导读:本文包含了层状钙钴氧化物论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:钙钛矿钴氧化物,拓扑绝缘体,纳米材料,氧含量
层状钙钴氧化物论文文献综述
杨倩[1]（2016）在《纳米层状钴氧化物及其复合物性质的研究》一文中研究指出本文主要研究纳米层状钙钛矿GdBaCo2O5+δ的结构,形貌,物性以及与拓扑绝缘体Bi2Se3组成不同体积比复合物的性能。利用溶胶凝胶法制备出不同烧结温度的GdBaCo2O5+δ小尺寸颗粒,并利用X射线衍射(XRD),透射电子显微镜(TEM)和x射线能量色散谱(EDS)对样品的结构,形貌以及成分进行表征。结果表明所有的GdBaCo2O5+δ样品均为单相,且具有层状结构,而900℃样品的晶粒尺寸已达到了纳米量级。本文采用碘滴定法确定样品中的氧含量,滴定的结果如下：900℃烧结的GdBaCo2O5+δ样品的氧含量为5.44,1000℃烧结的GdBaCo2O5+δ样品的氧含量为5.26,1100℃烧结的GdBaCo2O5+δ样品的含氧量为5.25。磁性测量显示：900℃样品的M-T曲线和固相反应制备出块体材料样品的M-T曲线基本相近,这是因为他们的氧含量基本相同；对于氧含量较少的1000℃和1100℃样品,反铁磁基体中出现了孤立的铁磁团簇,这些团簇在居里温度Tc以下表现出超顺磁和铁磁相结合的磁性,所以和900-C样品相比,它们的磁化强度在铁磁转变温度附近时较弱。所有样品零场冷却M-T曲线和带场冷却M-T曲线都存在分又,显示样品中都存在铁磁交换作用和反铁磁交换作用的竞争。电性测量显示：叁个样品在整个温度区间都表现出绝缘体行为；又因叁个样品的氧含量不同,导致相同温度下,氧含量越少的样品电阻率越大。磁输运结果表明小尺寸颗粒的GdBaCo2O5+δ在较低温度下具有较大的磁电阻值效应,且这种低温的磁电阻效应随晶粒尺寸减小磁电阻效应越明显,这是由于自旋极化晶界隧穿机制导致。本文成功制备了不同体积比(1-x) GdBaCo2O5+δ/xBi2Se3复合物,并对其进行了物性表征。电阻测量表明所有样品都具有金属导电性,随着Bi2Se3增加,样品电阻减小。磁输运测量表明：复合物在不同温度下均有正的磁电阻效应,且随着温度的升高,磁电阻效应都呈减弱的趋势。复合物中Bi2Se3依然保持无间隙拓扑表面态的性质,故在高场区域内的MR-H曲线呈线性变化的趋势。在T=150 K和T=300 K时,x=0.7和x=0.8复合物具有最强的磁电阻效应,这可能是碲化物和钴氧化物的界面效应导致。(本文来源于《东南大学》期刊2016-04-01）
王世洪[2]（2015）在《氧含量对层状钴氧化物LnBaCo_2O_(5+δ)(Ln=Nd,Gd)电磁学性质的影响》一文中研究指出层状钴氧化物Ln Ba Co2O5+δ(Ln表示稀土元素)具有许多丰富的物理现象,自上世纪九十年代以来一直是广大科技工作者关于过渡金属氧化物的重点研究对象。其中δ变化导致氧离子及其空位在Ln Oδ层中有序排列。本文利用固相法合成了系列Ln Ba Co2O5+δ多晶样品,通过XRD表征证明其为纯相,并通过不同条件的热处理得到了不同氧含量的Nd Ba Co2O5+δ(Ln=Nd,Gd)样品。本文采用改进的碘量法精确测定样品氧含量,对系列Ln Ba Co2O5+δ(Ln=Nd,Gd)磁化强度及电阻率曲线进行了测试并作出分析。本文通过改进碘量法精确测定了系列Ln Ba Co2O5+δ样品的氧含量,结果显示相同合成条件得到的样品Ln3+半径越大其δ值越大;不同条件的热处理实现了Ln Ba Co2O5+δ氧含量的广泛调节。系列Gd Ba Co2O5+δ磁化强度随温度变化曲线M(T)表明在Ln Ba Co2O5+δ材料中广泛存在连接发生的PM-FM-AFM转变,Gd Ba Co2O5.48磁化曲线居里—外斯拟合结果符合Co3+离子处于低、中间自旋态的数量比为1:1的理论分析,Co3+两种自旋态正好对应着交替排列的Co O5、Co O6两种不同配位环境。样品磁化强度ZFC和FC曲线明显分叉说明其具有热磁不可逆性,但未表现出自旋玻璃态的磁学特征。样品TN受温度、磁场及δ显著影响,表明FM-AFM转变是由磁性钴离子自旋有序阵列间重新相对取向的变磁性转变;Gd Ba Co2O5+δ样品TN随δ变化无明显改变,表明FM有序主要来自磁性Co3+间超交换作用。样品δ值在0.5上下变化导致Co2+/Co3+、Co3+/Co4+混合价态,形成不同磁相互作用的微小尺度区域将显着影响样品的磁性转变特征。Nd Ba Co2O5+δ样品磁性转变温度等特征与Gd Ba Co2O5+δ样品存在明显差异,可能是由于不同Ln3+改变磁性钴离子间交换作用键角键长及影响氧离子分布形成相分离等原因导致。氧含量靠近δ=0.5的样品电阻率随温度变化曲线斜率在TC以上发生类似金属—绝缘体转变,但变化幅度很小。系列Ln Ba Co2O5+δ样品低温下电阻率服从VRH模型,表明样品中载流子通过定域态间的跳跃实现传导。样品中氧含量δ>0.5掺入空穴显着减小电阻率;而样品中由于电子掺杂可能形成微观绝缘态及自旋阻塞等原因,导致δ<0.5时低温电阻率反而增大。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2015-06-01）
闫国英[3]（2015）在《层状钴氧化物薄膜光诱导横向热电效应研究》一文中研究指出光诱导横向热电效应(简称LITT效应)是一种温差和电压方向相互垂直的热电效应,通常只能在c轴倾斜生长的薄膜、单晶及人工构建的多层结构中观测得到。该效应源于材料各向异性的Seebeck系数,实质是一个光-热-电转换过程。自LITT效应发现20多年以来,几乎所有相关报道都集中在样品的几何参数对该效应的影响上,而极少涉及材料电、热输运参量的调控和优化,这也在一定程度上制约了LITT效应的发展。本文采用化学溶液沉积技术在c轴倾斜的La Al O3(001)单晶基片上外延生长了Bi_2Sr_2Co_2O_y热电薄膜,从电、热参量调控机理及温度场理论出发,研究了掺杂、氧空位和光吸收层等对薄膜LITT效应的影响。其目标是通过结构或微结构调控来优化薄膜材料的电、热输运参量及薄膜对光辐射的吸收,提高LITT效应中的光-热和热-电转换效率,为研制新一代基于LITT效应设计的高灵敏宽波段光探测器提供指导。主要实验结论如下:1.研究了基本实验参量如薄膜厚度、倾斜角度、激光入射方向、波长、能量等对Bi_2Sr_2Co_2O_y薄膜LITT效应的影响。实验发现当用不同波长激光对薄膜表面进行加热时均可以观测到横向开路电压信号且信号幅值与以上参量密切相关。进一步用热源(如电烙铁)替代光源,仍可以观测到开路电信号且信号幅值随热源温度升高而增大。分析认为该电压信号源于薄膜各向异性的Seebeck系数,即横向热电效应。2.通过改变样品后退火温度及气体氛围来调控薄膜的微结构和氧含量,研究了薄膜微结构和氧含量对其LITT效应的影响。实验发现退火温度高、氧含量大的样品电阻率减小(薄膜电阻率减小可增大其上下表面温差)而热导率增大且Seebeck系数呈现更强的各向异性,因此LITT效应输出电压具有更大的灵敏度和更快的响应时间。在此基础上,进一步研究了掺杂和双层结构对薄膜LITT效应的影响。实验发现Bi_2Sr_2Co_2O_y掺入Pb和构建Bi_2Sr_2Co_2O_y/Pb_2Sr_2Co_2O_y多层膜均可以可以增大薄膜ab平面和c轴方向Seebeck系数的差值ΔS,导致LITT效应输出电压灵敏度提高。3.以石墨、碳纳米管、纳米银颗粒等材料为光吸收层,研究了光吸收层类型、几何尺寸(面积、厚度)对薄膜LITT效应的影响。结果表明:a)所有光吸收层均可增强LITT过程中的光-热转换效率,使薄膜上下表面温差增大,从而增大LITT效应输出电压的灵敏度。b)当光吸收层面积与入射光斑面积相等,厚度恰好实现完全光吸收时,LITT效应中光-热转换效率最高,获得的输出电压最大。c)叁种光吸收材料中,碳纳米管光吸收层的效果最佳。4.研究了Bi_2Sr_2Co_2O_y薄膜的变温LITT效应。在30-150K和20-250℃的温度范围内,电压幅值随测试温度的升高而增大。我们认为:低温区(150-30K)电压幅值的减小与Bi_2Sr_2Co_2O_y薄膜ΔS的减小及因电阻率的增大导致的薄膜上下表面温差减小均有关系;但高温区(20-250℃)电压幅值增大的物理机制有待于进一步探究。除LITT效应外,我们还研究了非斜切Bi_2Sr_2Co_2O_y薄膜的横向光伏效应及Bi_2Sr_2Co_2O_y/Si异质结的变温整流及光伏特性。上述结果表明Bi_2Sr_2Co_2O_y薄膜不仅在热电器件而且在基于横向热电效应设计的光、热探测器等领域都具有潜在的应用前景。(本文来源于《河北工业大学》期刊2015-03-01）
陈珊珊[4]（2013）在《脉冲激光沉积制备层状钴氧化物薄膜及其输运特性研究》一文中研究指出本论文在多种单晶基片上利用脉冲激光沉积技术外延生长了层状钴氧化物Bi_2Sr_2Co_2O_y、Ca_3Co_4O_9和Na_xCoO_2热电薄膜并研究了其热电输运特性，所得主要结论如下：1)利用脉冲激光沉积技术制备了Bi2Sr2Co2Oy薄膜并研究了沉积温度和氧压对薄膜晶体结构及电输运性能的影响。在最佳沉积条件下得到的薄膜为在ab面和c轴方向完全织构的外延薄膜，其室温和高温热电性能均可以和单晶样品相比拟。2)利用脉冲激光沉积技术制备了Ca3Co4O9薄膜并研究了Fe含量对Ca_3Co_(4-x)Fe_xO_9(x=0、0.05、0.1、0.15)薄膜电学性能的影响。随着Fe含量的增加(x≤0.1)，空穴载流子浓度增加，薄膜的电阻率减小；进一步增加铁含量(x>0.1)会导致薄膜晶格发生畸变或富铁的第二相，使载流子散射增强、电阻率升高。因塞贝克系数基本不受铁含量的影响，故少量的Fe替代Co位可以改善Ca_3Co_4O_9薄膜的热电性能。3)利用脉冲激光沉积和离子扩散技术制备了Na_xCoO_2外延薄膜，薄膜的功率因子可以和单晶样品相比拟。在此基础上我们制备了c轴倾斜的Na_xCoO_2外延薄膜并研究了其激光诱导热电压效应。当入射激光波长为308nm时，探测到的开路电压信号灵敏度高达16V/mJ，这表明Na_xCoO_2薄膜不仅在热电器件而且在非制冷光探测器领域均具有重要的应用前景。(本文来源于《河北大学》期刊2013-06-01）
吴娜,张蕾,郗传英,方军[5]（2012）在《层状钙钛矿钴氧化物Y_(1-x)Gd_xBaCo_2O_5中稀土离子半径对电荷有序转变的影响》一文中研究指出研究了层状钙钛矿钴氧化物Y1-xGdxBaCo2O5(x=0,0.25,0.5,0.75,1)的结构和输运性质,结果显示它们具有相似的相变行为,从而证明GdBaCo2O5与YBaCo2O5一样,也存在电荷有序转变.结果还表明电荷有序转变温度随稀土离子半径增加而上升.(本文来源于《低温物理学报》期刊2012年05期）
梁万秋,郭振平[6]（2010）在《层状钴氧化物系统的重整化群流》一文中研究指出采用平均场近似方法得到层状钴氧化物系统的不对称Hubbard哈密顿量,建立了对应于该哈密顿量的重整化群流方程,求得相应的系统能带结构、粒子数期望值和临界温度.结果表明,系统发生绝缘体—金属转变的临界温度Tc随能带宽度W的降低而增大.(本文来源于《延边大学学报(自然科学版)》期刊2010年02期）
冯金,宋英,卢艳,王福平[7]（2009）在《层状钴氧化物热电材料的结构调控研究进展》一文中研究指出层状钴氧化物热电材料具有性能稳定、可在氧化气氛下长期工作、无毒无污染等优点,已成为热电转换领域研究的热点之一。综述了结构调控技术对层状钴氧化物热电性能的调控和优化,重点介绍了织构取向优化、纳米结构复合化、低维化等结构调控技术的特点,分析了结构调控技术对层状钴氧化物材料热电性能的影响,初步探讨了结构调控技术提高材料热电性能的原因并介绍了层状钴氧化物材料的研发应用现状,并对其发展前景进行了展望。(本文来源于《材料导报》期刊2009年17期）
曲丽娜[8]（2009）在《层状钙钛矿钴氧化物的制备及其作为燃料电池阴极材料的研究》一文中研究指出固体氧化物燃料电池(简称SOFC)被称为第四代燃料电池,是目前国际公认具有发电效率高,能量密度大;燃料使用面广,余热利用价值高的燃料电池。但是,SOFC在高温下(800—1000℃)运行会带来一系列的问题,如电池封接困难、寿命短、造价高等,极大的限制了SOFC的推广和使用。因此,研究工作温度为500—800℃中温固体氧化物燃料电池(ITSOFC)变成为了发展的必然趋势。阴极材料是ITSOFC的重要组成部分,随着使用温度的降低,将导致传统阴极材料的极化电阻增大、电导率降低等一系列问题,电池的性能也会大大降低。因此,寻找新的能在中温(500—800℃)条件下工作的阴极材料对于发展SOFC中温化尤为重要。本论文采用溶胶—凝胶法合成制备了具有层状钙钛矿结构的ITSOFC阴极材料YBa_(1-x)Ca_xCo_2O_(5+δ)(x=0～0.3),系统地研究了样品体系的晶体结构、热膨胀性能和电输运性能,Ca~(2+)的Ba位掺杂对晶体结构、电输运性能和热膨胀性能的影响,还考察了阴极材料与电解质材料的高温粘附性和它的催化活性。研究发现,所制样品体系在1100℃高温烧结后具有3×1×1型层状钙钛矿结构,属四方晶型,空间群为P_4/mmm。Ca~(2+)的Ba位掺杂明显地改变YBa_(1-x)Ca_xCo_2O_(5+δ)的热膨胀性能,随着X的增大,掺杂样品在200℃—800℃内的热膨胀系数逐渐减小,其中YBa_(0.7)Ca_(0.3)Co_2O_(5+δ)与电解质材料8YSZ的热膨胀系数较为接近,说明它与电解质材料8YSZ有良好的匹配性;YBa_(1-x)Ca_xCx_2O_(5+δ)(x=0～0.3)体系在高温下具有较高的导电率,YBa_(0.7)Ca_(0.3)Co_2O_(5+δ)在800℃时的导电率较高约为41.33Scm~(-1);掺杂样品在中低温下(室温—450℃)的Ln(σT)与1/T近似呈直线关系,其电输运机制符合半导体小极化子模型。另外YBa_(0.7)Ca_(0.3)Co_2O_(5+δ)与8YSZ电解质间的高温粘附性能较好,在820℃左右时,阴极材料与电解质之间的界面电阻很小约为4.86Ω·cm~2,说明该阴极材料具有较高的催化活性,有利于ITSOFC的正常工作。(本文来源于《贵州大学》期刊2009-06-01）
裴健[9]（2009）在《层状钙钴氧化物热电材料的制备及其性能研究》一文中研究指出热电材料是一种能够实现电能与热能之间直接转换的功能材料,它提供了一种安全可靠、全固态的发电和制冷方式,具有广泛的应用前景。层状钙钴氧化物因具有较大的Seebeck系数和较低的热导率近年来受到人们的广泛关注,被认为是一类具有应用前途的热电材料。Ca_2Co_2O_(5+δ)、Ca_3Co_4O_(9+δ)和(Ca_(0.85)OH)_(1.16)CoO_2是叁种典型的层状钙钴氧化物热电材料,Ca_2Co_2O_(5+δ)可作为母体化合物,高温加热分解得到Ca_3Co_4O_(9+δ),而在碱性溶液中水热分解得到(Ca_(0.85)OH)_(1.16)CoO_2。本研究首先分别采用熔盐法和改进的溶胶-凝胶法制备了Ca_2Co_2O_(5+δ)热电材料,然后采用改进的溶胶-凝胶法制备了Ca_3Co_4O_(9+δ)热电材料,最后以Ca_2Co_2O_(5+δ)为前驱体,采用水热法制备了(Ca_(0.85)OH)_(1.16)CoO_2热电材料;利用TG-DTA, XRD、SEM、FT-IR、XPS以及热电性能测试系统等分析测试手段对叁种材料的结构、形貌和热电性能进行了较为系统的研究,在此基础上,通过离子掺杂提高了叁种材料的热电性能,并对掺杂前后材料的输运性能和机理进行了探讨。采用熔盐法和改进的溶胶-凝胶法,在优化的工艺条件下,制备了单相的Ca_2Co_2O_(5+δ)粉体。XRD分析结果表明采用熔盐法制备的晶粒沿ab面有明显的取向生长,进一步的熔盐机理分析表明Ca_2Co_2O_(5+δ)晶粒的形成过程为“溶解-析出”机理,生长过程由界面反应机制控制。在常压烧结下分别将两种方法制备的粉体压成块体,并比较了它们的热电性能。结果表明,熔盐法制备得的样品的电学性能优越,而改进的溶胶-凝胶法制备的样品具有较高的热电优值。对Ca_2Co_2O_(5+δ)的Na掺杂改性研究表明,随着Na含量的增加,Ca_(2-x)Na_xCo_2O_(5+δ) (x=0-0.2)的电导率逐渐增大,而Seebeck系数和热导率均有不同程度的降低,最终材料的热电优值随着Na含量的增加而增大。973K时,Ca_(1.8)Na_(0.2)Co_2O_(5+δ)样品的ZT可达0.116。采用改进的溶胶-凝胶法结合热压烧结技术制备了Ca_3Co_4O_(9+δ)块体材料,并对其进行了Er,Nd,Na掺杂改性研究。结果表明:由于不同价态离子替代部分钙离子后改变了材料的载流子浓度,所以材料的电导率随着Er或Nd含量的增加逐渐减小,随着Na含量的增加逐渐增大,而这个过程中材料的Seebeck系数与电导率变化趋势相反。又由于重原子替代部分轻原子增强了体系的晶格散射能力,所以随着Er或Nd含量的增加,材料的热导率逐渐降低。综合结果为材料的热电优值随着Er或Nd含量的增加而增大。通过Nd,Na双掺调节体系的载流子浓度和体系的无序度,可以进一步提高Ca_3Co_4O_(9+δ)材料的热电性能。1073K时,Ca_(2.7)Er_(0.3)Co_4O_(9+δ)样品的ZT可达0.28,Ca_(2.6)Nd_(0.3)Na_(0.1)Co_4O_(9+δ)样品的ZT值可达0.29。Ca_3Co_4O_(9+δ)的导电机理探讨结果表明,在550-1073K温度区间,它们的导电行为可以用小极化子邻近跳跃模型来描述。曲线拟合结果表明,Er,Nd或Na替代Ca_3Co_4O_(9+δ)中的部分Ca后,材料的跳跃激活能改变不大,说明元素替代发生在Ca_3Co_4O_(9+δ)的Ca_2CoO_3层,负责导电的CoO_2层通道并没有遭到破坏。以Ca_2Co_2O_(5+δ)为前驱体,采用水热法在碱性溶液中453K反应12h制备了单相的(Ca_(0.85)OH)_(1.16)CoO_2粉体。电子结构计算表明,(Ca_(0.85)OH)_(1.16)CoO_2具有直接带隙半导体能带结构;态密度分析表明,(Ca_(0.85)OH)_(1.16)CoO_2的价带顶和导带底的能带主要由Co-3d-t2g轨道和Co-3d-eg轨道贡献,导电模式为d-d跃迁导电。为了提高(Ca_(0.85)OH)_(1.16)CoO_2的热电性能,对其进行了Na,Nd掺杂改性研究,结果表明单掺样品的电导率随着Na含量的增加逐渐增大,随着Nd含量的增加先减小后增大;Seebeck系数随着Na含量的增加逐渐减小,随着Nd含量的增加单调增大。573K时,(Ca_(0.75)Na_(0.1)OH)_(1.16)CoO_2和(Ca_(0.75)Nd_(0.1)OH)_(1.16)CoO_2样品的功率因子均可达7.4×10~(-5)W·m~(-1)·K~(-2)。通过Na,Nd双掺并不能进一步的提高材料的热电性能。573K时,(Ca_(0.75)Na_(0.05)Nd_(0.05)OH)_(1.16)CoO_2的功率因子与单掺样品的最大功率因子大小相当。受Co离子由低自旋态向过度自旋态转变过程的影响,叁种材料的电导率曲线在370K附近均出现了金属-半导体转变点。通过高价态离子替代化合物中部分的Ca~(2+)来增大化合物中Co~(3+)/Co~(4+)的比例,可以抑制钴离子的自旋态转变,从而导致电导率曲线上的金属-半导体转变点消失。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2009-03-01）
李中华,陈刚,裴健,刘璞生[10]（2008）在《层状钴氧化物Bi_(2-x)Ag_xSr_2Co_2O_(8-δ)的高温热电性能及XPS研究(英文)》一文中研究指出采用固相反应法制备了组成为Bi_(2-x)Ag_xSr_2Co2O_(8-δ)(x=0.0,0.4,0.8,略写为BAC-222)的层状钴氧化物陶瓷。利用X-射线光电子能谱考察该类化合物的电子结构,结果表明钴离子以Co3+和Co4+混合价态形式存在,nCo4+/nCo3+的比例随着Ag掺杂的量增加而增加。O1s光电子谱显示在所有样品中均存在点阵氧和吸附氧。热电性能测试结果显示,随着Ag掺杂量的增加,电导率显着增加而Seebeck系数几乎保持不变,Ag的引入极大的影响了BAC-222的电子输运性质,其功率因子在1123K时达到了1.23×10-4W·m-1·K-2,是一种具有很好应用前景的热电材料。(本文来源于《无机化学学报》期刊2008年06期）
层状钙钴氧化物论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
层状钴氧化物Ln Ba Co2O5+δ(Ln表示稀土元素)具有许多丰富的物理现象,自上世纪九十年代以来一直是广大科技工作者关于过渡金属氧化物的重点研究对象。其中δ变化导致氧离子及其空位在Ln Oδ层中有序排列。本文利用固相法合成了系列Ln Ba Co2O5+δ多晶样品,通过XRD表征证明其为纯相,并通过不同条件的热处理得到了不同氧含量的Nd Ba Co2O5+δ(Ln=Nd,Gd)样品。本文采用改进的碘量法精确测定样品氧含量,对系列Ln Ba Co2O5+δ(Ln=Nd,Gd)磁化强度及电阻率曲线进行了测试并作出分析。本文通过改进碘量法精确测定了系列Ln Ba Co2O5+δ样品的氧含量,结果显示相同合成条件得到的样品Ln3+半径越大其δ值越大;不同条件的热处理实现了Ln Ba Co2O5+δ氧含量的广泛调节。系列Gd Ba Co2O5+δ磁化强度随温度变化曲线M(T)表明在Ln Ba Co2O5+δ材料中广泛存在连接发生的PM-FM-AFM转变,Gd Ba Co2O5.48磁化曲线居里—外斯拟合结果符合Co3+离子处于低、中间自旋态的数量比为1:1的理论分析,Co3+两种自旋态正好对应着交替排列的Co O5、Co O6两种不同配位环境。样品磁化强度ZFC和FC曲线明显分叉说明其具有热磁不可逆性,但未表现出自旋玻璃态的磁学特征。样品TN受温度、磁场及δ显著影响,表明FM-AFM转变是由磁性钴离子自旋有序阵列间重新相对取向的变磁性转变;Gd Ba Co2O5+δ样品TN随δ变化无明显改变,表明FM有序主要来自磁性Co3+间超交换作用。样品δ值在0.5上下变化导致Co2+/Co3+、Co3+/Co4+混合价态,形成不同磁相互作用的微小尺度区域将显着影响样品的磁性转变特征。Nd Ba Co2O5+δ样品磁性转变温度等特征与Gd Ba Co2O5+δ样品存在明显差异,可能是由于不同Ln3+改变磁性钴离子间交换作用键角键长及影响氧离子分布形成相分离等原因导致。氧含量靠近δ=0.5的样品电阻率随温度变化曲线斜率在TC以上发生类似金属—绝缘体转变,但变化幅度很小。系列Ln Ba Co2O5+δ样品低温下电阻率服从VRH模型,表明样品中载流子通过定域态间的跳跃实现传导。样品中氧含量δ>0.5掺入空穴显着减小电阻率;而样品中由于电子掺杂可能形成微观绝缘态及自旋阻塞等原因,导致δ<0.5时低温电阻率反而增大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
层状钙钴氧化物论文参考文献
[1].杨倩.纳米层状钴氧化物及其复合物性质的研究[D].东南大学.2016
[2].王世洪.氧含量对层状钴氧化物LnBaCo_2O_(5+δ)(Ln=Nd,Gd)电磁学性质的影响[D].哈尔滨工业大学.2015
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[4].陈珊珊.脉冲激光沉积制备层状钴氧化物薄膜及其输运特性研究[D].河北大学.2013
[5].吴娜,张蕾,郗传英,方军.层状钙钛矿钴氧化物Y_(1-x)Gd_xBaCo_2O_5中稀土离子半径对电荷有序转变的影响[J].低温物理学报.2012
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[9].裴健.层状钙钴氧化物热电材料的制备及其性能研究[D].哈尔滨工业大学.2009
[10].李中华,陈刚,裴健,刘璞生.层状钴氧化物Bi_(2-x)Ag_xSr_2Co_2O_(8-δ)的高温热电性能及XPS研究(英文)[J].无机化学学报.2008