导读:本文包含了氮化效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氮化镓,场效应晶体管,48,V电源架构,总线电源
氮化效应论文文献综述
王健婧,Suvankar,BISWAS,Mohamed,H.AHMED,Michael,DE,ROOIJ[1]（2019）在《基于氮化镓场效应晶体管的高性能48 V总线电源（英文）》一文中研究指出48 V电源架构在数据中心电源系统中的推广激发了人们对具有更高效率和功率密度的先进电源解决方案的极大兴趣。具有超低寄生电容和导通电阻的氮化镓场效应晶体管GaN FET(gallium nitride field effect transistor)开辟了一种新方法 ,可实现前所未有的转换器性能和小型化。评估了采用与适当功率等级相对应的各种拓扑结构的48 V电源架构的DC-DC电源转换中的GaN FET。首先涵盖GaN FET的开关特性分析;然后将GaN FET用于开发各种48 V降压转换器,从同步降压、多电平和多相转换器到LLC谐振转换器;最后提供了选择合适GaN FET的指南。与传统基于MOSFET的转换器相比,这些基于GaN FET的转换器在不增加成本的情况下功率效率和功率密度显着提高。(本文来源于《电源学报》期刊2019年03期）
王立锋,武斌,刘洪涛,王翰林,苏玉玉[2]（2019）在《低温制备高质量六方氮化硼晶畴、薄膜及其在石墨烯基场效应晶体管中的应用（英文）》一文中研究指出二维六方氮化硼是一种理想的石墨烯电学器件介电层材料,然而,制备低成本和高质量的氮化硼材料仍是一个挑战.本文使用等离子体化学气相沉积法, 500°C下在铜箔衬底上制备了叁角形的BN晶畴及其薄膜.通过使用锡箔纸包裹原料的方法避免了残留原料在BN表面的沉积.当BN作为石墨烯场效应晶体管的介电层时,基于石墨烯的场效应器件空穴与电子的迁移率分别为10500和4750 cm~2V~(-1)s~(-1),明显优于在高温条件下制备的BN作为介电层的石墨烯器件,间接表明了该方法可得到高质量的BN.另外,本工作也揭示了氮化硼的质量对石墨烯场效应器件的性能至关重要.(本文来源于《Science China Materials》期刊2019年08期）
谢子锋,张智慧,李赫,郑丹,段理[3]（2019）在《六角氮化硼(h-BN)对单层硒化铟(InSe)的调制效应及这一新结构的电子性质》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的第一性原理计算和分析了叁种InSe/h-BN异质结的结构和电子性质.研究发现InSe/h-BN异质结具有间接带隙特点,并且价带顶和导带底的贡献均来自于InSe,差分电荷密度表明体系中没有明显的电荷交换.通过体系能带结构,我们发现h-BN层对单层InSe有着明显的调控效应.对比纯粹应变调控下单层的InSe的能带结构,发现h-BN对InSe能带结构的调控效应实际上是由InSe和h-BN之间的相互作用而诱导的晶格应变引起的.我们的研究结果表明,单层InSe沉积或生长在不同h-BN片上可以获得不同的晶格应变,实现对单层InSe能带结构的有效调控.(本文来源于《原子与分子物理学报》期刊2019年03期）
曹杨,习凯,徐彦楠,李梅,李博[4]（2019）在《55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的γ射线和X射线电离总剂量效应研究》一文中研究指出基于~(60)Co-γ射线和10 keV X射线辐射源,系统地研究了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元的电离总剂量效应,并特别关注其电学特性退化的规律与物理机制.总剂量辐照引起闪存单元I-V特性曲线漂移、存储窗口变小和静态电流增大等电学特性的退化现象,并对其数据保持能力产生影响.编程态闪存单元的I_d-V_g曲线在辐照后显着负向漂移,而擦除态负向漂移幅度较小.对比两种射线辐照,擦除态的I_d-V_g曲线漂移方向不同.相比于擦除态,富含存储电子的编程态对总剂量辐照更为敏感;且相比于~(60)Co-γ射线,本文观测到了显着的X射线剂量增强效应.利用TCAD和Geant 4工具,从能带理论详细讨论了55 nm硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅闪存单元电离总剂量效应和损伤的物理机制,并模拟和深入分析了X射线的剂量增强效应.(本文来源于《物理学报》期刊2019年03期）
[5]（2018）在《氮化镓垂直沟道结场效应晶体管》一文中研究指出德国亚琛工业大学在氮化镓(GaN)外延结构中首次实现了垂直沟道结型场效应晶体管(vc-JFET)。垂直器件对于高功率密度应用是很有应用价值的,因为通过该结构将峰值电场从表面推入散装材料,从而避免了对表面钝化或场板的需要。研究人员使用低成本的2英寸蓝宝石衬底通过MOCVD生成准垂直vc-(本文来源于《半导体信息》期刊2018年06期）
付涛,彭向和,黄橙,杨波,赵胤伯[6]（2018）在《纳晶氮化钒尺寸效应的分子动力学模拟研究》一文中研究指出晶粒尺寸对纳米晶材料发挥着重要的作用,但目前大多数的研究主要集中在金属材料。我们采用分子动力学方法对纳米多晶氮化钒(VN)进行了一些列的拉伸和压缩模拟,研究了应变率效应、拉压不对称性和晶粒尺寸效应。我们发现:(1)应变率小于1E9 s~(-1),拉伸/压缩的应力-应变曲线趋于收敛,可视为拟静态加载;(2)弹性拉压不对称性可归因于压缩过程中较高的摩擦力、MD中使用截断半径的影响以及势能曲线的不对称性,而非弹性不对称性还涉及不同的变形机理;(3)广义自洽方法可较好地预测多晶VN的弹性性质与晶粒尺寸(d)的关系;(4)拉伸和压缩的临界应变均随d的减小而增大,表现为延性增强;(5)拉伸的临界应力对d不敏感,而压缩的临界应力和流动应力对d依赖性较强,与1/d呈线性负增长,表现为反Hall-Petch效应,主要原因是d较小时,软相晶界占主导地位。(本文来源于《2018年全国固体力学学术会议摘要集（上）》期刊2018-11-23）
鲁济豹,杨楠楠,孙蓉,汪正平[7]（2018）在《平衡态分子动力学Green-Kubo方法计算氮化硼单层结构热导率的模型尺寸效应研究》一文中研究指出分子动力学模拟可以直接表征体系原子的行为,因此成为研究氮化硼相关材料微观导热机理的重要工具,但目前尚没有关于氮化硼材料模型尺寸对其热传导相关性质影响规律的研究。该文采用平衡态分子动力学并结合Green-Kubo方法,研究了纯净氮化硼单层结构热导率、声子色散关系以及态密度随模拟尺寸的变化规律,并解释了其内部机理。实验发现,氮化硼单层材料热导率随着模拟尺寸的增大而减小,并在单层面积约4.1 nm×4.1 nm时收敛于(349±22)W/(m·K),此收敛值远小于平衡态分子动力学计算中石墨烯热导率的收敛尺寸(10 nm×10 nm),这说明氮化硼单层中声子之间的散射大于石墨烯。此外,不同于热导率,氮化硼单层结构的声子色散曲线、态密度几乎不受模拟尺寸的影响。该研究结果可为采用平衡态分子动力学研究氮化硼相关材料的微观导热机理提供重要参考。(本文来源于《集成技术》期刊2018年02期）
温日宇,刘建霞,宋亚静,刘支平[8]（2017）在《迭氮化钠对绿豆种子和幼苗生长的诱变效应》一文中研究指出以晋绿9号为试验材料,测定不同浓度迭氮化钠对绿豆诱变不同时间种子的发芽率、幼苗鲜质量、根长的改变情况,探究迭氮化钠对绿豆种子和幼苗生长的诱变效应。结果表明,迭氮化钠的浓度16 mmol/L、诱变时长6 h为最佳诱变条件;在低浓度溶液诱变下,随着浓度的不断增加,诱变效应逐渐增强,诱变浓度为15 mmol/L或诱变时间小于6 h时,可提高其根长和幼苗鲜质量;迭氮化钠的浓度大于17 mmol/L或诱变时间超过6 h时,迭氮化钠诱变能够降低种子的萌发势,甚至致其死亡,幼苗及其根长也低于对照组。(本文来源于《山西农业科学》期刊2017年12期）
魏凯,李可心,曾振兴,戴玉华,颜流水[9]（2017）在《在Cr(Ⅵ)和4-氯酚复合污染系统中多孔石墨相氮化碳的协同光催化效应（英文）》一文中研究指出随着工农业的迅速发展,多组分复合污染系统广泛分布于自然环境中,例如电镀废水、污水处理厂污泥、城市生活垃圾等.自1972年光催化劈裂水产氢被发现以来,光催化技术已被广泛应用于解决环境污染问题.一方面,光生电子在酸性条件下能将重铬酸根(Cr_2O_7~(2–))中高毒性的Cr(Ⅵ)还原成低毒性的Cr(Ⅲ).另一方面,水中有机污染物通过光催化氧化过程可被降解为二氧化碳和水.然而在目前的光催化领域,大部分研究者专注于新型光催化剂的开发,并在单组份光催化系统中测试所开发材料的光催化活性,而忽视了蕴藏在光催化反应本身中的科学问题.事实上,将光催化技术应用于复合污染系统具有非常大的现实意义.少数研究者试图通过光催化过程处理多组分废水.然而,在复合污染系统中的协同光催化效应和机理尚未明确.近几年,基于可见光响应、环境友好、成本低等优点,作为一种不含金属的半导体光催化剂,石墨相氮化碳(g-C_3N_4)已被广泛应用于环境光催化领域.然而在实际应用中,g-C_3N_4的光催化活性却较差,因为聚集态层状结构不但限制了光生载流子的表面迁移,而且还增加了光催化反应的传质阻力.因此,人们尝试形貌控制策略来提高g-C_3N_4的光催化活性,例如氮化碳纳米片、空心球、量子点的构建.在前期工作中,我们通过一种简单的前驱体预处理策略使用盐酸和乙二醇共处理的叁聚氰胺作原料成功制备出了多孔石墨相氮化碳(pg-C_3N_4),因其具有丰富的多孔微观结构而表现出了卓越的光催化活性.本文初步研究了在酸性条件下使用所制备g-C_3N_4或pg-C_3N_4光催化还原水中Cr(Ⅵ)成Cr(Ⅲ)的反应.然后在不同p H条件下进一步研究了在Cr(Ⅵ)和4-氯酚(4-CP)复合污染系统中的协同光催化效应.结果发现,与单组分光催化系统相比,在Cr(Ⅵ)和4-CP复合污染系统中Cr(Ⅵ)的还原效率和4-CP的降解效率同时提高,即在Cr(Ⅵ)和4-CP复合污染系统中存在协同光催化效应.最后讨论了在Cr(Ⅵ)和4-CP复合污染系统中的协同光催化效应可归因于pg-C_3N_4的电子转移作用加速了Cr_2O_7~(2–)和4-CP之间的氧化还原反应.在用稀H_2SO_4调节p H至3的Cr(Ⅵ)和4-CP复合污染系统中,由于Cr_2O_7~(2–)中氧原子的电子云密度较低,因此Cr_2O_7~(2–)和4-CP之间的氧化还原反应通过pg-C_3N_4的电子转移作用易于进行,因而表现出明显的协同光催化效应.(本文来源于《催化学报》期刊2017年11期）
刘娟,胡锐,范志强,张振华[10]（2017）在《过渡金属掺杂的扶手椅型氮化硼纳米带的磁电子学特性及力-磁耦合效应》一文中研究指出基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了多种过渡金属(TM)掺杂扶手椅型氮化硼纳米带(ABNNR-TM)的结构特点、磁电子特性及力-磁耦合效应.计算的结合能及分子动力学模拟表明ABNNRTM的几何结构是较稳定的,同时发现对于不同的TM掺杂,ABNNRs能表现出丰富的磁电子学特性,可以是双极化磁性半导体、一般磁性半导体、无磁半导体或无磁金属.双极化磁性半导体是一种重要的稀磁半导体材料,它在巨磁阻器件和自旋整流器件上有重要的应用.此外,力-磁偶合效应研究表明:ABNNR-TM的磁电子学特性对应力作用十分敏感,能实现无磁金属、无磁半导体、磁金属、磁半导体、双极化磁性半导体、半金属等之间的相变.特别是呈现的宽带隙半金属对于发展自旋电子器件有重要意义.这些结果表明:可以通过力学方法来调控ABNNR-TM的磁电子学特性.(本文来源于《物理学报》期刊2017年23期）
氮化效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
二维六方氮化硼是一种理想的石墨烯电学器件介电层材料,然而,制备低成本和高质量的氮化硼材料仍是一个挑战.本文使用等离子体化学气相沉积法, 500°C下在铜箔衬底上制备了叁角形的BN晶畴及其薄膜.通过使用锡箔纸包裹原料的方法避免了残留原料在BN表面的沉积.当BN作为石墨烯场效应晶体管的介电层时,基于石墨烯的场效应器件空穴与电子的迁移率分别为10500和4750 cm~2V~(-1)s~(-1),明显优于在高温条件下制备的BN作为介电层的石墨烯器件,间接表明了该方法可得到高质量的BN.另外,本工作也揭示了氮化硼的质量对石墨烯场效应器件的性能至关重要.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氮化效应论文参考文献
[1].王健婧,Suvankar,BISWAS,Mohamed,H.AHMED,Michael,DE,ROOIJ.基于氮化镓场效应晶体管的高性能48V总线电源（英文）[J].电源学报.2019
[2].王立锋,武斌,刘洪涛,王翰林,苏玉玉.低温制备高质量六方氮化硼晶畴、薄膜及其在石墨烯基场效应晶体管中的应用（英文）[J].ScienceChinaMaterials.2019
[3].谢子锋,张智慧,李赫,郑丹,段理.六角氮化硼(h-BN)对单层硒化铟(InSe)的调制效应及这一新结构的电子性质[J].原子与分子物理学报.2019
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[5]..氮化镓垂直沟道结场效应晶体管[J].半导体信息.2018
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[7].鲁济豹,杨楠楠,孙蓉,汪正平.平衡态分子动力学Green-Kubo方法计算氮化硼单层结构热导率的模型尺寸效应研究[J].集成技术.2018
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[9].魏凯,李可心,曾振兴,戴玉华,颜流水.在Cr(Ⅵ)和4-氯酚复合污染系统中多孔石墨相氮化碳的协同光催化效应（英文）[J].催化学报.2017
[10].刘娟,胡锐,范志强,张振华.过渡金属掺杂的扶手椅型氮化硼纳米带的磁电子学特性及力-磁耦合效应[J].物理学报.2017