导读:本文包含了雾状缺陷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:光罩,雾状缺陷,检测
雾状缺陷论文文献综述
陈宇[1]（2014）在《一种新的光罩雾状缺陷的检测方法研究》一文中研究指出光刻技术是半导体制造业的核心技术,而光罩又是光刻技术的模具,所以光罩缺陷一直都是很重要的缺陷。传统的光罩缺陷我们可以通过现有检测方式能够检测到,但是雾状缺陷由于其形成原因及缺陷本身的尺寸较小,不易被检测到;但是雾状缺陷作为一种光罩的常见缺陷,又会经常出现在光罩和产品上。近年来,随着产品线宽的逐渐缩小,产品对雾状缺陷的容忍度也越来越低,这就要求这些半导体加工厂要及时准确的发现雾状缺陷,传统的对雾状缺陷的检测方式都是依赖于光罩扫描设备,但是这种方式对的扫描设备的需求量大,且该设备成本高,扫描精度虽然高但是扫描效率低。本论文就着重从雾状缺陷的检测方式入手研究,基于公司现有设备和软件条件出发,力求采用低成本高效率的方式检测到雾状缺陷,论文的重点是研究一种新的雾状缺陷的检测方法。其做法就是基于传统的光罩晒版检测缺陷方式优化,传统的光罩晒版方式就是应用于检测光罩的一般缺陷和产品的一般缺陷。新的检测方式就是通过对产品曝光能量的降低来达到雾状缺陷最好呈现在晶圆上面,同时通过优化扫描程式,目的是对雾状缺陷的扫描达到一个很好的效果,最后通过软件迭图处理,发现雾状缺陷。本检测方式对检测设备,产能要求都不高的同时,还能够及时准确的检测到雾状缺陷,因此在公司内部广泛应用。(本文来源于《电子科技大学》期刊2014-03-01）
樊乡[2]（2009）在《光罩雾状缺陷检测频率的研究》一文中研究指出信息时代对器件的微型化、轻量化、集成化的迫切需求,极大地推动了微细加工技术的发展,光刻技术是当前半导体元器件加工业应用最为广泛的一项技术。随着大规模集成电路和微结构光子学元器件的迅速发展,对光刻技术的精度和分辨率要求越来越高,但是由于光学衍射极限的存在,传统光刻技术的分辨率存在无法突破的极限。而光罩是光刻技术中的一个重要环节,光罩必须制造得非常完美。所有硅片上的电路元件都来自版图,因此光罩的质量在亚微米光刻获得高质量图形中扮演着关键角色。如果光罩缺陷没有被发现,它们就会被复制到硅片表面的光刻胶上。光罩在制造完毕,就要进行大量的自动测试来检查缺陷和颗粒。本文重点研究了光罩雾状缺陷的来源以及形成方式,研究了光罩雾状缺陷的生长速度与曝光波长,光罩性质以及光罩清洗等的关系。并针对以上几种不同类型的光罩,从节约成本的方面考虑,提出了合适的光罩雾状缺陷的检测频率。该检测频率在实际应用过程中取得了很好的效果。(本文来源于《上海交通大学》期刊2009-04-14）
陈尧,黄其煜[3]（2008）在《掩模版雾状缺陷的解决方案》一文中研究指出在光刻波长进入到193 nm之后,雾状缺陷(haze defect)越发严重,研究发现环境是雾状缺陷产生的重要原因。目前晶圆厂主要采用改善掩模版工作环境和存储环境两种方式解决雾状缺陷,通过对这两种方案的对比表明,对掩模版的存储环境进行改善,可有效降低掩模版雾状缺陷的发生频率,提高掩模版的使用寿命,并且整体费用较低,是目前比较可行的方案,掩模版的无S化工艺也是未来发展方向。(本文来源于《半导体技术》期刊2008年10期）
Aaron,Hand[4]（2008）在《雾状缺陷每年花费10亿美元,仍被误解》一文中研究指出在半导体行业有据可查的范围中,微污染是对产率影响最大的因素,它让业界每年耗费约10亿美元,但半导体fab对其仍然知之甚少。"尽管半导体产业是一个成熟的产业,但在理解微污染方面仍处于初级阶段",Grenon Consulting Inc.的Brian J.Grenon指出。(本文来源于《集成电路应用》期刊2008年07期）
陈尧[5]（2008）在《掩膜版雾状缺陷改善与光刻良率提升》一文中研究指出在半导体业大尺寸、细线宽、高精度、高效率、低成本的要求下,如何有效降低掩膜版的雾状缺陷产生的频率,以提高产品良率是半导体业界重大的挑战之一,特别是在光刻波长进入到193nm世代之后,掩膜版雾状缺陷越发严重,成为必须立即改善的课题。本文从理论出发,结合半导体工业生产过程的试验数据,并加以分析,比较,从效果,效率,费用等方面考量,从而得到符合现代半导体工业解决掩膜版雾状缺陷的可行方案。从掩膜版雾状缺陷的原理研究发现,它主要是由硫酸根,氨等物质在特定环境下进行酸碱反应的综合产物。掩膜版雾状缺陷与晶圆尺寸,光刻波长,光刻工艺参数,掩膜版环境以及掩膜版自身生产制造及清洗过程都有密切的关系。晶圆尺寸扩大化,光刻波长缩小化,以及光刻图案密集化都是半导体产业的发展趋势,所以掩膜版雾状缺陷的解决方案的重点放在掩膜版的环境和掩膜版自身工艺的改善方向上。掩膜版的环境可以分为掩膜版的工作环境和存储环境。在掩膜版工作环境的改善上,从整个厂区,机台以及掩膜版检测区域的环境入手,在特定地点加装气体过滤器。工作环境改善明显,但对掩膜版雾状缺陷改善效果有限,并且总体费用较高。在掩膜版的存储环境改善方面,采用掩膜版放置盒,净化柜和存放柜立体结合的方式,对掩膜版放置盒和净化柜,存放柜进行相应的改进。在这个立体环境中持续的给掩膜版提供极其纯净的气体,减少外界环境对掩膜版的影响。从测试效果来看,掩膜版存储环境得到了很大的改善,对掩膜版雾状缺陷的提升效果明显。而且相对而言,费用比较低廉。传统的掩膜版制造和清洗工艺都包含有硫元素,在后期的使用和存储过程会逐渐的渗析出来,成为掩膜版雾状缺陷产生的重要源头之一。掩膜版制造和清洗工艺的无硫化是发展的重要方向。目前已经取得了一些进展。在掩膜版雾状缺陷的检测方面,将掩膜版检测和图形检测结合起来,不但可以提早发现掩膜版雾状缺陷,减小掩膜版雾状缺陷对产品良率产生的重大影响,同时也可以有效降低成本。(本文来源于《上海交通大学》期刊2008-06-30）
Laura,Peters[6]（2007）在《雾状缺陷问题是可以解决的》一文中研究指出在上期本专栏的《掩膜版寿命受到的雾状缺陷限制》一文中,我们讨论了掩膜版上雾状缺陷的主要类型和曝光波长为193和248nm时的掩膜版寿命。(本文来源于《集成电路应用》期刊2007年05期）
Laura,Peters[7]（2007）在《掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制Ⅰ》一文中研究指出雾状缺陷(Hazedefect)是残留在掩膜版上的有机物或无机物,它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时,这类缺陷尚不会引起太大的问题,大约只影响到5%的掩膜版。然而到了193nm光刻,受其影响的掩膜版高达20%左右,雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题。KLA-Tencor掩膜检查部门的高级技术市场经理Kaustuve Bhattacharyya解释说:"由于光刻波长变短,每个光子携带的能量更大,所以发生光化学反应的几率大为增加。"(本文来源于《集成电路应用》期刊2007年04期）
周士仁,王贵华,孙安纳,王柏林,严仁谨[8]（1980）在《硅外延层中“雾状”微缺陷对器件性能的影响及改善措施——正面吸除技术及亮片生产工艺》一文中研究指出通过实验,证明了n/n~+外延层经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所形成的“雾状”微缺陷,可导至p-n结的软击穿和低击穿,是降低器件成品率的重要原因之一.针对此种情况,提出了叁种在外延层正面吸除杂质的方法:氧化-剥层-腐蚀法,硼扩散结吸收法及磷硅玻璃吸取等,并探索了其工艺条件.实践证明,叁种措施都可在不同程度上降低外延层中“雾状”微缺陷的影响而提高器件成品率.为从根本上消除外延层中的“雾状”微缺陷,试建了一套亮片生产工艺,可将外延层中“雾状”微缺陷的密度,降到远低于10~5厘米~(-2)以下而获得亮片.在用此类外延片制作器件时,其管芯成品率可成倍提高.(本文来源于《半导体技术》期刊1980年02期）
王柏林,王贵华,周士仁,孙安纳[9]（1979）在《硅外延层中雾状微缺陷的形成及不同沾污区的形貌》一文中研究指出通过实验证明了汽相生长的硅外延层中,经Sirtl浸蚀剂浸蚀后,所呈现出的雾状微缺陷,是由铜、铁、镍、钠、磨料等杂质沾污所致;验明了“渍圈”区是与重沾污区相对应的,在轻沾污区内,被显示出的微缺陷呈浅叁角坑,而在重沾污区中,除此类浅坑外还常伴有突起的小丘,亮区内无明显可见的微缺陷结构。 在汽相生长的硅外延层中,被Sirtl浸蚀剂浸蚀后,易出现雾状表面,这种表面状态多是由浅叁角坑组成的,对此国内外均已报导过。这些微缺陷,常是造成器件低击穿、漏电大和成品率低的重要原因。有的作者只在(100)面上发现了这类浅坑,并且强调是因装片时不锈钢镊子沾污所致。为提高外延片质量与器件成品率,有必要弄清此类缺陷的成因与外延时可能接触的其它杂质的关系,以便有针对性的将其消除。本文的主要目的,是找出雾状微缺陷的形成与若干杂质沾污情况的对应关系,以及观察不同程度沾污区域的微缺陷形貌,期望以此能做为判别外延层内在质量的有益参考。(本文来源于《半导体技术》期刊1979年06期）
雾状缺陷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
信息时代对器件的微型化、轻量化、集成化的迫切需求,极大地推动了微细加工技术的发展,光刻技术是当前半导体元器件加工业应用最为广泛的一项技术。随着大规模集成电路和微结构光子学元器件的迅速发展,对光刻技术的精度和分辨率要求越来越高,但是由于光学衍射极限的存在,传统光刻技术的分辨率存在无法突破的极限。而光罩是光刻技术中的一个重要环节,光罩必须制造得非常完美。所有硅片上的电路元件都来自版图,因此光罩的质量在亚微米光刻获得高质量图形中扮演着关键角色。如果光罩缺陷没有被发现,它们就会被复制到硅片表面的光刻胶上。光罩在制造完毕,就要进行大量的自动测试来检查缺陷和颗粒。本文重点研究了光罩雾状缺陷的来源以及形成方式,研究了光罩雾状缺陷的生长速度与曝光波长,光罩性质以及光罩清洗等的关系。并针对以上几种不同类型的光罩,从节约成本的方面考虑,提出了合适的光罩雾状缺陷的检测频率。该检测频率在实际应用过程中取得了很好的效果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
雾状缺陷论文参考文献
[1].陈宇.一种新的光罩雾状缺陷的检测方法研究[D].电子科技大学.2014
[2].樊乡.光罩雾状缺陷检测频率的研究[D].上海交通大学.2009
[3].陈尧,黄其煜.掩模版雾状缺陷的解决方案[J].半导体技术.2008
[4].Aaron,Hand.雾状缺陷每年花费10亿美元,仍被误解[J].集成电路应用.2008
[5].陈尧.掩膜版雾状缺陷改善与光刻良率提升[D].上海交通大学.2008
[6].Laura,Peters.雾状缺陷问题是可以解决的[J].集成电路应用.2007
[7].Laura,Peters.掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制Ⅰ[J].集成电路应用.2007
[8].周士仁,王贵华,孙安纳,王柏林,严仁谨.硅外延层中“雾状”微缺陷对器件性能的影响及改善措施——正面吸除技术及亮片生产工艺[J].半导体技术.1980
[9].王柏林,王贵华,周士仁,孙安纳.硅外延层中雾状微缺陷的形成及不同沾污区的形貌[J].半导体技术.1979