本文主要研究内容
作者安欢,伍建春,张仲,王欢,孙华,展长勇,邹宇（2019）在《电化学刻蚀参数对高阻厚壁宏孔硅阵列表面形貌的影响》一文中研究指出：采用光电化学刻蚀方法,在电阻率为4～5 kΩ·cm的n-型[100]单晶硅片上制备了厚壁有序宏孔硅阵列。通过对比有限元法模拟诱导坑周围的电场分布,研究了刻蚀参数(电解液、光照、电压)对阵列表面形貌的影响。在刻蚀成孔的过程中,诱导坑对孔的限制受电场分布和实验条件的共同影响,出现刻蚀偏离的现象。模拟结果显示,诱导坑上的电场强度沿着单晶硅的[100]和[110]晶向的分布。这种分布的结果是,随着光照强度的提高和刻蚀溶液表面自由能的降低刻蚀由原光刻图形的(110)面向(100)面偏离。提高刻蚀电压可抑制刻蚀偏离,有利于诱导坑快速刻蚀成孔,从而形成规整的厚壁宏孔硅阵列。
Abstract
cai yong guang dian hua xue ke shi fang fa ,zai dian zu lv wei 4～5 kΩ·cmde n-xing [100]chan jing gui pian shang zhi bei le hou bi you xu hong kong gui zhen lie 。tong guo dui bi you xian yuan fa mo ni you dao keng zhou wei de dian chang fen bu ,yan jiu le ke shi can shu (dian jie ye 、guang zhao 、dian ya )dui zhen lie biao mian xing mao de ying xiang 。zai ke shi cheng kong de guo cheng zhong ,you dao keng dui kong de xian zhi shou dian chang fen bu he shi yan tiao jian de gong tong ying xiang ,chu xian ke shi pian li de xian xiang 。mo ni jie guo xian shi ,you dao keng shang de dian chang jiang du yan zhao chan jing gui de [100]he [110]jing xiang de fen bu 。zhe chong fen bu de jie guo shi ,sui zhao guang zhao jiang du de di gao he ke shi rong ye biao mian zi you neng de jiang di ke shi you yuan guang ke tu xing de (110)mian xiang (100)mian pian li 。di gao ke shi dian ya ke yi zhi ke shi pian li ,you li yu you dao keng kuai su ke shi cheng kong ,cong er xing cheng gui zheng de hou bi hong kong gui zhen lie 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自材料研究学报的安欢,伍建春,张仲,王欢,孙华,展长勇,邹宇，发表于刊物材料研究学报2019年03期论文，是一篇关于无机非金属材料论文,宏孔硅阵列论文,光电化学刻蚀法论文,表面形貌论文,多物理场仿真软件论文,材料研究学报2019年03期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自材料研究学报2019年03期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：无机非金属材料论文; 宏孔硅阵列论文; 光电化学刻蚀法论文; 表面形貌论文; 多物理场仿真软件论文; 材料研究学报2019年03期论文;