本文主要研究内容
作者陈良,刘涛,雷郎成,胡永贵,王育新（2019）在《一种基于CMOS工艺的抗辐照A/D转换器》一文中研究指出：空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素。A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设备的整体性能。基于标准0.35μm CMOS工艺,设计了一种流水线型14位A/D转换器,从总体架构、关键核心单元、版图等方面进行抗辐照设计。辐照测试结果表明,该A/D转换器的抗总剂量能力达到1.0 kGy(Si),抗单粒子闭锁阈值达到37 MeV·cm~2/mg,满足宇航电子系统的应用要求。
Abstract
kong jian fu she dui dian zi ji tong de sun shang shi hang tian she bei fa sheng gu zhang de chong yao yin su 。A/Dzhuai huan qi shi hang tian dian zi ji tong de guan jian qi jian zhi yi ,ji kang fu she xing neng jiang zhi jie ying xiang hang tian she bei de zheng ti xing neng 。ji yu biao zhun 0.35μm CMOSgong yi ,she ji le yi chong liu shui xian xing 14wei A/Dzhuai huan qi ,cong zong ti jia gou 、guan jian he xin chan yuan 、ban tu deng fang mian jin hang kang fu zhao she ji 。fu zhao ce shi jie guo biao ming ,gai A/Dzhuai huan qi de kang zong ji liang neng li da dao 1.0 kGy(Si),kang chan li zi bi suo yu zhi da dao 37 MeV·cm~2/mg,man zu yu hang dian zi ji tong de ying yong yao qiu 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自微电子学的陈良,刘涛,雷郎成,胡永贵,王育新，发表于刊物微电子学2019年04期论文，是一篇关于辐射加固论文,总剂量辐射论文,单粒子锁定论文,转换器论文,微电子学2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自微电子学2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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