导读:本文包含了二氧化锡薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:介孔材料,溶剂挥发诱导自组装,SnO_2薄膜,Pd掺杂
二氧化锡薄膜论文文献综述
章石赟,殷晨波,杨柳,韩忠俊[1]（2019）在《介孔二氧化锡薄膜的制备及其氢敏性能研究》一文中研究指出以叁嵌段共聚物F127为模板剂,加入浓盐酸抑制水解,通过溶剂挥发诱导自组装,旋涂后在高湿度下干燥制备介孔SnO_2薄膜,并通过掺Pd进一步提高其氢敏性能。利用X射线衍射(XRD)、比表面积与孔径分析和透射电镜(TEM)研究材料的结构与形貌,通过恒流配气法,测试其氢敏性能。结果表明:介孔SnO_2粒径约为6.38 nm,比表面积为84.62 m~2/g,孔容为0.174 cm~3/g,平均孔径为5.6 nm。在200℃,对体积分数2×10~(-3)的H_2灵敏度为76,掺杂Pd后提高至191.6,具有优秀的氢敏性能。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2019年09期）
曹帅琦[2]（2018）在《钽掺杂二氧化锡薄膜及多层薄膜的制备和光电性能研究》一文中研究指出近年来,随着智能手机、平板电脑、有机发光二极管、Low-E玻璃、太阳能电池等行业的飞速发展,透明导电氧化物(TCO)的开发和应用变得越来越受科学家的青睐。作为光电器件的基础,透明导电氧化物(TCO)的成本和性能对于整个智能终端行业的发展具有重大的意义。现有的薄膜材料主要是以氧化铟锡(ITO)为主,但是ITO存在铟资源缺乏、价格昂贵、储量不足、不适合柔性成膜等诸多缺点。基于以上原因,各国都在通过一系列基础研究来努力开发出一种无铟的透明导电薄膜材料。本课题使用英国PQL公司生产的远源等离子体溅射镀膜系统,在普通玻璃基底上制备出了钽掺杂二氧化锡(Ta-SnO_2,TTO)薄膜和二氧化锡/银/二氧化锡(SnO_2/Ag/SnO_2)多层膜,使用SEM和TEM分析了薄膜的表面形貌和掺杂元素比例,使用XPS分析了薄膜表面的元素价态和缺陷状态,使用UV-3600来测试了薄膜在可见光范围内的透过率,使用Lake shore 8400和半导体特性测试仪测试了薄膜的电学性能。所得到的主要结论如下:1、钽掺杂二氧化锡薄膜(Ta-SnO_2,TTO)(1)氧气流量会显着影响薄膜的晶体结构。此外,退火温度会影响薄膜的晶体结构,在退火温度在250℃及以下时,薄膜呈现出非晶和纳米晶的状态,在退火温度在450℃时,薄膜会呈现出金红石的二氧化锡晶体相。(2)在氧气流量为4 sccm以上,薄膜的透光率均超过了70%,同时提高退火温度也会增加薄膜在可见光范围内的透光率。薄膜分别在250℃和450℃条件下进行30 min退火后,平均透过率可显着提高到90%和93%。(3)在5 sccm时钽掺杂二氧化锡薄膜的电阻率低至9.68×10~(-3)Ω?cm。适当温度的退火也会提高薄膜的电学性能,在270℃退火30 min后,薄膜的电学性能达到最优值,电阻率低至4.23×10~(-3)Ω?cm。在温度超过270℃后,TTO薄膜的电学性能随着退火温度的升高而逐渐降低。2、二氧化锡/银/二氧化锡(SnO_2/Ag/SnO_2)多层膜(1)不同银层厚度的SnO_2/Ag/SnO_2薄膜的微观结构不同,在银层厚度在6nm以下时,中间银层的分布主要是岛状隔离分布,在银层厚度超过6 nm以后,薄膜的中间银层的分布从岛状隔离分布转化成了连续的平面状分布。(2)在中间银层厚度在2 nm时,薄膜在可见光范围内的透光性最强,平均透光率可以达到90%,而在中间银层厚度在6 nm和12 nm时,在可见光范围内的平均透光率分别降至86%和60%。(3)随着银层厚度的增加,薄膜的电学性能逐渐提高。在薄膜中间银层厚度为2nm时,薄膜霍尔迁移率为6.58 cm~2V~(-1)s~(-1),而在银层厚度为6 nm时,薄膜的电阻率降低至8.41×10~(-5)Ω?cm,霍尔迁移率为12.3 cm~2V~(-1)s~(-1),在银层厚度为12nm时,薄膜的电阻率进一步降低至4.52×10~(-5)Ω?cm,相应的霍尔迁移率降低至17.7 cm~2V~(-1)s~(-1)。(4)薄膜的品质因数是评价薄膜光学性能和电学性能的综合指标,在中间银层6 nm时,薄膜品质因数可以达到8.7×10~(-2)Ω~(-1)。在银层厚度小于4 nm时,薄膜的导电性制约了其品质因数的提高,在银层厚度大于4 nm时,薄膜的透光性制约了其品质因数的提高。(本文来源于《郑州大学》期刊2018-04-01）
王立坤,郁建元,王丽,牛孝友,付晨[3]（2018）在《掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响》一文中研究指出二氧化锡(SnO_2)是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料,掺杂可使其光电性能得到显着改善,拓展其应用领域。分析了SnO_2薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的SnO_2薄膜的研究。掺杂引入的缺陷能级增加了载流子浓度,提高了薄膜的导电性。杂质离子散射和晶界散射是影响薄膜载流子迁移率的主要散射机制。光电性能严重依赖于掺杂元素的种类及掺杂量,多元共掺杂是极具发展潜力的方法。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2018年04期）
马梦姝[4]（2017）在《基于纳米硅孔柱阵列的二氧化锡薄膜湿度传感器设计》一文中研究指出本文使用传统工艺将两种纳米材料结合在一起,制备出一种创新性复合材料。纳米硅孔柱阵列(Silicon Nanoporous Pillar Array,Si-NPA)具有特殊的微米/纳米双重结构。其表面上形成的大量排序规则的孔柱,易于水分子的吸附。孔柱间间隙使传输水蒸气更通畅,可加快响应时间。其独特的结构和物理特性正是制备硅基半导体纳米传感器衬底材料的理想选择。SnO_2是常见的湿敏材料,具有良好的吸附性、稳定性。SnO_2是常见的湿敏材料。因此将二氧化锡与纳米硅孔柱阵列相结合可达到提升湿敏特性的目的。采取溶胶-凝胶法和阳极氧化法制备的SnO_2/Si-NPA湿敏元件都表现出良好的湿敏特性,相对湿度增长,则电容值也相应增长。溶胶-凝胶法元件特点是灵敏度高,但湿滞较大。1kHz下,灵敏度高达2349.3%。湿滞最大值为62.3%。溶胶-凝胶法元件在68%RH-100%RH范围内电容值变化幅度大,适合用于高湿范围内检测湿度。响应时间约为252s,恢复时间约为148s。阳极氧化法元件特点是响应速度快,湿滞较小。响应时间约为108s,恢复时间约为45s。湿滞最大值为12.5%。灵敏度达到一般湿度传感器标准,1kHz下,达到491.9%。阳极氧化法元件在23%RH-75%RH范围内电容值变化幅度大,适合用于作中湿范围内检测湿度。归纳总结为阳极氧化法制备的SnO_2/Si-NPA湿敏特性比溶胶-凝胶法制备的SnO_2/Si-NPA优越。(本文来源于《黑龙江大学》期刊2017-04-20）
贾良华,王金斌,钟向丽,吕旦,宋宏甲[5]（2015）在《高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究》一文中研究指出采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备了以n型Si为栅极、二氧化锡(SnO2)薄膜为沟道层、(Bi,Nd)4Ti3O12(BNT)薄膜为绝缘层的薄膜晶体管。晶体管呈现出n沟道增强型性能,其开态电流Ion=25μA,场效应迁移率μsat=0.3cm2·V-1·s-1。BNT铁电薄膜的自发极化以及载流子与极化的耦合作用是晶体管具有较大开态电流和较高场效应迁移率的主要原因。(本文来源于《半导体光电》期刊2015年01期）
杨台发,傅群寳,杨雅喨[6]（2014）在《氧化锌、二氧化锡薄膜之一氧化碳感测器特性分析》一文中研究指出(本文来源于《第十届海峡两岸薄膜科技研讨会报告集》期刊2014-10-30）
郝沛沛,陈长龙,魏玉玲,穆晓慧[7]（2014）在《二氧化锡薄膜:制备及在室温下气敏性质(英文)》一文中研究指出利用溶胶-凝胶法首先在玻璃基片上制备了氧化锡晶种膜,之后采用溶剂热法在其上生长了致密的氧化锡薄膜。利用扫描电子显微镜和X射线衍射技术对氧化锡薄膜的形貌和晶体结构进行了表征,结果表明构成薄膜的氧化锡晶粒具有四方锡石结构,尺寸在7~10 nm之间。表面活性剂在溶剂热反应过程中对薄膜生长的研究表明,十二烷基苯磺酸钠可以显着提高薄膜的质量。对所制备的氧化锡薄膜进了气敏性质研究,结果表明,在温和的测试条件下,如室温、常压、干燥的空气背景等,该氧化锡薄膜对二氧化氮气体具有良好的探测能力,检测限为0.5μL·L-1。(本文来源于《无机化学学报》期刊2014年02期）
李明超,张毅[8]（2013）在《溶胶-凝胶法在玻璃纤维表面制备锑掺杂二氧化锡薄膜的工艺》一文中研究指出在热处理条件和掺锑的质量比例不同的情况下,对玻璃纤维的表面进行锑掺杂二氧化锡(ATO)镀膜处理,进而测得纤维比电阻值。采用田口实验法对实验数据进行优化分析,并探讨了初始SnCl4浓度、热处理温度、处理时间、掺杂比例对实验结果的影响程度。使用扫描式电子显微镜(SEM)对比观察了玻璃纤维表面结构在处理前后的差异。实验表明:ATO镀膜处理后的玻璃纤维,导电性能明显增强;最优工艺条件是热处理温度450℃,掺杂比例0.9%,热处理时间1.5 h,初始SnCl4浓度0.8 mol/L,且因子影响程度依次递减。(本文来源于《纺织学报》期刊2013年11期）
计雨辰[9]（2013）在《二氧化锡薄膜的结构和光电性质研究》一文中研究指出SnO2薄膜具有透明导电的特性，作为透明电极材料被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、除冰除雾玻璃等方面。另一方面，SnO2薄膜由于具有气敏、压敏及热敏方面的性能，在传感器方面也有着很广泛的应用。作为直接带隙宽禁带半导体材料，SnO2具有较高的激子结合能(130meV)，被认为是制备紫外光电器件的理想候选材料。本文通过射频磁控溅射法，制备了未掺杂以及掺杂(掺杂元素为Mg或Al)的SnO2多晶薄膜。通过改变溅射时的基片温度、氧分压等参数，得到了不同系列的SnO2薄膜。我们对不同条件下制备的薄膜的晶体结构、表面形貌以及光电性质进行了仔细的研究，分析了溅射条件对薄膜结构和光电性质的影响。文中对在较大温度范围内的SnO2薄膜电子输运性质进行了较为全面系统的研究，从高温(~380K)到低温(~2K)依次观察到了热激活、最近邻跃迁、Mott变程跃迁以及ES变程跃迁导电过程。热激活温区的电子激活能约为30meV或100meV，与SnO2中氧空位形成的施主能级位置相符，表明氧空位是SnO2本征n型导电性中载流子的主要来源。样品在80K以下转变为变程跃迁导电。样品中的无序度，Mott到ES变程跃迁的转变温度，以及费米能级处的态密度(不考虑电子相互作用)都随制备时的氧分压的增加而上升。在样品结构方面的研究表明，通过控制溅射气体中氧气的含量，可以有效改变SnO2薄膜的择优取向、晶粒大小及表面形貌。在未掺杂的SnO2薄膜中，随氧分压的上升，薄膜依次出现(001)、(100)、(101)和(211)择优生长方向，(001)和(100)取向的晶粒为四方形底面的金字塔形，(101)取向的晶粒为碎石子形，(211)取向的晶粒为叁角形底面的金字塔形。随氧分压上升，晶粒尺寸逐渐变小，薄膜表面的粗糙度下降。掺杂后的SnO2薄膜随氧分压的增加择优取向发生从(101)方向到(301)方向的转变，当氧分压高于10%薄膜均沿(301)方向取向生长。适当提高氧分压、基片温度和溅射功率的均有助于薄膜的结晶和取向生长。在光学方面，随氧分压上升，SnO2薄膜在可见光区的透明度上升，光学带隙增加。掺杂Mg或Al元素后，SnO2薄膜在可见光区的平均透射率得到了提高，光学带隙也明显增加。(本文来源于《天津大学》期刊2013-05-01）
陈琛,王利军,陈志文,焦正,吴明红[10]（2013）在《正交相二氧化锡薄膜的制备与性能》一文中研究指出二氧化锡(SnO_2)的一种晶体结构——正交相是高温高压相,不易合成,因此,其性质探测和技术应用研究一直停滞不前.利用脉冲激光沉积(pulsed laser deposition,PLD)技术,在相对较低压力和较低温度下制备较纯的正交相SnO_2薄膜.实验结果表明,这种正交相SnO_2薄膜的透明度优于常规四方相SnO_2,其半导体带隙大于四方相SnO_2.(本文来源于《上海大学学报(自然科学版)》期刊2013年01期）
二氧化锡薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,随着智能手机、平板电脑、有机发光二极管、Low-E玻璃、太阳能电池等行业的飞速发展,透明导电氧化物(TCO)的开发和应用变得越来越受科学家的青睐。作为光电器件的基础,透明导电氧化物(TCO)的成本和性能对于整个智能终端行业的发展具有重大的意义。现有的薄膜材料主要是以氧化铟锡(ITO)为主,但是ITO存在铟资源缺乏、价格昂贵、储量不足、不适合柔性成膜等诸多缺点。基于以上原因,各国都在通过一系列基础研究来努力开发出一种无铟的透明导电薄膜材料。本课题使用英国PQL公司生产的远源等离子体溅射镀膜系统,在普通玻璃基底上制备出了钽掺杂二氧化锡(Ta-SnO_2,TTO)薄膜和二氧化锡/银/二氧化锡(SnO_2/Ag/SnO_2)多层膜,使用SEM和TEM分析了薄膜的表面形貌和掺杂元素比例,使用XPS分析了薄膜表面的元素价态和缺陷状态,使用UV-3600来测试了薄膜在可见光范围内的透过率,使用Lake shore 8400和半导体特性测试仪测试了薄膜的电学性能。所得到的主要结论如下:1、钽掺杂二氧化锡薄膜(Ta-SnO_2,TTO)(1)氧气流量会显着影响薄膜的晶体结构。此外,退火温度会影响薄膜的晶体结构,在退火温度在250℃及以下时,薄膜呈现出非晶和纳米晶的状态,在退火温度在450℃时,薄膜会呈现出金红石的二氧化锡晶体相。(2)在氧气流量为4 sccm以上,薄膜的透光率均超过了70%,同时提高退火温度也会增加薄膜在可见光范围内的透光率。薄膜分别在250℃和450℃条件下进行30 min退火后,平均透过率可显着提高到90%和93%。(3)在5 sccm时钽掺杂二氧化锡薄膜的电阻率低至9.68×10~(-3)Ω?cm。适当温度的退火也会提高薄膜的电学性能,在270℃退火30 min后,薄膜的电学性能达到最优值,电阻率低至4.23×10~(-3)Ω?cm。在温度超过270℃后,TTO薄膜的电学性能随着退火温度的升高而逐渐降低。2、二氧化锡/银/二氧化锡(SnO_2/Ag/SnO_2)多层膜(1)不同银层厚度的SnO_2/Ag/SnO_2薄膜的微观结构不同,在银层厚度在6nm以下时,中间银层的分布主要是岛状隔离分布,在银层厚度超过6 nm以后,薄膜的中间银层的分布从岛状隔离分布转化成了连续的平面状分布。(2)在中间银层厚度在2 nm时,薄膜在可见光范围内的透光性最强,平均透光率可以达到90%,而在中间银层厚度在6 nm和12 nm时,在可见光范围内的平均透光率分别降至86%和60%。(3)随着银层厚度的增加,薄膜的电学性能逐渐提高。在薄膜中间银层厚度为2nm时,薄膜霍尔迁移率为6.58 cm~2V~(-1)s~(-1),而在银层厚度为6 nm时,薄膜的电阻率降低至8.41×10~(-5)Ω?cm,霍尔迁移率为12.3 cm~2V~(-1)s~(-1),在银层厚度为12nm时,薄膜的电阻率进一步降低至4.52×10~(-5)Ω?cm,相应的霍尔迁移率降低至17.7 cm~2V~(-1)s~(-1)。(4)薄膜的品质因数是评价薄膜光学性能和电学性能的综合指标,在中间银层6 nm时,薄膜品质因数可以达到8.7×10~(-2)Ω~(-1)。在银层厚度小于4 nm时,薄膜的导电性制约了其品质因数的提高,在银层厚度大于4 nm时,薄膜的透光性制约了其品质因数的提高。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
二氧化锡薄膜论文参考文献
[1].章石赟,殷晨波,杨柳,韩忠俊.介孔二氧化锡薄膜的制备及其氢敏性能研究[J].仪表技术与传感器.2019
[2].曹帅琦.钽掺杂二氧化锡薄膜及多层薄膜的制备和光电性能研究[D].郑州大学.2018
[3].王立坤,郁建元,王丽,牛孝友,付晨.掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响[J].硅酸盐学报.2018
[4].马梦姝.基于纳米硅孔柱阵列的二氧化锡薄膜湿度传感器设计[D].黑龙江大学.2017
[5].贾良华,王金斌,钟向丽,吕旦,宋宏甲.高场效应迁移率铁电栅二氧化锡薄膜晶体管的研究[J].半导体光电.2015
[6].杨台发,傅群寳,杨雅喨.氧化锌、二氧化锡薄膜之一氧化碳感测器特性分析[C].第十届海峡两岸薄膜科技研讨会报告集.2014
[7].郝沛沛,陈长龙,魏玉玲,穆晓慧.二氧化锡薄膜:制备及在室温下气敏性质(英文)[J].无机化学学报.2014
[8].李明超,张毅.溶胶-凝胶法在玻璃纤维表面制备锑掺杂二氧化锡薄膜的工艺[J].纺织学报.2013
[9].计雨辰.二氧化锡薄膜的结构和光电性质研究[D].天津大学.2013
[10].陈琛,王利军,陈志文,焦正,吴明红.正交相二氧化锡薄膜的制备与性能[J].上海大学学报(自然科学版).2013