导读:本文包含了集成解复用论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:阵列波导光栅,可调光衰减器,硅基光子学,绝缘体上硅
集成解复用论文文献综述
袁配,王玥,吴远大,安俊明,祝连庆[1]（2019）在《基于3μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成（英文）》一文中研究指出波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片,并且考虑到其与其他不同光器件的集成可能性,在绝缘体上硅材料制作了16通道、信道间隔200 GHz的阵列波导光栅复用/解复用器与电吸收型可调光衰减器的单片集成。该器件的片上损耗小于7 dB,串扰小于-22 dB。电吸收型VOA在20 d B的衰减量下的功耗为572 m W(106 m A,5.4 V)。此外,该器件可以实现光功率的快速衰减,在0～5 V的外加方波电压下,VOA上升及下降时间分别为50.5 ns和48 ns。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2019年08期）
代红庆,安俊明,王玥,张家顺,王亮亮[2]（2015）在《基于不同衬底的二氧化硅可调复用器/解复用器的单片集成芯片研究》一文中研究指出分别设计制备了基于石英衬底和硅衬底的16通道200GHz二氧化硅可调复用器/解复用器。该器件由一个16通道200GHz的阵列波导光栅(AWG)和Mach-Zehnder干涉型热光可调光衰减器(VOA)阵列构成。在衰减量达到20dB的时候,基于石英衬底的器件的外加偏压和功耗分别是11.7V和110mW;而基于硅衬底的器件的外加偏压和功耗分别是22V和380mW。分析了基于不同衬底的器件性能出现差别的原因,并设计了新的结构,提高了器件性能。(本文来源于《半导体光电》期刊2015年01期）
范鑫烨[3]（2013）在《长波长WDM解复用光接收集成器件及其微结构制备工艺的研究》一文中研究指出光波分复用技术是目前光纤通信系统能够满足通信带宽需求不断增长的支撑技术,近些年获得了人们的广泛研究。基于微结构的解复用光接收集成器件作为光波分复用系统中的关键器件,具有高速性能优越、集成度高以及信号探测能力强等优点,是近年来光纤通信迅速发展的重要保障。本论文深入研究了用于波分复用系统的长波长解复用光接收集成器件及其微结构的制备工艺。通过大量的器件理论仿真与实验研究,取得的主要研究成果以及创新点如下：1.对Si基多腔介质膜滤波器进行了深入的研究,在理论设计方面,对不同腔结构介质膜滤波器的透射谱进行了仿真,成功制备出具有平顶陡边光谱特性的多腔介质膜滤波器。该滤波器在1550nm处光谱透过率峰值达到75%,0.5dB带宽为0.48nm,3dB带宽为0.52nm,25dB带宽为0.87nm,可应用于100GHz通道间隔的波分复用系统。2.利用苯并环丁烯树脂(BCB)研究了用于实现光电集成制备的BCB低温键合技术。在此基础上,提出了一种具有平顶陡边响应特性的Si基光接收集成器件。利用传输矩阵法对器件的光谱响应特性进行了仿真分析,并对器件结构进行了优化。基于BCB低温键合工艺实现了InP基PIN光探测器与Si基多腔介质膜滤波器的准单片集成,制备了具有平顶陡边响应特性的Si基长波长集成解复用光探测器。器件具有优异的平顶陡边响应特性,0.5dB响应带宽为0.43nm,3dB带宽为0.5nm,25dB带宽为1.06nm,同时,峰值量子效率达到55%,3dB响应带宽达到16GHz。3.通过制备工艺的创新实现了可用于滤波腔的台阶梯微结构,以及可用于吸收腔的垂直楔形微结构和圆锥形微结构。利用湿法刻蚀工艺在Fabry-Perot滤波腔中实现了台阶梯的制备。利用动态掩膜技术在光探测器的吸收腔中制备了垂直楔形吸收腔结构,并在其基础上通过改进工艺,制备了锥形吸收腔结构。4.实现了一种具有平顶陡边光谱响应特性的Si基长波长集成解复用光探测器。器件采用垂直楔形微结构的设计,实现了器件的高量子效率；采用多腔介质膜滤波器,实现了优良的平项陡边光谱响应特性。利用BCB低温键合工艺实现了Si基多腔介质膜滤波器与InP基垂直楔形吸收腔结构的键合。测试结果显示,器件的峰值量子效率达到了58.42%,器件的0.5dB带宽为0.52nm,3dB带宽为0.65nm,25dB带宽为0.95nm,通带平坦度小于0.55dB,可应用于波分复用系统。5.提出并制备了基于锥形吸收腔的Si基长波长集成解复用光探测器。深入研究了圆锥形微结构的制备工艺,通过控制圆锥形结构形成层的厚度以及圆锥面掩膜的半径实现了对圆锥形结构底角的角度控制。利用BCB低温键合工艺实现了Si基多腔滤波器与InP基锥形吸收腔的键合。器件采用了多腔介质膜滤波器,实现了优良的平顶陡边光谱响应特性。此外,器件的圆锥形顶镜有效地将光波限制在吸收腔内,增加了光经过吸收层的次数,从而提高了量子效率。测试结果显示,器件的0.5dB带宽为0.5nm,3dB带宽为0.7nm,25dB带宽为1.06nm,并且器件峰值量子效率达到了60%,通带平坦度小于0.55dB,满足应用于100GHz通道间隔波分复用系统的要求。6.成功制备了一种具有平顶陡边响应的单片集成光探测器。器件基于“InP基PIN+GaAs基Fabry-Perot滤波腔”的基本结构,利用湿法刻蚀工艺在Fabry-Perot滤波腔中制作了台阶梯微结构,并利用GaAs/InP大失配异质外延技术实现了器件的集成。器件采用了台阶型滤波腔结构,实现了平顶陡边光谱响应特性。测试结果表明：器件的峰值量子效率达到了26%,0.5dB光谱响应线宽为3.9nm,3dB光谱响应线宽为4.2nm,3dB响应带宽达到17GHz。7.成功完成了对JGP450A9型磁控溅射系统软硬件升级的工作,实现了系统的全自动控制。8.研究了Au薄膜厚度对GaAs纳米线生长的影响,通过控制Au薄膜镀膜时间发现,随着Au薄膜厚度的增大,GaAs纳米线的平均直径增大,生长速率随之降低。此外,研究了不同工作气压对金属电极镀膜工艺的影响,当工作气压为0.32Pa时,平均沉积速率达到最大值,金属电极薄膜的致密度达到最佳值。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2013-06-15）
王伟[4]（2012）在《基于Fabry-Pérot滤波腔的WDM集成解复用接收器件的研究》一文中研究指出当前,长距离、大容量、高速率的WDM光纤通信系统的飞速发展在满足人们对通信带宽迫切需求的同时,也对作为其物理基础的光电子器件提出了越来越高的要求。集成化光电子器件集低成本、低功耗、小尺寸、高可靠性、易于组装等众多优点于一身,成为光纤通信领域研究的热点。WDM技术在未来能否继续持续快速发展,在很大程度上取决于光电子器件在大规模集成方面是否有关键突破。本论文从理论和实验上研究了可用于WDM系统的基于外延生长Fabry-Perot滤波腔(epitaxially grown Fabry-Perot cavity, EG-FPC)的集成解复用接收器件,主要包括具有波长选择性的、高速、窄线宽、平顶响应的可调谐光探测器,及可用于多波长接收的光探测器阵列。论文主要工作如下：1.建立了EG-FPC的计算模型,将该模型作为理论指导,提出了重置EG-FPC透射谱的新方法,并从实验上对该方法进行了验证。相对于传统方法,新方法大大提高了EG-FPC透射谱的重置效率,降低了相关的解复用接收器件的制作成本。2.通过在EG-FPC中引入阶梯型微结构,制备了可探测四路波长的光探测器阵列。该阵列在未来新型ROADM设备中有着广泛的应用前景。实际测得的器件的四个响应峰分别位于1559nm、1553nm、1541nm、1536nm,峰值量子效率在14.5%-16%之间,响应峰半高宽在0.8nm左右,3dB带宽达到10.8GHz,调谐范围达到8.5nm。3.研究了GaAs衬底对EG-FPC的透射性能的影响。理论仿真表明：EG-FPC透射峰的质量会因衬底的F-P效应而分裂恶化；EG-FPC的峰值透射率会随衬底厚度的变化而呈现周期性振荡；将衬底减薄到一定的厚度范围内,可在一定程度上抑制透射峰的分裂。在实验上通过对衬底的研磨和抛光,使得EG-FPC的透射性能得到极大改善,验证了理论上所得到的结论。4.通过在硅基F-P滤波腔中引入具有2个台阶的阶梯型微结构,设计了硅基可调谐平顶响应光探测器。它的上DBR由7对GaAs/AlGaAs组成,下DBR由3.5对SiO2/Ta2O5构成,有效腔厚为37.32μm。计算可得其1dB线宽、3dB线宽、6dB线宽和峰值量子效率分别为0.5nm、0.8nm、1.2nm和40%。该探测器可经由热光效应进行调谐。5.通过在EG-FPC中引入具有4个台阶的阶梯型微腔结构,设计了单片集成可调谐双波长平顶响应光探测器。通过牺牲量子效率,引入双峰响应,使“GaAs基EG-FPC+InP基PIN探测”结构的光探测器可调谐范围扩展为原来的两倍。6.提出了一种InP/Ino.53Gao.47As多结PIN光探测器(MJ-PIN-PD)。从理论上对该MJ-PIN-PD的3dB响应带宽、量子效率及带宽效率积(BEP)进行了详尽的分析和计算。针对器件结面积分别为40×40μm2、30×30μm2、20×20μm2、10×10μm2时的情况,通过计算得到了BEP取得最大值时,与结面积对应的结数量k(分别为1、2、2、3)和吸收层厚度la(分别为1.28μm、1.16μm、0.84μm、0.54μm)。成功制作了基于GaAs-DBR的双结PIN-PD,验证了DBR反射镜在增强MJ-PIN-PD量子效率方面的作用。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2012-05-22）
张学强[5]（2012）在《光通信中Si基集成解复用光接收器的研究》一文中研究指出在集成电路和集成光路都有了相当程度发展的今天,发展光电子集成自然成为了当前研究的重点课题。在光电集成研究中硅材料更受青睐。然而,在制作光通信系统中的有源器件时硅材料却没有Ⅲ-Ⅴ族化合物材料的优势。因而结合硅材料和Ⅲ-Ⅴ族化合物材料的优势制作硅基有源器件具有相当广阔的前景。另外,由于能以较低的成本、较简单的结构形式极大地扩大单根光纤的传输容量,波分复用系统已经成为光网络中的主导技术。所以制作运用于波分复用系统的集成解用接收器具有十分重要的现实意义。本论文主要针对具有平顶陡边光谱响应的硅基集成解复用光探测器进行了详细的研究,研究成果如下：1.为了结合Si基材料在光电集成中的优势和Ⅲ-Ⅴ族化合物光探测器的优良特性,对键合工艺进行了研究。特别是对运用苯并环丁烯树脂(BCB树脂)和粘附剂AP3000在Si片和Ⅲ-Ⅴ族化合物光探测器外延片键合中的工艺进行了详细研究。2.运用传输矩阵法,深入的分析了分布布拉格反射镜原理和Fabry-Perot腔原理。并在此理论基础上对多腔级联Fabry-Perot滤波器原理进行了阐述,同时根据波分复用系统的带宽要求设计了叁种具有平顶陡边透射谱的多腔级联硅基介质薄膜Fabry-Perot滤波器。3.设计了一种具有平顶陡边光谱响应的Si基光探测器。并用传输矩阵法对探测器性能进行了理论分析,分析结果显示该光探测器拥有相对较高的量子效率和非常良好的平顶陡边光谱响应特性。而且其光谱响应完全能够满足密集波分复用对带宽的要求。4.参与制作了具有平顶陡边光谱响应的Si基长波长光探测器,并对该光探测器的响应谱进行了测试,测试结果显示器件在波长1549.2nm附近量子效率达到了56%,响应谱-0.5dB带宽为0.61nm,-3dB带宽为0.69nm,-25dB带宽为1.16nm。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2012-01-12）
周英飞[6]（2012）在《用于光通信中的集成解复用接收器件的研究》一文中研究指出光纤通信中的波分复用技术(WDM)可以充分利用光纤的巨大带宽,提供大容量的信息传输,而且具有高的灵活性和可靠性,因而成为未来通信网络发展的关键技术。波分解复用器(DMUX)和光电探测器(PD)作为WDM系统的核心器件,分别完成系统终端的解复用接收功能,其性能的优劣对WDM系统有着重要的影响。本论文针对具有可调谐特性、平顶陡边光谱响应的集成解复用接收器件进行了设计、仿真优化和实验研究,所取得的研究成果如下：1、设计了新型的具有平顶陡边光谱响应的集成解复用接收器件。该器件采用多台阶式的结构,对所设计的器件进行了理论模拟仿真和参数优化。研究结构表明：当F-P腔的顶镜和底镜分别采用20对GaAs/Alo.9Gao.1As的DBR时,器件的平顶陡边光谱响应特性较为理想,平顶宽度内的量子效率值达到50.2%,具有0.2nm的平顶宽度,0.5dB和3dB带宽分别是0.26nm和0.4nm。除此之外还对采用各种台阶结构实现平顶陡边光谱响应方法的优劣进行了分析和归纳。2、设计了中心波长和半高全宽(FWHM)独立可调谐的集成解复用接收器件。该器件采用两个空气隙的结构,通过静电驱动使可移动镜子上下移动,从而改变滤波腔的厚度,实现波长和半高全宽的独立可调谐特性。理论研究发现,增加或减小滤波腔的厚度,可以使谐振波长向长波长或短波长方向移动,所设计的器件具有大范围的波长调谐能力,在1.55μm波长处,器件具有93.9%的量子效率和0.38nm的FWHM。当镜子的移动距离为λ/2的整数倍时,光谱的带宽会发生相应的变化,从而实现带宽可调谐的特性。3、设计了半导体光放大器(VCSOA)和普通PIN探测器集成的解复用接收器件。通过理论分析研究了VCSOA分别工作在反射模式和透射模式下的增益特性,包括器件峰值增益和带宽之间的矛盾、VCSOA底镜和顶镜反射率大小以及外界注入载流子浓度大小对器件增益特性的影响。在此基础上,设计了VCSOA和普通PIN探测器的集成器件。研究发现该集成器件可以在较薄的吸收层厚度下达到大于100%的量子效率。此外进一步研究了集成器件底镜和顶镜反射率大小、外界注入载流子浓度大小对其量子效率光谱响应特性的影响。4、合作完成了具有平顶陡边光谱响应的集成解复用接收器件的实验研究。该集成器件采用台阶型F-P腔和普通PIN探测器的集成,利用刻蚀工艺和二次外延生长完成了集成器件的制作,并通过搭建测试环境测试了器件的光谱响应和高速响应。测试结果表明：器件的工作波长为1549nm,峰值量子效率大于25%,0.5dB和3dB带宽分别是3.9nm和4.2nm,响应速率达到17GHz。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2012-01-10）
孙瑾[7]（2012）在《用于DWDM系统的集成解复用接收器件的研制》一文中研究指出互联网的不断壮大给传输网带来了越来越大的压力,可以说信息时代要求容量更大的传输网络。在此背景下,波分复用的技术应运而生。波分复用技术能够带给光纤网更大的容量,从技术上解决光纤容量不足的问题。密集型光波复用(DWDM)技术是一种成熟的且较为先进的光纤通信技术,是世界各国研究和开发的热点。研究和制作用于DWDM系统的集成解复用接收器件,即具有波长选择特性,同时又有高响应速度、高的量子效率以及窄的谱线宽度的光电探测器已经成为了光通信领域的热点。本论文针对用于DWDM系统的集成解复用接收器件展开研究和制作,主要研究成果及工作内容如下：1、从理论上研究了GaAs-DBRs/InP-PD单片集成可调谐光电探测器的量子效率和高速响应。对该器件的异质外延生长、磁控溅射金属镀膜法、光刻工艺、正负反转胶工艺等进行了详细的归纳和总结。参与完成了该器件的实验制备并分析了器件的测试结果。该器件工作波长为1566nm,峰值量子效率大于12%,其3dB光谱响应线宽为1.8nm,器件的高速响应在13GHz左右。2、从理论上对双吸收层RCE光电探测器的量子效率和高速响应进行了研究。对该器件的异质外延生长和其后工艺实验制备进行了详细的探讨和总结。参与完成了该器件的实验制备并分析了器件的测试结果。该器件中心波长在1500nm附近,峰值量子效率为70%,器件的高速响应在4GHz左右。3、分析了具有多波长处理功能的单片集成光电探测器阵列的基本结构和量子效率。对多阶梯型谐振腔的制作工艺、光刻工艺、腐蚀工艺等进行了详细的探讨和总结,对该器件进行了制备并分析了器件的测试结果。具有四阶梯腔结构的单片集成光电探测器阵列的一个周期的工作波长分别位于1537nm,1550nm,1559nm和1570nm,这四个峰值波长对应的量子效率都大于15%,该器件的响应线宽也在0.5nm以下,响应速率为9GHz。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2012-01-03）
段晓峰[8]（2010）在《用于WDM光网络的集成解复用接收器件的研究》一文中研究指出本论文工作是围绕以下项目展开的：以任晓敏教授为首席科学家的国家重点基础研究发展计划(973计划)项目“新一代通信光电子集成器件及光纤的重要结构工艺创新与基础研究”(No.2003CB314900)；国家高科技研究发展计划(863计划)项目“用于可重构分插复用具有波长处理机制的平面光集成解复用接收器件的研究”(No.2007AA03Z418),“自主创新单片集成高性能可调谐解复用光接收器件”(No.2006AA03Z416);高等学校学科创新引智计划(111计划)项目“通信与网络核心技术创新引智基地”(No.B07005)；国际科技合作重点项目计划项目“基于微尺度效应和技术的异质结构半导体材料及器件”(No.2006DFB11110)。近几年来,对通信带宽的需求不断增长,推动了光通信技术的飞速发展,光波分复用技术作为其中的支撑技术获得了人们的极大关注。对于在长途骨干传输网中的应用,波分复用技术已获得了长足的发展；然而另一方面,基于波分复用技术的全光网络的研究尚处于方兴未艾的阶段。作为其中关键技术之一的波长解复用接收则是波分复用技术能够应用于实际通信系统并发挥自身强大功能的保证。本论文集中研究了波分复用系统中的集成解复用接收技术与器件,主要包括具有波长选择性的,高速、高量子效率、窄线宽、可调谐光探测器,以及单片集成光探测器阵列；并对其在可重构光分插复用系统中的应用进行了探讨。基于本实验室现有的设备和工艺技术,通过大量的理论分析和实验工艺探索,取得的主要研究成果如下所述：1.完成了可调谐光探测器的设计,在大失配异质外延生长方面取得了重要进展,并且解决了可调谐电极制作的工艺难点。制备了1550nm GaAs-DBRs/InP-PD单片集成可调谐光探测器。基于大失配异质外延技术实现了GaAs/AlGaAs的F-P谐振腔与InP基的p-i-n光探测器的单片集成。器件具有大的波长可调谐范围(>10nm)、窄的光谱线宽(<0.5nm),同时,峰值量子效率达到20%,3dB响应带宽达到8.2GHz。2.提出了具有阶梯腔的新型法布里—珀罗滤波器结构。解决了多阶梯腔制备的工艺难点,为成功制备具有波长处理功能的单片集成光探测器阵列提供了新的途径。3.成功制备了基于多阶梯谐振腔结构的具有波长处理功能的单片集成光探测器阵列；并且探索了苯并环丁烯树脂(BCB树脂)作为键合材料的光子集成制作工艺。在此基础上,设计并实现了一种用于ROADM技术的集成解复用接收器件,该集成器件作为ROADM设备中的关键组成部分能够完成解复用接收功能。器件测试结果显示,可以实现四路波长的探测。最大峰值量子效率达到20%,最大波长可调谐范围为10nm,调谐功率与可调谐波长线性相关,每条光谱响应曲线的线宽都小于0.5nm,3dB响应带宽达到10GHz。4.成功实现了长波长四镜叁腔光探测器。利用InP/GaAs大失配异质外延技术实现光子集成,通过多腔结构的设计,实现了量子效率与频率响应之间的解耦,薄的吸收层保证了高速频率响应的获得,同时RCE结构也保证了高量子效率的实现。实际制备的器件响应波长为1550nm,峰值量子效率接近70%,其光谱线宽为0.5nm,3dB响应带宽大于8GHz。5.提出了一种具有双吸收层结构的RCE光探测器,该结构可以缓解传统RCE光探测器带宽与效率之间的相互限制。理论分析得出对于0.2μm厚的吸收层,在1550nm波长处器件的量子效率可达到93%,在高速响应方面,台面积为30μm×30μm时,器件的频率响应3dB带宽亦可以达到26GHz。6.研究了制备具有SWG结构RCE光探测器的方法和途径。研究发现,要达到相同的反射率,SWG结构的引入使InP基DBRs所需的薄膜对数明显减少,解决了InGaAsP/InP基DBRs由于折射率差小而导致的周期对数增加,即厚度增加的难题。计算显示具有SWG结构RCE光探测器的量子效率能够超过90%。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2010-04-20）
周星光[9]（2009）在《用于WDM系统的集成解复用接收器件的理论和实验研究》一文中研究指出随着信息技术的迅速发展,对通信带宽的需求不断增长,波分复用(WDM)技术作为长距离大容量通信技术的主要手段,获得了快速发展。作为其中关键技术之一的波长解复用接收技术是WDM能够应用于实际通信系统并发挥自身强大功能的保证。本论文针对WDM系统中集成解复用探测器件及应用于其中的微结构进行了研究。本论文取得了以下研究成果:1.对具有弧形吸收腔腔结构的集成解复用光探测器结构进行了研究,分析了TE、TM偏振光波的量子效率。理论研究表明TE波的峰值量子效率可达到82%,TM偏振的峰值量子效率可达到66%。由于弧形吸收腔的作用,探测器的量子效率主要受弧形微结构的曲率半径而不是台面面积的影响,在台面面积很小的情况下,通过合理地选择曲率半径,该探测器能获得比楔型腔探测器更高的量子效率。同时光谱响应线宽达到0.5nm,表明采用弧形微结构作为吸收腔的光探测器具有很好的波长选择性能。2.结合高对比度亚波长光栅(HCG)的特点,用精确耦合波方法进行数值模拟,分析了HCG的反射率和带宽性能,计算表明HCG可以达到0.99的高反射率以及△λ/λ≈32%的反射带宽,具有良好的反射率和带宽性能。3.设计了HCG作为RCE型光探测器的反射镜,选取InP系材料计算探测器的量子效率性能,结果表明该探测器的量子效率可以达到90%,具有优越的量子效率性能。4.参与制备了两种弧形微结构:一种为空气隙型弧形微结构;另一种为实体弧形微结构。空气隙型弧形微结构是利用相邻两层半导体材料之间的晶格差异产生的切向应力来实现弧形结构,制备实现的弧形微结构曲率半径为72μm、286μm、643μm、1143μm。实体弧形微结构采用可控自推移动态掩膜湿法刻蚀技术制备,通过调整腐蚀液中某几种组分的始末溶液浓度以及滴定溶液的滴定速度,可以控制弧形微结构的角度变化范围和曲率半径。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2009-03-05）
杜宏伟,徐玉峰,黄永清,任晓敏[10]（2008）在《一种新型集成解复用接收器的设计》一文中研究指出提出了一种基于楔形F-P腔滤波器的并行探测集成解复用接收器。利用转移矩阵方法对这种新型并行解复用接收器进行了理论分析,给出了并行解复用接收器并行探测四个波长的具体设计实例。最后,使用数值模拟的方法对这种新型并行探测集成解复用接收器的解复用性能和串扰特性进行了计算,并作了分析。(本文来源于《半导体光电》期刊2008年05期）
集成解复用论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
分别设计制备了基于石英衬底和硅衬底的16通道200GHz二氧化硅可调复用器/解复用器。该器件由一个16通道200GHz的阵列波导光栅(AWG)和Mach-Zehnder干涉型热光可调光衰减器(VOA)阵列构成。在衰减量达到20dB的时候,基于石英衬底的器件的外加偏压和功耗分别是11.7V和110mW;而基于硅衬底的器件的外加偏压和功耗分别是22V和380mW。分析了基于不同衬底的器件性能出现差别的原因,并设计了新的结构,提高了器件性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
集成解复用论文参考文献
[1].袁配,王玥,吴远大,安俊明,祝连庆.基于3μm-SOI的波分复用/解复用器与电吸收型VOA的单片集成（英文）[J].红外与激光工程.2019
[2].代红庆,安俊明,王玥,张家顺,王亮亮.基于不同衬底的二氧化硅可调复用器/解复用器的单片集成芯片研究[J].半导体光电.2015
[3].范鑫烨.长波长WDM解复用光接收集成器件及其微结构制备工艺的研究[D].北京邮电大学.2013
[4].王伟.基于Fabry-Pérot滤波腔的WDM集成解复用接收器件的研究[D].北京邮电大学.2012
[5].张学强.光通信中Si基集成解复用光接收器的研究[D].北京邮电大学.2012
[6].周英飞.用于光通信中的集成解复用接收器件的研究[D].北京邮电大学.2012
[7].孙瑾.用于DWDM系统的集成解复用接收器件的研制[D].北京邮电大学.2012
[8].段晓峰.用于WDM光网络的集成解复用接收器件的研究[D].北京邮电大学.2010
[9].周星光.用于WDM系统的集成解复用接收器件的理论和实验研究[D].北京邮电大学.2009
[10].杜宏伟,徐玉峰,黄永清,任晓敏.一种新型集成解复用接收器的设计[J].半导体光电.2008