高GaSb材料表面的湿法化学蚀刻速率以及调控蚀刻后GaSb材料的表面形貌,对增强锑化物激光器器件的性能具有重要意义。总结了各种蚀刻体系蚀刻GaSb材料的速率和蚀刻后的表面形貌,及近年来关于GaSb半导体材料化学蚀刻的最新研究进展,关注的体系包括无机酸蚀刻体系、有机酸蚀刻体系、混酸蚀刻体系及其他蚀刻体系,对各蚀刻体系的蚀刻速率及蚀刻后的表面形貌进行对比,指出了各蚀刻体系优点与不足及后续的研究方向,归纳总结各了蚀刻体系中主要组成的作用。综述发现,可用于GaSb化学蚀刻液中的氧化剂主要有H_2O_2、HNO_3、I_2、Br_2、KMnO_4,络合剂(或溶解剂)主要有酒石酸、HF、HCl、柠檬酸等,缓冲剂(或稀释剂)主要有HAc和H_2O等。盐酸、双氧水和无机酸组成蚀刻液的蚀刻速率适中,蚀刻表面较为光滑;硝酸、氢氟酸组成的蚀刻液具有蚀刻速率快的优点,可通过添加有机酸或缓冲剂改善蚀刻效果,具有很大的发展前景;磷酸体系则具有蚀刻后台面平整、下切效应小等优点,但蚀刻速率较慢,蚀刻后表面较粗糙;硫酸体系蚀刻后表面较粗糙,不适于GaSb的湿法蚀刻;单一的有机酸和碱性体系的蚀刻速率较慢,但由于具有很强的蚀刻选择性,被广泛应用于GaSb基材料的选择性蚀刻。总体来说,无机酸和有机酸组成的蚀刻体系更有利于提高Ga Sb材料的蚀刻速率及控制表面形貌,各蚀刻体系均存在蚀刻速率可调性不强、蚀刻形貌质量不可控、蚀刻可重复性较差等问题。基于此,总结了改进湿法化学蚀刻GaSb材料的多种研究思路,并对GaSb材料湿法蚀刻的未来发展方向进行展望。(本文来源于《表面技术》期刊2019年01期）
[4]（2018）在《光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽》一文中研究指出日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓(GaN)中利用光电化学(PEC)蚀刻深层高纵横比沟槽的进展[Fumimasa Horikiri et al,Appl.Phys.Express,vol11,p091001,2018]。该团队希望该技术能够在高场中能够利用GaN的高击穿场和高电子迁移速度为电力电子技术开辟新的器件结构。具有p型和n型材料列的"超结"结构是需要通过深度蚀刻技术来实现的。当这种结构结合到横向场效应晶体管中时,击穿电压能够达到10kV以上。这(本文来源于《半导体信息》期刊2018年05期）
周兆安,唐瑜钟,徐丽阳[5]（2018）在《化学蚀刻废磷酸制备饲料级磷酸脲的研究》一文中研究指出研究了以化学蚀刻废磷酸和工业尿素为原料合成磷酸脲的工艺。考察了n(尿素)/n(磷)、反应时间、温度、搅拌速率对产率的影响,借助于X射线衍射仪对所制备产品进行表征,并采用农业行业标准NY/T 917—2004《饲料级磷酸脲》的检测标准对最终产品进行检测。结果表明,制备高纯度的饲料级磷酸脲的优化反应条件为:n(尿素)/n(磷)=1.0、搅拌速率为300 r/min、反应温度为60℃、反应时间为60 min、结晶温度为25℃、冷却结晶时间为4 h。在此条件下,磷酸回收率为68.71%,磷酸脲产品达到饲料级磷酸脲的标准。(本文来源于《无机盐工业》期刊2018年10期）
柴媛,牛光良,林红,袁慎坡[6]（2016）在《不同化学蚀刻剂对纤维桩表面形貌和弯曲强度的影响》一文中研究指出目的:探讨不同化学蚀刻剂玻璃纤维桩表面形貌和弯曲强度的影响。方法:玻璃纤维桩(GLASSIX)用于本研究,每种纤维桩按照不同表面处理随机分成5组(n=10)。组1,无特殊处理;组2,过氧化氢处理(24m L/L的H_2O_2浸泡纤维桩10min);组3,氢氟酸处理(9.5m L/L的HF浸泡纤维桩15s);组4,高锰酸钾处理(20m L/L碱性高锰酸钾溶液浸泡纤维桩10min);组5,二氯甲烷处理(二氯甲烷溶液中浸泡15 s)。表面处理后,对弯曲强度进行单因素方差分析,显着性水平设置为α=0.05。结果:与无处理的纤维桩相比,经过化学蚀刻处理的纤维桩,其表面树脂基质成分被溶解。氢氟酸处理后,不仅树脂基质被溶解,而且纤维桩表层发生少量纤维断裂。单因素方差分析结果表明,不同处理方法和不同纤维桩对弯曲强度均有影响(p<0.05)。化学蚀刻剂处理纤维桩的弯曲强度低于对照组(p<0.05),其中HF处理后纤维桩的弯曲强度低于其他处理方式(p<0.05)。结论:化学蚀刻会对纤维桩的叁点弯曲强度造成不利影响,使纤维桩的叁点弯曲强度产生明显的下降。化学蚀刻剂对纤维桩表面树脂基质的溶解作用是造成纤维桩叁点弯曲强度降低的主要原因。(本文来源于《第十一次全国口腔材料学术会暨纤维增强材料专题讨论会暨第叁次亚洲牙科纤维增强复合材料学术研讨会论文集》期刊2016-09-24）
李洋,夏晓彬,曹振,王光宏,徐秀清[7]（2016）在《CR-39应用于中子探测的化学蚀刻条件优化研究》一文中研究指出CR-39化学蚀刻的主要影响因素有蚀刻温度、蚀刻液种类和浓度以及蚀刻时间等。本研究选用英国Track Analysis Systems公司的CR-39,采用正交法对蚀刻温度、蚀刻液浓度、蚀刻时间进行试验研究,并与公司推荐化学蚀刻条件下的径迹图像、径迹密度进行对比,得出的优化蚀刻条件是:蚀刻温度为85°C、Na OH蚀刻液浓度为7 mol·L ~1,蚀刻时间为90 min。实验同时发现蚀刻温度是这叁个因素中对化学蚀刻后净径迹密度影响最大的因素,而蚀刻时间的影响最小。该研究为CR-39应用于中子探测提供了更好的蚀刻条件,节省了实验时间。(本文来源于《核技术》期刊2016年06期）
薄海瑞,林传,吴海超,李盈波,刘首坤[8]（2016）在《不同体系925银化学蚀刻工艺的研究》一文中研究指出以蚀刻速率为主要指标,对比研究了硝酸体系、过硫酸钠-硫酸体系、过氧化氢-硫酸体系和自配复杂体系蚀刻液对925银的蚀刻能力,得到了几种满足不同应用的蚀刻液配方。适用于深蚀或镂空蚀的蚀刻液有质量分数为40%~50%的室温硝酸溶液,以及自配复杂体系(温度30℃)—硝酸25%(均为质量分数),硫酸20%,过氧化氢15%,硝酸铵4%,草酸1%,水余量。适用于浅蚀的蚀刻液有:过硫酸钠-硫酸体系(温度50℃)——过硫酸钠150 g/L,硫酸体积分数2%;过氧化氢-硫酸体系(温度30℃)——过氧化氢质量分数30%,硫酸质量分数20%,水余量;自配复杂体系(温度30℃)——硝酸15%(均为质量分数),硫酸15%,过氧化氢20%,硝酸铵4%,草酸1%,水余量。(本文来源于《电镀与涂饰》期刊2016年04期）
王亚坤,郭钟宁,郑文书,刘祥发[9]（2015）在《微流控芯片模具化学蚀刻制造工艺研究》一文中研究指出为制造微流控芯片模具实现微流控芯片的大批量生产,采用叁酸型蚀刻液对图案掩膜的P20模具钢进行蚀刻加工。观测蚀刻的微流道形状和尺寸,分析蚀刻深度、流道宽度、蚀刻因子和面粗糙度等随加工时间的变化规律。结果表明加工时间越长,微流道侧壁垂直性越好,蚀刻因子越大,但面粗糙度越差。因为反应产物附着于工件表面,特别是侧壁上,使侧向蚀刻速度低于深度方向蚀刻速度,而蚀刻反应产生热量,使工件反应表面温度升高,蚀刻速度加快,影响表面质量。蚀刻反应中,合理控制掩膜尺寸、加工时间、搅拌速度和反应温度等,才能得到满足要求的微流控芯片模具。(本文来源于《机械设计与制造》期刊2015年12期）
王军[10]（2015）在《化学蚀刻法合成Bi_2O_3-BiOBr和Bi_2O_3-BiOBr/RGO及光催化性能研究》一文中研究指出目前世界各地存在各种各样的环境污染问题,包括水污染,光污染,空气污染,重金属污染等,治理环境污染变得越来越重要。光催化反应具有无毒,高效,无二次污染等优点。论文系统介绍了光催化技术的基本原理和应用,提高光催化效率的方法以及铋系光催化剂的研究现状,然后详细地阐述了新型复合型光催化剂Bi2O3-BiOBr、Bi2O3-BiOBr/RGO的制备,并采用XRD、SEM、TEN、UV-Vis DRS、 XPS以及光催化降解等测试手段对所合成的光催化剂的结构、形貌及其光催化性能、光催化作用机理进行研究。本论文具体研究内容如下：1.以Bi(NO3)3-5H2O和NaOH为原料制备Bi203,采用HBr在Bi203表面酸蚀刻-生长法制备出Bi2O3-BiOBr复合材料,同时对复合光催化剂进行了XRD, SEM, UV-Vis,TEM和EDX等表征和对罗丹明B的光催化活性测试。优化的Bi2O3-BiOBr合成条件为：HBr/Bi2O3摩尔比0.3,超声时间60min, HBr浓度40%,20min RhB光催化降解率为99.4%,其光催化反应速率常数分别为Bi203和BiOBr的11.8倍和3.71倍。光催化机理研究表明Bi2O3-BiOBr光催化降解RhB过程中起关键降解作用的活性中间体为超氧自由基(02·-)和空穴(hvB+)。2.以GO和Bi203为原料水热合成GO/Bi2O3,然后采用HBr酸蚀刻-生长法制备了Bi2O3-BiOBr/RGO复合光催化剂和对罗丹明B的光催化活性测试。优化的Bi2O3-BiOBr/RGO复合光催化剂合成条件为：HBr/Bi2O3摩尔比为0.5,石墨烯含量2.5%,20 min最佳RhB光催化降解率为99.5%,其光催化速率常数分别为Bi2O3-BiOBr复合材料、Bi2O3和BiOBr的1.50倍、3.71倍和11.8倍。光催化机理研究表明Bi2O3-BiOBr/RGO光催化降解RhB过程中空穴(hvB+)和超氧自由基(02·-)为起关键作用的活性中间体。(本文来源于《昆明理工大学》期刊2015-05-01）
化学蚀刻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
Bi_2WO_6/Bi_2MoO_6复合半导体已经能够利用无模板一步水热法得到,并通过简单的化学蚀刻方法处理实现其催化性能的提升,使用氢氧化钠作为蚀刻剂.光催化测试表明碱蚀刻催化剂的降解率提升了约60%,捕获剂实验为催化机理的分析提供了有力的证据,电子顺子共振(EPR)直接证明蚀刻使得样品中形成大量的氧空位;阻抗测试表明该样品具有更高的电子转移活性.结合上述结论对蚀刻催化剂性能提升的机理做出了以下分析:复合催化剂中Bi_2WO_6和Bi_2MoO_6相互匹配的能带结构使得光生电子的转移和传输极为顺利,碱蚀刻使催化剂微观结构改变,并在Bi_2WO_6和Bi_2MoO_6表面制造大量氧穴位,光催化过程中氧空位有效捕获水分子中的氧原子;后续电子参与的两步还原反应将溶液中的溶解氧转化成·OH.上述分析结果为光催化反应中催化剂催化性能的提高做出实质贡献.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
化学蚀刻论文参考文献
[1].孙伟,林志凯,周建炜,刘翀,杨雪昆.CR-39固体核径迹探测器化学蚀刻装置的研制与应用[C].中国医学装备大会暨2019医学装备展览会论文汇编.2019
[2].赵晨光,刘迅航.通过化学蚀刻提高Bi_2WO_6/Bi_2MoO_6光催化活性的机理探析[J].哈尔滨师范大学自然科学学报.2019
[3].张哲,赵江赫,张铭,熊青昀,熊金平.GaSb半导体材料表面的化学蚀刻研究进展[J].表面技术.2019
[4]..光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽[J].半导体信息.2018
[5].周兆安,唐瑜钟,徐丽阳.化学蚀刻废磷酸制备饲料级磷酸脲的研究[J].无机盐工业.2018
[6].柴媛,牛光良,林红,袁慎坡.不同化学蚀刻剂对纤维桩表面形貌和弯曲强度的影响[C].第十一次全国口腔材料学术会暨纤维增强材料专题讨论会暨第叁次亚洲牙科纤维增强复合材料学术研讨会论文集.2016
[7].李洋,夏晓彬,曹振,王光宏,徐秀清.CR-39应用于中子探测的化学蚀刻条件优化研究[J].核技术.2016
[8].薄海瑞,林传,吴海超,李盈波,刘首坤.不同体系925银化学蚀刻工艺的研究[J].电镀与涂饰.2016
[9].王亚坤,郭钟宁,郑文书,刘祥发.微流控芯片模具化学蚀刻制造工艺研究[J].机械设计与制造.2015
[10].王军.化学蚀刻法合成Bi_2O_3-BiOBr和Bi_2O_3-BiOBr/RGO及光催化性能研究[D].昆明理工大学.2015
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