导读:本文包含了磁控溅射方法论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:磁控溅射,金属材料,TiN涂层,实验教学
磁控溅射方法论文文献综述
肖魏魏,唐德文[1]（2019）在《金属表面磁控溅射TiN涂层制备的实验方法》一文中研究指出锆合金由于中子吸收截面小等优点被广泛应用于核电行业。为了进一步提高其耐腐蚀性能和耐高温氧化性能,可采用表面涂层工艺。本文采用磁控溅射工艺在锆合金表面制备TiN涂层,并测试涂层的表面形貌和结合强度,应用于金属表面涂层制备的认知性和延伸性实验教学,使学生在实践中掌握材料表面处理学术前沿知识,培养创新思维,提高分析、解决问题的能力。(本文来源于《信息记录材料》期刊2019年07期）
郭炜,杨洪广[2]（2019）在《磁控溅射钛膜GDOES分析方法》一文中研究指出利用射频辉光放电光谱仪可逐层进行成分分析的特点,对磁控溅射所镀钛膜进行研究,分析了钛膜中元素成分组成,并通过对钛膜中所含元素Ti,Mo,C,O,N的光谱电压信号与各元素原子百分含量的灵敏度系数标定,建立了钛膜的厚度及致密度的分析方法,使用该方法对叁种不同制备条件的钛膜的增重进行计算并与称重法进行对比,两者相对误差为1%,验证了方法的可靠性。氚靶作为氘氚中子管的重要组成部分,其性能是中子(本文来源于《电子世界》期刊2019年11期）
孙存志,洪荣墩,陈夏平,蔡加法,吴正云[3]（2018）在《对基于磁控溅射方法沉积的HfO_2薄膜的紫外光学特性及薄膜结构的研究（英文）》一文中研究指出本文基于磁控溅射方法,功率从160 W增加到240 W,在石英衬底上沉积氧化铪薄膜(HfO_2),并对沉积后的薄膜进行退火处理.利用X射线衍射谱、X射线光电子能谱、紫外-可见-近红外透射谱和椭圆偏振仪对Hf02薄膜进行研究,对比了退火前后Hf02薄膜的光学特性及薄膜结构的变化.实验结果显示,HfO_2薄膜对波长大于200 nm的入射光具有很低的吸收系数.优化退火温度和时间,可以将沉积后的Hf02薄膜从非晶态转化成多晶态.退火有助于结晶生成和内应力的增加,同时退火可以优化薄膜的化学计量比,提升薄膜的光学密度及折射率.对功率在220 W左右沉积的薄膜进行退火,获得的Hf02薄膜具有较高并且稳定的光学折射率(>2)和紫外光透射率,可在紫外波段减反膜系统中得到应用.(本文来源于《Chinese Journal of Chemical Physics》期刊2018年06期）
李红泽[4]（2018）在《高功率脉冲磁控溅射电源设计及其控制方法研究》一文中研究指出高功率脉冲磁控溅射(HPPMS)技术是一种脉冲峰值功率极高,靶材原子离化率高,膜基结合力强的磁控溅射镀膜技术。由于其脉冲峰值功率可提升至兆瓦级,脉冲峰值电流高达几千安,这对制备耐磨性能优异的膜层具有重要意义。高功率脉冲磁控溅射电源是实现HPPMS技术的关键部分,其性能的优良严重影响所镀膜层的质量。为了改进利用HPPMS技术所镀膜层的耐磨质量,本文设计了一种脉冲峰值功率高达8MW的高功率脉冲磁控溅射电源。该电源利用直流充电电源提供能量,由高压脉冲电容储存能量并通过IGBT矩阵开关向负载瞬时释放能量,从而使HPPMS电源达到兆瓦级脉冲峰值功率的输出。本文首先阐明了HPPMS电源的工作原理,重点研究了全桥逆变移相电路与电容充放电的工作过程;其次,详述了直流充电电源、两级改进型脉冲发生电路以及用于直流充电电源控制的变速积分PI与改进重复控制复合控制器的设计过程;设计了电磁干扰抑制电路,解决了IGBT驱动端的存在的电磁干扰问题;设计了DSP与单片机双CPU控制系统,实现了电源数字化控制,提高了电源运行的稳定性。最后,采用MATLAB仿真软件进行了各个模块的仿真分析,并在此基础上搭建了实验样机,进行模拟负载下的实验分析与研究。仿真与实验分析表明,本文设计的高功率脉冲磁控溅射电源具有结构紧凑,控制简单,运行稳定,输出脉冲峰值功率高等优点。采用变速积分PI与改进重复控制相结合的复合控制算法即提高了电源的动态性能又加强了电源的稳定性。新型高功率脉冲磁控溅射电源的开发,使高功率脉冲磁控溅射技术在真空超硬工具镀膜领域的工业化应用,迈出了坚实的一步。(本文来源于《长春工业大学》期刊2018-06-01）
程春玉,蔺增,王妨,李慕勤[5]（2016）在《射频磁控溅射方法制备掺氮TiO_x薄膜及其结构和亲水性研究（英文）》一文中研究指出采用磁控溅射方法制备掺氮TiO_x薄膜。将TiO_x作为靶材,通以N_2/Ar混合气体来精确控制N的掺杂量。为改善掺氮TiO_x薄膜的性能,首先将试样放于退火炉中退火,退火温度范围为300~600℃;再将试样放于黑暗处一段时间;最后用可见光(VIS)照射。采用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜的表面形貌,结果表明,颗粒尺寸随退火温度升高而增大。采用X射线光电子能谱(XPS)研究薄膜的化学成分,结果表明,薄膜中生成了N-Ti-O(β-N)和羟基,这可能是因为N掺杂入TiO_x晶格引起的;且羟基含量随退火温度升高而增加,使得基片有更好的亲水性。采用X射线衍射(XRD)研究薄膜的晶体结构,结果表明,退火后非晶薄膜转变为晶态。采用接触角仪测试薄膜的亲水性,结果表明,水接触角随退火温度升高而减小,这可能是由于颗粒尺寸和羟基含量的改变造成的。亲水性也受避光储存时间的影响,实验结果表明,随着储存时间的增加,水接触角增加。可见光照射实验表明,可见光照射后薄膜的亲水性增加。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2016年09期）
孙振华,沈丽如[6]（2016）在《提高平面磁控溅射靶材利用率方法分析》一文中研究指出近年来,随着磁控溅射技术的应用日趋广泛,磁控溅射已发展为工业镀膜生产中最主要的技术之一,但磁控溅射也暴露出靶材的利用率、沉积效率、薄膜均匀性、镀膜过程中的稳定性等急需解决问题。本文就国内外厂家解决磁控溅射靶材的利用率低的方法进行的相关的调研并对靶材的发展趋势进行展望。(本文来源于《真空》期刊2016年04期）
李彤,EVARIST,Mariam,王铁钢,陈佳楣,范其香[7]（2016）在《氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响》一文中研究指出利用磁控溅射方法改变氧气含量制备了一系列NiO∶Cu/ZnO异质pn结。实验结果表明,氧含量对NiO∶Cu/ZnO异质pn结电学影响很大。相对于纯氩溅射,引入一定氧气(O2/(Ar+O2)比例为30%)后,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的整流特性明显得到改善。与此同时,NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光透过率也从40%增大到80%。这可能是由于氧气的轻量引入致使NiO∶Cu/ZnO异质pn结的结晶得到改善,薄膜内缺陷减少所致。进一步提高氧气含量,直到O2/(Ar+O2)比例至80%后,异质结的整流特性有所削弱,这可能是由于过多氧气的引入造成薄膜缺陷再次增多,进而影响到异质结的整流特性。这一结论得到了EDS、XRD、AFM和UV结果的支持。(本文来源于《发光学报》期刊2016年04期）
尹彬,王月飞,魏亚东,姜永远,王先杰[8]（2015）在《磁控溅射方法制备(B,N)共掺ZnO薄膜及其光电特性研究》一文中研究指出ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙半导体,其室温下的带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。ZnO与GaN相近的带隙,并且其激子束缚能要远远高于GaN。因此,它被认为是继GaN之后制备紫外发光二极管(LEDs)和紫外激光器(LDs)等光电器件的重要材料。ZnO很容易实现电子掺杂形成n型,然而空穴掺杂却遇到非常大的困难,不容易实现p型。由于缺乏可重复和稳定的p型ZnO,使得ZnO的器件应用遇到瓶颈。在这篇文章中,我们通过B-N共掺的方法,尝试进行ZnO的p型掺杂。对于通过共参制备p-型ZnO,在理论上和实验上已经有很多报道。这种方法的主要有点是可以减小受主的形成能,因而可以增加受主的掺杂浓度,并且还可以增加受主的稳定性。目前大部分的报道是关于Ga-N和Be-N共掺,制备p-ZnO,而对于B-N共掺,很少有报道。与Ga-N(Be-N)键相比,B-N键更稳定,因而可以预计通过B-N共掺,受主将更稳定。利用磁控溅射技术,我们首先采用金属锌作为靶材,以高纯的Ar(99.9999%)和NH_3(99.99999%)作为溅射和反应气体,制备Zn_3N_2薄膜。通过优化条件,可以得到质量较好的Zn_3N_2薄膜。然后通过热氧化的方法,制备获得了p-型氧化锌。霍尔测量表明当退火温度为500℃时,可以得到弱p型ZnO。进一步升高退火温度,又变回n-型,说明受主在氧化锌中不稳定。为了增加受主的稳定性,我们引入B元素,与ZnO中的N形成较强的B-N键,从而达到固定N元素的目的。以BN、ZnO作为靶材,利用共溅射的方式制备ZnO:(B,N)薄膜。我们将报道衬底温度,溅射功率和气体分压对薄膜特性的影响。最终希望能够得到稳定性高的P型ZnO薄膜。(本文来源于《第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集》期刊2015-08-11）
张军,叶敏,张新荣,张道配[9]（2015）在《基于PEM和模糊PI的反应磁控溅射非线性控制方法》一文中研究指出反应溅射存在不稳定性,需要对反应溅射过程进行非线性控制。分析了迟滞效应的不稳定特性,提出了基于PEM的非线性动态平衡控制法。以镀CrN膜为研究对象,靶原子光谱相对强度为反馈参数,用ATmega16设计了反应气体的PEM控制系统,分析了压电阀的控制特性。以PI和模糊PI为非线性控制方法,按照镀膜工艺要求在四靶磁控溅射镀膜机上进行控制试验。结果表明,压电阀非线性特性严重,需作为系统反馈参数;模糊PI方法较PI方法优,能实现反应溅射过程的动态实时稳定,控制误差为±2.5%。基片的镀膜厚度和耐磨性满足使用要求,验证了模糊PI法在反应溅射控制工程应用的正确性,为发展高性能的硬质薄膜材料奠定了基础。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2015年06期）
危韦[10]（2015）在《Mn-Co-Ni-O系热敏薄膜的磁控溅射方法制备及其光电性能研究》一文中研究指出以Mn,Co,Ni为主的尖晶石过渡族金属氧化物(AB2O4)是一种具有负温度系数的热敏材料,它具有较高的温度电阻(TCR),耐老化性能好,工作温度范围和光谱的反应范围广,能够长期稳定工作等优点,被广泛应用于温度测量计,辐射热测量计和非致冷型红外探测仪等精确测量仪器上。在Mn-Co-Ni-O系材料的制备方面,主要有物理方法和化学方法两种方法,其中高温固相法等物理方法已经具备了较为成熟的工艺体系。本文以高温固相合成法作为基础,以射频磁控溅射为主要手段,对Mn-Co-Ni-O系薄膜的制备工艺进行了摸索,并对所制备的Mn-Co-Ni-O系薄膜的物相结构,电学,光学性能以及它们之间的联系进行了研究。本文的研究工作主要从以下几个方面展开:(1)磁控溅射制备Mn-Co-Ni-O系薄膜使用磁控溅射方法在Si O2/Si衬底上生长Mn-Co-Ni-O系薄膜,通过对一系列工艺参数的摸索和比较,找出最佳的生长条件,并希望改变生长条件,对所制备的薄膜厚度进行控制。希望能对Mn-Co-Ni-O系陶瓷材料的微型化提供参考。(2)Mn-Co-Ni-O系薄膜的物相和形貌表征采用磁控溅射方法制备了一系列不同厚度的Mn-Co-Ni-O系薄膜,通过EDS,XRD,XPS等手段对不同厚度薄膜进行物相的定量和定性分析,发现不同厚度薄膜的Mn,Co,Ni元素比例没有太大区别,但样品中Mn3+和Mn4+的比例却发生了规律性的变化。采用FESEM,AFM对不同厚度薄膜进行形貌表征。(3)Mn-Co-Ni-O系薄膜的电学性能分析对厚度组Mn-Co-Ni-O系薄膜电学性能进行了研究。根据以往的研究表明,在薄膜材料中,随着薄厚的增加,薄膜材料的室温电阻(R0)和特征温度(T0,有些研究中称为B值)都会减小。但是按照这个趋势,块体材料的特征温度(T0)应该小于薄膜材料。实际上同种工艺参数制备块体材料的特征温度(B值)却相差不大,通过对一系列200nm-900nm左右薄膜研究,发现存在着这样一个线性关系:201/()cTμd-d或20ln()()cTμd-d,其中d为薄膜的厚度,dc为薄膜材料特征温度转折点(或B值转折点)的膜厚。并且,当材料由二维材料变为叁维的块体材料时依然适用。为了验证该曲线拟合的正确性,这里结合以往其他研究者的一些数据,发现大致符合这一规律。并结合霍尔效应测试对薄膜材料的载流子浓度,半导体类型分析,同时结合小极化子跃迁模型对这一现象进行解释。(4)Mn-Co-Ni-O系薄膜的光学性能分析采用红外椭圆偏振光谱仪器对不同厚度的Mn-Co-Ni-O系薄膜进行测量,得到一系列不同厚度样品的红外椭偏谱。通过仪器拟合得到近红外和可见光区域范围内薄膜光学系数的变化,并对不同厚度薄膜进行对比分析。(本文来源于《新疆大学》期刊2015-05-23）
磁控溅射方法论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用射频辉光放电光谱仪可逐层进行成分分析的特点,对磁控溅射所镀钛膜进行研究,分析了钛膜中元素成分组成,并通过对钛膜中所含元素Ti,Mo,C,O,N的光谱电压信号与各元素原子百分含量的灵敏度系数标定,建立了钛膜的厚度及致密度的分析方法,使用该方法对叁种不同制备条件的钛膜的增重进行计算并与称重法进行对比,两者相对误差为1%,验证了方法的可靠性。氚靶作为氘氚中子管的重要组成部分,其性能是中子
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磁控溅射方法论文参考文献
[1].肖魏魏,唐德文.金属表面磁控溅射TiN涂层制备的实验方法[J].信息记录材料.2019
[2].郭炜,杨洪广.磁控溅射钛膜GDOES分析方法[J].电子世界.2019
[3].孙存志,洪荣墩,陈夏平,蔡加法,吴正云.对基于磁控溅射方法沉积的HfO_2薄膜的紫外光学特性及薄膜结构的研究（英文）[J].ChineseJournalofChemicalPhysics.2018
[4].李红泽.高功率脉冲磁控溅射电源设计及其控制方法研究[D].长春工业大学.2018
[5].程春玉,蔺增,王妨,李慕勤.射频磁控溅射方法制备掺氮TiO_x薄膜及其结构和亲水性研究（英文）[J].稀有金属材料与工程.2016
[6].孙振华,沈丽如.提高平面磁控溅射靶材利用率方法分析[J].真空.2016
[7].李彤,EVARIST,Mariam,王铁钢,陈佳楣,范其香.氧气含量对射频磁控溅射方法制备的NiO∶Cu/ZnO异质pn结的光电性能的影响[J].发光学报.2016
[8].尹彬,王月飞,魏亚东,姜永远,王先杰.磁控溅射方法制备(B,N)共掺ZnO薄膜及其光电特性研究[C].第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集.2015
[9].张军,叶敏,张新荣,张道配.基于PEM和模糊PI的反应磁控溅射非线性控制方法[J].真空科学与技术学报.2015
[10].危韦.Mn-Co-Ni-O系热敏薄膜的磁控溅射方法制备及其光电性能研究[D].新疆大学.2015