导读:本文包含了自对准结构论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:陶瓷基板,DPC,LED封装,散热
自对准结构论文文献综述
程浩[1]（2016）在《含自对准结构的镀铜陶瓷基板制备技术研究》一文中研究指出随着半导体照明技术的发展,大功率LED(Light Emitting Diode,发光二极管)器件散热要求越来越高。散热基板作为LED器件的主要散热通道,承担了大部分散热任务。目前常见的散热基板材料有塑料、金属和陶瓷,陶瓷材料因其高热导率、高热匹配性和优良的化学稳定性等优点,成为大功率LED散热基板的重要发展方向。本论文分析、总结现有的LED封装基板,优化了以Al2O3陶瓷作为基板材料的DPC(Directing Plating Ceramic直接镀铜陶瓷基板)制备工艺。本文主要对DPC制备工艺展开研究,优化部分工艺参数并对其进行测试评价;提出了一种新型的具有自对准结构的DPC基板。主要研究内容如下:(1)完成DPC陶瓷基板制备工艺。其制作首先进行前道清洗工序,利用磁控溅射在陶瓷表面沉积Ti/Cu薄膜(种子层),接着使用曝光、显影使陶瓷表面图形化,完成线路制作,利用电镀工艺增加铜层厚度,利用磁控溅射工艺在基板表面沉积金层,最后使用湿法刻蚀去干膜以及多余的种子层,完成DPC陶瓷基板的制备。(2)研究了磁控溅射镀钛的工艺参数对薄膜形貌以及薄膜与陶瓷间结合力的影响。当基底温度为350℃,溅射功率为5.42W/cm2,溅射气压为0.6Pa,所得钛薄膜结构致密、均匀;使用单轴拉伸法评价钛膜与陶瓷基结合强度,最高达到15MPa。(3)研究了电镀铜工艺对铜层质量的影响。当阴极循环移动速率为24次/分钟,镀液循环流量较小,电流密度为2ASD时,铜层平整光亮。所镀铜层通过百格法测试,热冲击测试后无翘曲,方阻测试为0.089(Ω-cm/□),表面电镀铜层有较好的机械、电学性能。(4)提出一种新型的具有自对准结构的DPC基板。芯片在表面张力作用下与焊盘自动对准,提高芯片贴装效率。当焊盘面积与芯片面积之比在0.82-1.18范围内,焊料面积与芯片面积之比在0.8-1.2范围内,初始位置误差小于500μm时,水平方向对准误差达到15μm以下,角度偏转误差达到0.5°以下。(本文来源于《华中科技大学》期刊2016-05-01）
徐阳,张伟,岳磊,许军[2]（2006）在《一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGe HBT》一文中研究指出为了改善高压功率SiGeHBT的综合性能,应用图形外延SiGe工艺,研制出了一种新型的双多晶自对准SiGeHBT器件。相对于双台面结构的SiGeHBT而言,该结构的SiGeHBT在发射极总周长不变的情况下,其发射结面积减少超过50%,集电结面积减少近70%,BVCBO也提高了近28%。经测试,器件的结漏电和直流增益等参数均符合设计要求。(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2006年05期）
黄大鹏,戴显英,张鹤鸣,王伟,吴建伟[3]（2005）在《SiGe HBT超自对准结构模拟研究》一文中研究指出侧墙厚度及悬梁长度是SiGeHBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft。在目前的文献中,尚未见到有关SiGeHBT超自对准结构模拟的报道。文章在研究各种超自对准技术的基础上,给出了SiGeHBT超自对准器件的优化结构。利用二维器件模拟软件MEDICI,对该结构中的侧墙及悬梁进行了模拟研究。结果表明,侧墙厚度对器件的频率特性影响较大,而对直流放大倍数β影响较小;悬梁长度在仿真的参数范围内对器件的直流放大特性和特征频率都影响不大。(本文来源于《微电子学》期刊2005年04期）
严北平,张鹤鸣,戴显英[4]（2001）在《高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管》一文中研究指出利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7%(本文来源于《半导体学报》期刊2001年02期）
张少强,徐重阳,邹雪城,周雪梅,赵伯芳[5]（1995）在《自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究》一文中研究指出本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。(本文来源于《微电子学》期刊1995年05期）
乐中道,龙忠琪[6]（1995）在《双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型（Ⅱ）》一文中研究指出本文是文献［１］的续篇，给出了在多晶硅和单晶硅发射极区域中涉动电流和存贮电荷的解析分析，将它们表示成发射结电压Ｖｂｅ的函数。在文献［１］中已知Ｖｂｅ决定于基区中的正态模涉动电流，从而发射极区域中的涉动电流与存贮电荷也是收集极传导电流Ｉｃ和收集极与基极之间电位差Ｖｃｂ的函数。在此基础上，并与文献［１］相结合，本文对双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为提出了一个严格的解析模型。(本文来源于《浙江工业大学学报》期刊1995年03期）
乐中道,龙忠琪[7]（1995）在《双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型（Ⅰ）》一文中研究指出我们拟采用最基本参数，饱和时间常数，和与此相关的半导体物理机理来分析双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为。全文分上、下二篇分别发表。本文为上篇，文中给出了在基区中正态模和逆向模的涉动电流和存贮电荷以及收集极外延层中的涉动电流和存贮电荷的解析分析；把它们表示成收集极传导电流Ｉｃ和收集极与基极之间电位差ＶＣＢ的函数。为在下篇中提出一个严格的解析模型提供理论基础。(本文来源于《浙江工业大学学报》期刊1995年02期）
许军,周文益,刘佑宝,黄敞[8]（1993）在《台面型自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的工艺研究》一文中研究指出本文提出了一种台面型全自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的制造方案,对其中的欧姆接触金属系统的制备.AlGaAs/GaAs材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究。并给出了应用该工艺研制的HBT器件的初步结果.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊1993年10期）
Hiroshi,Nishi,张华[9]（1983）在《自对准结构InGaAsP/InP双异质结构激光器》一文中研究指出本文研究了一种横模稳定的InGaAsP/InP双异质结构(DH)激光器的器件参数,即各层的厚度和条宽,这种激光器称为自对准结构(SAS),发射波长为1.3μm。为了控制平行于结平面的横模以及为了在高温下能稳定工作(尽管阈值电流对温度很灵敏),得出最佳条宽为7μm。 SAS激光器显示出稳定的基横模和接近单纵模的工作特性,并且直到3GHz有平坦的频率响应特性,范围在±5dB内。在老化试验中,温度提高到50℃和70℃,在恒定光功率条件下,所有样品都已工作了10000多小时,驱动电流没有明显变化。在50℃,5mW/端面恒定功率条件下的样品,5000小时期间驱动电流增加的平均速率为3.1×10~(-6)/hr。这个数值与GaAlAs/GaAs DH激光器相比几乎一样。在老化试验期间未观察到基横模分布上的变化。(本文来源于《半导体情报》期刊1983年02期）
自对准结构论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了改善高压功率SiGeHBT的综合性能,应用图形外延SiGe工艺,研制出了一种新型的双多晶自对准SiGeHBT器件。相对于双台面结构的SiGeHBT而言,该结构的SiGeHBT在发射极总周长不变的情况下,其发射结面积减少超过50%,集电结面积减少近70%,BVCBO也提高了近28%。经测试,器件的结漏电和直流增益等参数均符合设计要求。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自对准结构论文参考文献
[1].程浩.含自对准结构的镀铜陶瓷基板制备技术研究[D].华中科技大学.2016
[2].徐阳,张伟,岳磊,许军.一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGeHBT[J].微电子学与计算机.2006
[3].黄大鹏,戴显英,张鹤鸣,王伟,吴建伟.SiGeHBT超自对准结构模拟研究[J].微电子学.2005
[4].严北平,张鹤鸣,戴显英.高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管[J].半导体学报.2001
[5].张少强,徐重阳,邹雪城,周雪梅,赵伯芳.自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究[J].微电子学.1995
[6].乐中道,龙忠琪.双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型（Ⅱ）[J].浙江工业大学学报.1995
[7].乐中道,龙忠琪.双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型（Ⅰ）[J].浙江工业大学学报.1995
[8].许军,周文益,刘佑宝,黄敞.台面型自对准结构AlGaAs/GaAsHBT的工艺研究[J].微电子学与计算机.1993
[9].Hiroshi,Nishi,张华.自对准结构InGaAsP/InP双异质结构激光器[J].半导体情报.1983