迁移能级论文-李向阳,胡燮荣,赵建华,方家熊

迁移能级论文-李向阳,胡燮荣,赵建华,方家熊

导读:本文包含了迁移能级论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:碲镉汞,深能级,载流子浓度,迁移率

迁移能级论文文献综述

李向阳,胡燮荣,赵建华,方家熊[1](1997)在《用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级》一文中研究指出获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率和载流子浓度与温度的关系,可以得到关于深能级的重要信息(本文来源于《红外技术》期刊1997年02期)

卢励吾,周洁,梁基本,孔梅影[2](1993)在《分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究》一文中研究指出应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high elec-tron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10~(15)-10~(17)cm~(-3)和俘获截面(10~(-16)cm~2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧含量有关。实验结果还表明,DLTS技术有可能成为器件优化设计的一种工具。(本文来源于《物理学报》期刊1993年05期)

迁移能级论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延生长的Pseudomorphic—high elec-tron mobility transistor(P-HEMT)结构中深能级行为。样品的DLTS表明,在P-HEMT结构的n-AlGaAs层里存在着较大浓度(10~(15)-10~(17)cm~(-3)和俘获截面(10~(-16)cm~2)的高温电子陷阱。它们直接影响着器件性能。高温电子陷阱的产生可能与AlGaAs层里的氧含量有关。实验结果还表明,DLTS技术有可能成为器件优化设计的一种工具。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

迁移能级论文参考文献

[1].李向阳,胡燮荣,赵建华,方家熊.用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级[J].红外技术.1997

[2].卢励吾,周洁,梁基本,孔梅影.分子束外延生长的赝配高电子迁移率晶体管结构中深能级的研究[J].物理学报.1993

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