导读:本文包含了实空间转移晶体管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:实空间转移晶体管,湿法腐蚀,磁控溅射,欧姆接触
实空间转移晶体管论文文献综述
于欣,牛萍娟,郭维廉,杨广华,高铁成[1]（2008）在《双沟道实空间转移晶体管(RSTT)的研制》一文中研究指出报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的"Λ"型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面,磁控溅射制作电极,快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤。器件的主要负阻参数PVCR可达10,对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2008年03期）
刘媛媛[2]（2008）在《实空间转移晶体管的研究》一文中研究指出提高集成度,发展新型器件是当前集成电路发展的一个重要方向。实空间转移晶体管RSTT具有高频、高速、可控负阻等特性,且可与HEMT或其它化合物高速器件集成在一起,构成多种功能的高速集成电路,这将会使半导体负阻器件在新材料、新结构方面的应用进一步延伸。本课题正是在此基础上展开研究的。本文首先介绍了RSTT的课题背景、研究进展,之后给出了δ掺杂双沟道GaAs/InGaAs共振隧穿RSTT的材料结构设计、器件的工艺制作以及器件的I-V特性测试。最后,通过使用ATLAS软件对器件进行模拟。RSTT是一种N型负阻器件,它利用热电子在实空间中的转移来实现迁移率的降低或分流。当热电子的能量超过势垒高度时,则可克服势垒注人到衬底第二导电层中去,如在栅极加适当的电压则可进一步促进这种电子的转移运动,从而出现负阻特性。其两沟道分别由InGaAs形成的U形势阱和δ掺杂形成三角势阱构成。电子转移机制有两种:低栅压时,热电子从U形势阱转移到V形势阱,栅极电压增大时则越过栅极势垒到达栅极。本文结合工艺测量结果,对两种电子转移机制进行模拟,对GaAs基RSTT负阻特性、跨导特性进行了分析,并分析器件的材料参数和结构参数对负阻特性的影响,对关键参数如隔离层(spacer层)厚度进行了优化,并探索其在今后应用的发展方向。(本文来源于《天津大学》期刊2008-05-01）
严婷[3]（2008）在《实空间转移晶体管的工艺制造与电路模拟》一文中研究指出实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件,具有高频、高速、可控负阻等显着优点,可大大简化集成电路的复杂程度。本论文通过在GaAs衬底上,利用分子束外延(MBE)技术与半导体器件工艺技术,成功地研制出δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管(Real Space Transfer Transistor—RSTT),测试结果显示出该器件具有负阻器件典型的“Λ”型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。同时本论文详细地阐述了δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管的设计思想、器件的材料结构设计,重点讨论了δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管的工艺制作,以及器件的材料结构参数和工艺制作对器件的负阻性能的影响。同时,还详细阐述双沟道实空间转移晶体管的电路模拟寄程序和设计思路以及存在的问题等,并展望了今后该类器件的研究方向。本文的主要内容有:在器件材料结构方面,δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管是在考察了早期的实空间转移(RST)器件,并且参考了速度调制晶体管(VMT)的双沟道工作原理的基础之上设计并制备出来的。在具体的器件材料结构上,设计了帽层(Cap层)厚度d2=50nm,d2=30nm不同的两种结构。在材料外延制备上,先后制作了δ掺杂的时间分别为20Sec和33Sec的两批材料。在器件工艺制作方面,对RSTT的半导体器件工艺进行详细的阐述。其主要工艺包括器件隔离,电极金属的淀积,源漏电极合金等方面。在制作过程中对器件隔离与电极合金进行了严格的监测,达到了精确控制的目的。在电路模拟方面,对单管的δ掺杂型双沟道实空间转移晶体管进行了合理的电路模型设计和改进,与实际测量结果相对照得出了较好的对比结果。(本文来源于《天津大学》期刊2008-05-01）
郭维廉,张世林,梁惠来,齐海涛,毛陆虹[4]（2008）在《双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量》一文中研究指出采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年01期）
齐海涛,张之圣,郭维廉[5]（2004）在《实空间转移晶体管研究进展》一文中研究指出实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件 ,具有高频、高速、可控负阻等显着优点 ,可大大简化集成电路的复杂程度。文中阐述了实空间转移晶体管的工作原理 ,对二十年间该类器件在材料、结构、性能等方面的研究进展作了总结 ,对其在单器件逻辑单元、光电逻辑等领域的应用进行了重点介绍 ,并展望了今后该类器件的研究方向。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2004年04期）
实空间转移晶体管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
提高集成度,发展新型器件是当前集成电路发展的一个重要方向。实空间转移晶体管RSTT具有高频、高速、可控负阻等特性,且可与HEMT或其它化合物高速器件集成在一起,构成多种功能的高速集成电路,这将会使半导体负阻器件在新材料、新结构方面的应用进一步延伸。本课题正是在此基础上展开研究的。本文首先介绍了RSTT的课题背景、研究进展,之后给出了δ掺杂双沟道GaAs/InGaAs共振隧穿RSTT的材料结构设计、器件的工艺制作以及器件的I-V特性测试。最后,通过使用ATLAS软件对器件进行模拟。RSTT是一种N型负阻器件,它利用热电子在实空间中的转移来实现迁移率的降低或分流。当热电子的能量超过势垒高度时,则可克服势垒注人到衬底第二导电层中去,如在栅极加适当的电压则可进一步促进这种电子的转移运动,从而出现负阻特性。其两沟道分别由InGaAs形成的U形势阱和δ掺杂形成三角势阱构成。电子转移机制有两种:低栅压时,热电子从U形势阱转移到V形势阱,栅极电压增大时则越过栅极势垒到达栅极。本文结合工艺测量结果,对两种电子转移机制进行模拟,对GaAs基RSTT负阻特性、跨导特性进行了分析,并分析器件的材料参数和结构参数对负阻特性的影响,对关键参数如隔离层(spacer层)厚度进行了优化,并探索其在今后应用的发展方向。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
实空间转移晶体管论文参考文献
[1].于欣,牛萍娟,郭维廉,杨广华,高铁成.双沟道实空间转移晶体管(RSTT)的研制[J].固体电子学研究与进展.2008
[2].刘媛媛.实空间转移晶体管的研究[D].天津大学.2008
[3].严婷.实空间转移晶体管的工艺制造与电路模拟[D].天津大学.2008
[4].郭维廉,张世林,梁惠来,齐海涛,毛陆虹.双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量[J].半导体学报.2008
[5].齐海涛,张之圣,郭维廉.实空间转移晶体管研究进展[J].固体电子学研究与进展.2004