导读:本文包含了锑掺杂二氧化锡论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Bi-SnO_2,CM,电催化膜,大肠杆菌,电催化氧化
锑掺杂二氧化锡论文文献综述
王鹏飞,邓宇,郝丽梅,邓橙,赵蕾[1]（2019）在《铋掺杂二氧化锡/炭膜电催化膜的制备及表征》一文中研究指出采用电还原-水热法,以炭膜为基膜制备Bi掺杂的SnO_2(Bi-SnO_2/CM)电催化膜,并采用SEM、XRD、线性伏安法(LSV)、循环伏安法(CV)等表征手段对电催化膜的组成结构及性能进行分析。研究结果表明,Bi-SnO_2通过化学键与炭膜紧密结合,可以增加电催化膜的活性位点数量,使电催化膜对大肠杆菌表现出优异的去除性能。当Bi与Sn的物质的量比为0.15,电还原时间为60 min,电流为0.2 mA时,制得的电催化膜的析氧电势达到1.74 V,电化学腐蚀时间可以达到44.5 h,且连续运行5 h后对大肠杆菌的去除率仍高于96.1%。这表明Bi-SnO_2/CM电催化膜在水中污染去除方面具有很好的应用前景。(本文来源于《材料导报》期刊2019年18期）
梁记伟,王海兵,叶飞鸿,陶晨,方国家[2]（2019）在《通过氯掺杂二氧化锡电子传输层获得高开路电压的平面异质结钙钛矿太阳能电池》一文中研究指出界面电压损失是制约平面异质结钙钛矿太阳能电池性能进一步提高的主要因素之一。为了解决这个问题,我们巧妙地将氯原子结合在SnO_2量子点表面,利用氯钝化的SnO_2作为电子传输层,在窄带隙(1.58 eV)的钙钛矿材料中制备了高达1.195 V开路电压的太阳能电池(n-i-p)。为了减少硫化物等有害材料的应用,我们使用环保的氯化铵添加剂制备的SnO_2量子点不仅有效地将氯原子结合在SnO_2量子点表面,形成ClSn结构;而且铵根离子平衡了量子点表面电荷,稳定了量子点溶液。通过旋涂制备均匀的SnO_2薄膜,低温焙烧过程使得氯原子在SnO_2电子传输层界面稳定存在。我们证明,氯掺杂的SnO_2不仅提升了电子传输层的费米能级,提升了能级匹配度,加快了电子抽取;而且降低了电子传输层和钙钛矿层之间的界面缺陷,抑制了界面复合。通过将Cl原子引入到SnO_2电子传输层中,我们在1.58 eV的窄带隙钙钛矿材料中制备了开路电压为1.195V,效率高达20%的光伏器件。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
张清妍[3]（2019）在《铬掺杂二氧化锡基乙炔传感器检测特性及机理研究》一文中研究指出油中溶解特征气体分析是油浸式电力变压器状态检修的有效方法之一,乙炔(C_2H_2)是溶解在变压器油中的主要故障特征气体,可以有效地反映电力变压器的放电性故障问题。半导体二氧化锡(SnO_2)气体传感器由于其低成本和高稳定性等特点而受到广泛关注,用于油中溶解气体在线分析时,存在选择性差,使用寿命短等难题,因此,研究SnO_2基C_2H_2气体传感器气敏机理及检测特性对提升变压器的绝缘运行水平具有重要的意义。论文依托国家自然科学基金项目,开展SnO_2基C_2H_2气体传感器检测特性及气敏机理第一性原理研究。首先,采用水热法制备出不同形貌的SnO_2气敏材料,表征之后制成平面式气体传感器,分析其生长机理并测试其对C_2H_2气体的气敏特性。采用溶胶凝胶法合成纯的Cr_2O_3颗粒后,基于静电纺丝法制备纯的以及Cr_2O_3-SnO_2纤维状气敏材料,结构表征后研究其对C_2H_2气体的检测特性。基于密度泛函理论第一性原理,建立SnO_2表面模型及C_2H_2吸附模型、Cr-SnO_2掺杂模型及C_2H_2气体吸附模型,对其表面原子构型及电子性能进行第一性原理仿真分析。论文取得的主要成果如下:(1)通过水热法制备了纤维、棒、微球和花状SnO_2气敏材料,并进行了XRD、SEM、BET表征,制成平面式气体传感器,基于实验室微量气体气敏测试平台测试了其对乙炔气体的气敏特性。结果表明,纤维状和花状SnO_2传感器测试C_2H_2气体时,比微球和棒状传感器具有更低的工作温度、更优的气敏响应和更快的响应恢复时间,其中纤维状和花状SnO_2检测100ppmC_2H_2的最佳工作温度降至260℃,灵敏度分别为47和34,同时对C_2H_2气体表现出较好地稳定性和重复性。测试发现,纤维状SnO_2材料具有较大的比表面积(36.67m~2/~(-1)g)和较大的孔径(8.9nm),因此对C_2H_2气体表现出更好的气敏性能。(2)采用溶胶凝胶法合成纯的Cr_2O_3颗粒后,基于静电纺丝法制备了纯的以及Cr_2O_3-SnO_2纤维状气敏材料,并对其进行了XRD、SEM、EDS、XPS表征,制成平面式气体传感器,测试了其对C_2H_2气体的检测特性。测试结果表明:与纤维状的纯SnO_2气体传感器相比,Cr_2O_3-SnO_2传感器检测C_2H_2时具有更好的气敏特性。检测20ppm浓度的C_2H_2时,Cr_2O_3-SnO_2气体传感器的最佳工作温度降至220°C,灵敏度升至48.54,响应恢复时间为10s和12s。并在低浓度1-50ppm范围内对C_2H_2的表现出较好的线性度,线性拟合函数是y=5.07+2.02x,线性相关系数为0.993。(3)基于密度泛函理论第一性原理,建立了金红石型SnO_2晶体模型,C_2H_2气体分子在SnO_2(110)面Sn_(5c)、Sn_(6c)、O_(2c)、O_(3c)位置的吸附模型,仿真研究发现,O_(2c)位置为SnO_2(110)面C_2H_2气体的最佳吸附位点。建立了Cr取代SnO_2(110)面Sn_(5c)、Sn_(6c)位点的掺杂模型,研究发现Sn_(5c)位置为Cr在SnO_2晶体模型上的最佳掺杂位置。基于最优掺杂构型建立了C_2H_2气体吸附模型,研究表明相比纯的SnO_2(110)面C_2H_2气体吸附模型,Cr掺杂在SnO_2(110)面吸附C_2H_2时,能带间隙减小0.044eV,电荷转移量增大为0.251e,因此对Cr掺杂SnO_2基C_2H_2传感器表现出更好的气敏性能。(本文来源于《西南大学》期刊2019-05-22）
孙多[4]（2019）在《金点催化二氧化锡纳米线及锑与铟掺杂二氧化锡纳米带性质的研究》一文中研究指出因为纳米材料所特有的一系列特殊效应,例如:量子尺寸效应和小尺寸效应等,所以纳米材料的化学性质及物理性质依赖其形貌和尺寸。SnO_2是一种红金石结构的n型氧化物半导体,其禁带宽度约为3.6 eV。由于SnO_2纳米线、纳米带等一维或二维纳米结构尺寸已经达到纳米量级,且由于纳米线具有较高的比表面积,和优良的化学及物理性质,在透明电极、太阳能电池、薄膜电阻、气体敏感器方面应用非常广泛。因此探究制备一维SnO_2纳米材料的多种形貌及对SnO_2纳米材料的微观结构尺寸的调控,是当今纳米材料的研究热点。传统使用金膜催化的方法不能够制备出直径小且尺寸均一的纳米线。为了得到理想尺寸的纳米线,我们使用胶束金点进行催化代替金膜,使用化学气相沉积法(CVD)制备了SnO_2纳米线并对SnO_2纳米线及SnO_2的生长机制进行分析探讨。并用此方法制备了锑(Sb)掺杂和铟(In)掺杂的SnO_2纳米材料,利用XRD、SEM、TEM等工具对得到的样品进行了结构和形貌的表征。并进一步探究了不同制备条件下对SnO_2纳米线形貌及光学性质的影响,以及不同掺杂比例对SnO_2形貌及光学性质的影响。本文使用常温光致发光(PL)以及拉曼(Raman)光谱对SnO_2性能进行探究,以下为实验结果:(1)利用化学气相沉积法,使用胶束金点进行催化制备出SnO_2纳米材料,即一维SnO_2纳米线,所得纳米线直径较小。探究了纳米线的生长机制。对比不同尺寸金颗粒催化得到的纳米线,室温光致发光(PL)谱显示均在624nm处得到了一个很宽的发光峰。对比不同反应温度发现随着温度升高PL光谱发生红移。拉曼(Raman)光谱显示出位于475cm~(-1),633cm~(-1)与775cm~(-1)位置上的叁个特征峰,同时我们的样品出现了位于695cm~(-1)的新的拉曼峰。(2)采用化学气相沉积法制备了不同掺杂比例的铟(In)掺杂SnO_2(ITO)纳米材料。光致发光(PL)光谱显示掺杂从2%到达5%时,发光峰出现红移,掺杂比例达到8%时,发光峰强度明显增强,并观察到位于主发光峰两侧出现了两个不对称的发光峰。拉曼(Raman)光谱显示掺杂比例达到5%时475cm~(-1)位置上的峰逐渐消失。(3)我们采用化学气相沉积法制备掺杂比例分别为2%,5%,8%的锑(Sb)掺杂SnO_2(ATO)材料。光致发光(PL)光谱显示,掺杂比例为2%时发光峰强度明显高于掺杂比例为5%和8%的发光峰,且掺杂比例为2%时,观察到位于主发光峰两侧出现了两个不对称的发光峰。拉曼(Raman)光谱显示掺杂比例达到5%时475cm~(-1)位置上的峰逐渐消失,掺杂比例达到8%时观察到775cm~(-1)位置上的峰逐渐消失,并且当掺杂比为8%时,在725cm~(-1)处出现了一个非活性拉曼峰。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-05-01）
郜梦婷[5]（2019）在《基于密度泛函理论（Sb,N）、（C,S）共掺杂二氧化锡的制备及光电性能研究》一文中研究指出随着化石能源的不断消耗,能源短缺以及环境污染问题越来越严重,采用光电催化的方法实现太阳能利用和二氧化碳转化是解决上述问题的有效方法。半导体氧化物SnO_2的电子迁移率较高、化学稳定性良好而且制备成本低廉,是实现太阳能利用和二氧化碳转化的关键材料。但是本征SnO_2的带隙值较大,载流子复合率较高,限制了它在光电催化领域的应用。为了克服上述缺点,大量研究说明简单可控的元素掺杂方法可以实现对SnO_2的改性,主要目标是对能带结构和载流子分离率进行调控,改性后的SnO_2可以更好地应用于光电催化领域。为了改善SnO_2的光电性能,本文通过施主-受主对以及双空穴辅助耦合两种掺杂方法对SnO_2改性。采用理论计算和实验相结合的方法,首先通过第一性原理计算设计了(Sb,N)以及(C,S)共掺杂SnO_2改性材料,考察了共掺杂材料的电子结构和光电性能,探讨了两种掺杂方法中掺杂剂的作用机制。同时,制备了不同比例的(Sb,N)以及(C,S)共掺杂SnO_2材料,并进行光电性能测试。本文主要研究内容为:1.第一部分通过补偿的施主-受主对Sb和N对SnO_2进行共掺杂改性。采用第一性原理计算系统考察了本征和(Sb,N)共掺SnO_2的晶胞构型和电子结构。理论计算结果证明,Sb和N分别在导带底和价带顶引入新的能级,使SnO_2带隙减小了0.865 eV。此外,Sb和N之间的电荷补偿效应可以提升体系载流子的分离率。基于第一性原理计算结果,采用水热法制备了本征和(Sb,N)共掺杂的SnO_2电极并进行了表征和光电性能测试。实验结果表明,(Sb,N)共掺杂使SnO_2的光电性能有显着提升,其中5%(Sb,N)共掺杂SnO_2的光电性能最佳,此比例下获得了最大的瞬态光电流值(9μA/cm~2)和最小的电化学阻抗。理论计算和实验结果表明,施主-受主对Sb和N的掺杂改善了SnO_2的光电性能,可用于制备高活性SnO_2基光电材料。2.第二部分选取了能够引入双空穴的掺杂对碳和硫对SnO_2进行掺杂改性,采用第一性原理计算研究了本征和(C,S)共掺杂SnO_2的晶胞构型和电子结构。理论计算结果证明,碳和硫原子之间的相互作用是由晶格畸变引起的。C和S在价带顶部引入新的能级,使带隙值减小了0.622 eV。此外,完全充满的能级可以抑制带电缺陷的形成,从而改善了SnO_2的光电性能。同时,通过SnO_2中掺杂剂的双空穴辅助耦合机制阐明了掺杂剂C与S的相互作用原理。同时,基于理论计算结果,制备了本征和不同比例的(C,S)共掺杂SnO_2材料,并测试其光电性能。实验结果表明,(C,S)共掺杂使SnO_2的光电性能有显着提升,其中5%(C,S)共掺杂SnO_2的光电性能最佳,此比例下获得了最大的瞬态光电流值(6.8μA/cm~2)和最小的电化学阻抗。该研究表明(C,S)共掺杂可以制备高活性SnO_2基光电材料,也为其它同类半导体材料的改性研究提供了新思路。(本文来源于《太原理工大学》期刊2019-04-01）
叶海波,刘智勇,刘星月,廖广兰[6]（2018）在《17.8%基于低温锌掺杂二氧化锡电子传输层的高效碳基平板钙钛矿太阳能电池》一文中研究指出有机一无机铅卤化物钙钛矿太阳能电池由于具有相当的功率转换效率和溶液过程制造技术,引起了科学界的极大兴趣。在各种钙钛矿太阳能电池中,基于碳的钙钛矿太阳能电池似乎是解决稳定性问题最有希望的一种,但其效率较差。本文提出了一种了Zn掺杂的Sn02作为有效的电子传输层(ETL),小分子铜酞菁(CuPc)作为空穴传输层(HTL)的碳基钙钛矿太阳能电池。我们发现,Zn掺杂有助于实现更佳的能级匹配并改善Sn02膜的导(本文来源于《2018第二届全国太阳能材料与太阳能电池学术研讨会摘要集》期刊2018-06-23）
曹帅琦[7]（2018）在《钽掺杂二氧化锡薄膜及多层薄膜的制备和光电性能研究》一文中研究指出近年来,随着智能手机、平板电脑、有机发光二极管、Low-E玻璃、太阳能电池等行业的飞速发展,透明导电氧化物(TCO)的开发和应用变得越来越受科学家的青睐。作为光电器件的基础,透明导电氧化物(TCO)的成本和性能对于整个智能终端行业的发展具有重大的意义。现有的薄膜材料主要是以氧化铟锡(ITO)为主,但是ITO存在铟资源缺乏、价格昂贵、储量不足、不适合柔性成膜等诸多缺点。基于以上原因,各国都在通过一系列基础研究来努力开发出一种无铟的透明导电薄膜材料。本课题使用英国PQL公司生产的远源等离子体溅射镀膜系统,在普通玻璃基底上制备出了钽掺杂二氧化锡(Ta-SnO_2,TTO)薄膜和二氧化锡/银/二氧化锡(SnO_2/Ag/SnO_2)多层膜,使用SEM和TEM分析了薄膜的表面形貌和掺杂元素比例,使用XPS分析了薄膜表面的元素价态和缺陷状态,使用UV-3600来测试了薄膜在可见光范围内的透过率,使用Lake shore 8400和半导体特性测试仪测试了薄膜的电学性能。所得到的主要结论如下:1、钽掺杂二氧化锡薄膜(Ta-SnO_2,TTO)(1)氧气流量会显着影响薄膜的晶体结构。此外,退火温度会影响薄膜的晶体结构,在退火温度在250℃及以下时,薄膜呈现出非晶和纳米晶的状态,在退火温度在450℃时,薄膜会呈现出金红石的二氧化锡晶体相。(2)在氧气流量为4 sccm以上,薄膜的透光率均超过了70%,同时提高退火温度也会增加薄膜在可见光范围内的透光率。薄膜分别在250℃和450℃条件下进行30 min退火后,平均透过率可显着提高到90%和93%。(3)在5 sccm时钽掺杂二氧化锡薄膜的电阻率低至9.68×10~(-3)Ω?cm。适当温度的退火也会提高薄膜的电学性能,在270℃退火30 min后,薄膜的电学性能达到最优值,电阻率低至4.23×10~(-3)Ω?cm。在温度超过270℃后,TTO薄膜的电学性能随着退火温度的升高而逐渐降低。2、二氧化锡/银/二氧化锡(SnO_2/Ag/SnO_2)多层膜(1)不同银层厚度的SnO_2/Ag/SnO_2薄膜的微观结构不同,在银层厚度在6nm以下时,中间银层的分布主要是岛状隔离分布,在银层厚度超过6 nm以后,薄膜的中间银层的分布从岛状隔离分布转化成了连续的平面状分布。(2)在中间银层厚度在2 nm时,薄膜在可见光范围内的透光性最强,平均透光率可以达到90%,而在中间银层厚度在6 nm和12 nm时,在可见光范围内的平均透光率分别降至86%和60%。(3)随着银层厚度的增加,薄膜的电学性能逐渐提高。在薄膜中间银层厚度为2nm时,薄膜霍尔迁移率为6.58 cm~2V~(-1)s~(-1),而在银层厚度为6 nm时,薄膜的电阻率降低至8.41×10~(-5)Ω?cm,霍尔迁移率为12.3 cm~2V~(-1)s~(-1),在银层厚度为12nm时,薄膜的电阻率进一步降低至4.52×10~(-5)Ω?cm,相应的霍尔迁移率降低至17.7 cm~2V~(-1)s~(-1)。(4)薄膜的品质因数是评价薄膜光学性能和电学性能的综合指标,在中间银层6 nm时,薄膜品质因数可以达到8.7×10~(-2)Ω~(-1)。在银层厚度小于4 nm时,薄膜的导电性制约了其品质因数的提高,在银层厚度大于4 nm时,薄膜的透光性制约了其品质因数的提高。(本文来源于《郑州大学》期刊2018-04-01）
张文豪,李彦良,高彦杰,赵晓伟,王维勋[8]（2018）在《纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)水凝胶的水热法制备以及ATO导电薄膜的透明和隔热性能》一文中研究指出以醋酸盐共沉淀法制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)湿凝胶;将其作为前驱体,在一定温度下经水热法得到ATO水凝胶.考察了前驱体洗涤程度,水热反应温度、p H以及煅烧温度对ATO水凝胶导电性能的影响.进而将酸性条件下得到的ATO水凝胶制备成导电薄膜,考察了其透明和隔热性能.结果表明:前驱体洗涤程度对ATO水凝胶导电性能的影响不大;随着水热反应温度的升高,水凝胶导电性能改善;当凝胶煅烧温度提高到600℃时,ATO样品的电阻率为0.8Ω·cm.此外,ATO导电薄膜的可见光透过率达85%,红外光吸光率为53%,显示出优异的透明和隔热性能.(本文来源于《化学研究》期刊2018年01期）
张清妍,周渠,彭姝迪,吴高林,洪长翔[9]（2017）在《钴掺杂二氧化锡基氢气传感器气敏特性研究》一文中研究指出氢气(H_2)是溶解在变压器油中的重要故障特征气体,对油中溶解的H_2气体浓度进行在线监测能实时有效反映变压器的运行状况。针对传统的二氧化锡基气体传感器检测油中溶解气体存在工作温度较高,气体响应较低的问题,提出一种用金属钴Co掺杂纳米二氧化锡SnO_2基传感器检测变压器油中溶解气体的方法,介绍其制备方法研制气体传感器并测试H2气敏特性,同时基于第一性原理对其敏感机理进行了探讨。结果表明:金属Co掺杂SnO_2后传感器的最佳工作温度降低至300℃,对50μL/L H_2的灵敏度增到12.16,Co掺杂后SnO_2的导带负移,在费米能级附近出现了新的掺杂能级,增大了SnO_2表面的导电性能,H2吸附在Co-SnO_2表面时,价带顶附近区域出现了新的表面态,有利于载流子在价带和导带间的转移,从而改善传感器的气敏性能。(本文来源于《传感技术学报》期刊2017年09期）
唐豆[10]（2017）在《掺杂二氧化锡纳米线的制备及气体响应特性研究》一文中研究指出科技的不断进步,使得人们的生活越来越便利,与此同时,工业化生产对人类环境的影响日益引人关注。随着人们生活水平的提高,对自身健康和居住环境的要求也日益增高,尤其对每时每刻无法不接触的空气质量更是关注。在检测的气体中,硫化氢因其臭鸡蛋味道而闻名,其剧毒性质会对人体产生巨大伤害,同时又普遍存在于工业生产环节和实验室环境中而受到研究者的广泛关注。有不少研究者对硫化氢气体的检测作了研究,但硫化氢传感器普遍存在反应和恢复时间尤其是恢复时间长的问题以及半导体金属氧化物传感器的通病——工作温度高。因此,本文主要从改善半导体金属氧化物气体传感器的气敏性能出发,围绕气体传感器在硫化氢气体中存在的问题,通过对工艺制备的改进,敏感材料的形貌结构进行调控,实现硫化氢传感器性能的提升。主要内容如下:(1)以提高气体传感器灵敏度和反应恢复时间为目的,采用一种简单、高效、环保的新型电纺制备方法,即在传统电纺的基础上,将稳定旋转的陶瓷管放置在收集器的表面,敏感材料均匀的落在陶瓷管上,再进行处理。陶瓷管表面材料呈现网络状结构分布,具有较多空隙,可以提高气体扩散速率和增加灵敏度。(2)利用新型电纺方法制备出Cu掺杂SnO2纳米线,预先将醋酸铜和氯化亚锡的盐和PAN溶于DMF中,通过均匀搅拌、电纺,干燥、退火等步骤将CuO植入SnO2中。一方面利用网状结构的电学特征和p-n异质结增加传感器的灵敏度,另一方面网状结构的大空隙缩短了传感器的反应和恢复时间。(3)利用新型电纺方法制备出Ni掺杂SnO2纳米线。与Cu掺杂的SnO2相比,Ni掺杂的SnO2纳米线避免了在反应和恢复时CuO与CuS之间的转换导致的反应和恢复时间较长的问题,进一步缩短了反应和恢复时间,不过同时,灵敏度作出了相应的牺牲,但是与其他硫化氢传感器相比,其灵敏度仍是具有明显的优势。(本文来源于《湖南大学》期刊2017-05-08）
锑掺杂二氧化锡论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
界面电压损失是制约平面异质结钙钛矿太阳能电池性能进一步提高的主要因素之一。为了解决这个问题,我们巧妙地将氯原子结合在SnO_2量子点表面,利用氯钝化的SnO_2作为电子传输层,在窄带隙(1.58 eV)的钙钛矿材料中制备了高达1.195 V开路电压的太阳能电池(n-i-p)。为了减少硫化物等有害材料的应用,我们使用环保的氯化铵添加剂制备的SnO_2量子点不仅有效地将氯原子结合在SnO_2量子点表面,形成ClSn结构;而且铵根离子平衡了量子点表面电荷,稳定了量子点溶液。通过旋涂制备均匀的SnO_2薄膜,低温焙烧过程使得氯原子在SnO_2电子传输层界面稳定存在。我们证明,氯掺杂的SnO_2不仅提升了电子传输层的费米能级,提升了能级匹配度,加快了电子抽取;而且降低了电子传输层和钙钛矿层之间的界面缺陷,抑制了界面复合。通过将Cl原子引入到SnO_2电子传输层中,我们在1.58 eV的窄带隙钙钛矿材料中制备了开路电压为1.195V,效率高达20%的光伏器件。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
锑掺杂二氧化锡论文参考文献
[1].王鹏飞,邓宇,郝丽梅,邓橙,赵蕾.铋掺杂二氧化锡/炭膜电催化膜的制备及表征[J].材料导报.2019
[2].梁记伟,王海兵,叶飞鸿,陶晨,方国家.通过氯掺杂二氧化锡电子传输层获得高开路电压的平面异质结钙钛矿太阳能电池[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[3].张清妍.铬掺杂二氧化锡基乙炔传感器检测特性及机理研究[D].西南大学.2019
[4].孙多.金点催化二氧化锡纳米线及锑与铟掺杂二氧化锡纳米带性质的研究[D].吉林大学.2019
[5].郜梦婷.基于密度泛函理论（Sb,N）、（C,S）共掺杂二氧化锡的制备及光电性能研究[D].太原理工大学.2019
[6].叶海波,刘智勇,刘星月,廖广兰.17.8%基于低温锌掺杂二氧化锡电子传输层的高效碳基平板钙钛矿太阳能电池[C].2018第二届全国太阳能材料与太阳能电池学术研讨会摘要集.2018
[7].曹帅琦.钽掺杂二氧化锡薄膜及多层薄膜的制备和光电性能研究[D].郑州大学.2018
[8].张文豪,李彦良,高彦杰,赵晓伟,王维勋.纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)水凝胶的水热法制备以及ATO导电薄膜的透明和隔热性能[J].化学研究.2018
[9].张清妍,周渠,彭姝迪,吴高林,洪长翔.钴掺杂二氧化锡基氢气传感器气敏特性研究[J].传感技术学报.2017
[10].唐豆.掺杂二氧化锡纳米线的制备及气体响应特性研究[D].湖南大学.2017