导读:本文包含了等离子体电源论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:移项全桥变换器,IGBT,UC3842,脉冲电源
等离子体电源论文文献综述
贾垭楠,李占贤,刘国莎[1]（2019）在《基于移项全桥变换器的等离子体脉冲电源设计》一文中研究指出为了更好地研究低温等离子体,设计一款高重频、高效率和良好稳定性的等离子体脉冲激励源至关重要。分析了实现零电压开关的原理,基于移项控制ZVS(Zero Voltage Switching)全桥变换器设计了等离子体脉冲电源主电路,它以IGBT作为开关管,由UC3842芯片对其驱动波形进行移项控制;通过Multisim建立了仿真模型,在验证主回路实现了零电压开关的情况下,变压器副边在1 kΩ的负载上输出了频率40 kHz、幅值5.2 kV的窄脉冲方波。(本文来源于《机械工程与自动化》期刊2019年06期）
李波,赵娟,李洪涛,叶超,谭巍巍[2]（2019）在《一种新型等离子体磁控溅射镀膜电源设计》一文中研究指出磁控溅射镀膜电源是磁控溅射系统中的关键设备之一。根据铌靶和锡靶溅射处理装置的技术要求,研制了一套输出电压0～800V可调、脉冲宽度5～200μs可调、频率0～60Hz可调、在脉冲电流最大幅值约150A的磁控溅射镀膜电源,分别给出了该电源在铌靶负载和锡靶负载下的实验结果。设计上采用高压短脉冲预电离一体化高功率双极性脉冲形成电路方法,解决了高功率磁控溅射在重复频率工作下有时不能成功溅射粒子、电离时刻不一致、溅射起弧打火靶面中毒、溅射效率低等问题,降低了磁控溅射装置内气体的工作气压,实现低气压溅射镀膜,提高了靶材的溅射效率,减小薄膜表面粗糙度。通过大量实验论证,该电源达到了理想的溅射效果,满足了指标要求。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2019年04期）
胡晨,赵龙章,高升[3]（2019）在《应用于污泥处理的等离子体动态匹配电源的研究》一文中研究指出随着等离子体技术应用在污泥处理中的不断深入,对于等离子体电源性能的要求也越来越高,因此文中重点研究了污泥处理装置中的等离子体电源的动态匹配功能。采用叁相不可控整流电路,IGBT全桥逆变电路,DC侧Buck斩波功率调节和频率自动跟踪算法的策略。最后通过Simulink对电源系统进行仿真,验证了系统的正确性和动态匹配算法的有效性。(本文来源于《现代电子技术》期刊2019年02期）
刘志强,李占贤[4]（2019）在《用于产生瞬态等离子体的脉冲电源的设计》一文中研究指出为了更好的进行瞬态等离子体机理的研究,瞬态等离子体的产生是其实验研究的关键,为此设计一台可调节高压方波脉冲电源。该脉冲电源主要有高压直流电源和固态调制器组成,电压调节主要由直流电源完成,固态调制器是基于单片机为控制中心,信号经过隔离和功率放大,实现固态调制器的控制,由于输出电压较高,单个开关管无法承受耐压,所以采用MOSFET串联分压的方式。(本文来源于《电子测试》期刊2019年02期）
王振民,吴健文,范文艳,叶春显[5]（2019）在《基于SiC MOSFET的谐振软开关等离子体电源》一文中研究指出利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率范围增大至260～310 kHz.设计的高频高压全桥LLC ZVS谐振变换器样机的额定输出功率为8 kW,输出电压为270 V.对所研制的8 kW级SiC MOSFET全桥LLC ZVS谐振变换器样机的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统Si MOSFET的LLC谐振变换器.(本文来源于《华南理工大学学报(自然科学版)》期刊2019年01期）
徐友慧,王少宁,陈昶文,任海玢,徐恒通[6]（2019）在《脉冲等离子体推力器电源处理单元技术研究》一文中研究指出为了进一步提高脉冲等离子体推力器点火的可靠性和使用寿命,采用理论计算和地面试验的方法,设计了一款可应用于立方体纳卫星脉冲等离子体推力器放电能量为2.6J的电源处理单元,其放电点火电路是基于LC振荡电路,且对放电点火电路的性能、开关管的电流应力和整个电源处理单元的稳定可靠性进行了研究。结果表明:LC振荡放电点火电路中,开关器件的电流应力较小,提高了整个电路的可靠性;该放电点火电路在输入电压800V时,点火电流的峰值可达到100A～150A,这种大电流放电有助于清除火花塞表面的积碳。(本文来源于《推进技术》期刊2019年06期）
廖红华,樊姗,周彬彬,吕义,滕召波[7]（2018）在《用于DBD型微型原子化器的微等离子体电源设计》一文中研究指出设计了一种以STM32F103ZET6和SG3525为控制核心的程控电源,该电源用于介质阻挡放电(DBD)型微型原子化器控制.系统中,通过单片机STM32F103ZET6控制SG3525实现了输出波形的频率及占空比调节、过流过压控制、以及超温保护等功能.文中重点探讨了该电源工作原理、软、硬件设计等.实验结果表明:该电源具有良好的稳定性以及较快的响应速度等优点.在要求高电压、小电流的电源系统中有较好的应用前景,特别适合DBD型微型原子化器实际控制需求.(本文来源于《湖北民族学院学报(自然科学版)》期刊2018年04期）
崔运秋[8]（2018）在《不同参数特性的电源驱动等离子体放电去除水中四环素的研究》一文中研究指出等离子体水处理技术,被视为新型的高级氧化技术。其作用过程通常包括高能电子在内的粒子轰击、自由基(以羟基为首)、臭氧和双氧水氧化,以及紫外光的降解等效应。等离子体水处理技术的优点是无选择性、高效率、无二次污染(或少)、常温常压下即可使有机物分子发生高效的分解反应,整个过程一般无需添加外部试剂。因此应用前景十分广阔。本文运用介质阻挡放电等离子体,采用叁种电源驱动等离子体对模拟四环素废水溶液进行了降解处理,主要研究内容为:(1)自行设计制作了一套等离子体废水处理系统。该系统由电源和反应器两个部分构成。电源部分比较了高压脉冲源和中频连续电源。其中高压脉冲电源可以提供较窄的脉冲上升/下降沿和较短的脉宽,更易形成和获得高能电子。反应器采用了同轴圆筒介质阻挡放电形式,有利于等离子体直接作用于液体。而采用水的循环,使活性氧化剂与污染物之间的传质更好,可以实现大面积、规模化处理。采用介质阻挡放电避免弧状放电和放电产生的电解和焦耳热效应。另外还配备了一些相应的等离子体诊断设备,构成实时等离子体参数的监测。(2)大气压介质阻挡放电等离子体降解废水中的四环素的研究。实验研究了不同工艺参数对四环素去除效果的影响,包括不同电源波形、电源电压峰值、频率、脉冲宽度及通入气体种类等。结果表明,在一定条件下,放电10min,四环素去除率高达到90%,化学需氧量去除率达到45~58%,能量效率最高可达5.3g/kWh,反应过程遵循一级反应动力学。(3)等离子体降解有机物的反应机理推断。通过对在线发射光谱对气态等离子体中的自由基进行了检测,特别是强氧化剂羟基自由基的检测,再结合水中羟基自由基抑制剂的使用,初步确定OH在降解反应过程起主导作用。使用紫外可见分光光度计,pH计,COD分析仪,电导率仪和液相色谱-质谱联用仪等检测手段对降解的水样进行分析,认为等离子体放电处理前2 min或5min内等离子体放电产生的大量活性物质,与四环素分子作用,使其分子结构在短时间内裂解,出现新的物质(N-去(二甲基)-4-表-四环素,脱水差向四环素等)。随着放电时间的增加,物质种类和产量逐渐增加,直至四环素接近完全降解,由此推断了四环素的降解途径。(本文来源于《北京印刷学院》期刊2018-12-01）
代文鹏[9]（2018）在《等离子体废气处理高压电源系统的设计与研制》一文中研究指出随着工业的发展,环境污染问题变得越来越严重,像雾霾、酸雨、废气等大气污染使我们生活环境质量下降。汽车尾气、实验室有机废气、工业废气等都是污染源,其中工业废气是该污染的主要来源,针对于工业废气处理,处理方法也是多种多样,例如:冷凝法、吸附法、化学降解、多介质催化氧化法等,由于化学处理方法需要添加化学添加剂,会产生有害废水、废渣,会造成二次污染。因此,采用高压电源等离子体处理废气,使该问题得到了解决。当外加高压电压时,气体被击穿,产生电子、离子、自由基等在内的混合体,等离子体降解污染物是利用这些高能电子、自由基等活性粒子与废气中的污染物作用,使污染物分子在极短的时间内发生分解,达到降解污染物的目的。高压电源等离子体处理废气的核心就是高压电源的设计与控制,随着半导体技术的发展,高压电源设计趋向于高频化、集成化和节能化,由于网络物联技术的发展,高压电源与计算机技术结合在一起,从而实现高压电源的智能化控制。本文的等离子体废气处理高压电源系统就是结合上述特点并针对工业废气和实验室废气处理问题进行设计的。分析了国内等离子体废气处理高压电源的研究现状,通过对多种等离子体高压电源技术方案研究,确定高压电源主电路用AC-DC-DC-AC-DC拓扑结构电路的开关电源,AC-DC采用全桥整流;DC-DC采用BOOST结构的功率因数校正电路,其控制芯片采用L6562A;DC-AC-DC环节采用了PWM型全桥逆变电路和多级倍压整流电路相结合,逆变环节开关管控制芯片采用SG3525、IR2110芯片,进行稳压控制环路的设计和搭建。多路输出辅助电源采用带变压器隔离的反激式开关电源,PWM控制芯片采用UC3842进行调节,实现稳压;控制器采用STM32F103ZET6微处理器,对电源的电压和通断进行调控。为了多元化控制,设计了本控模式和远控模式,本控模式就是本地组态屏或本地电脑上位机采用基于RS_485的ModBus通讯协议与高压电源设备连接通讯进行现场控制,远控模式就是远程电脑上位机或手机上位机采用TCP/IP通讯协议连接到服务器继而与高压电源设备连接进行远程控制,其中手机上位机采用E4A编写的电源操作界面,电脑上位机采用LabVIEW编写的电源上位机界面。根据设计整体方案搭建电路图,并计算各个功能模块电路器件参数,硬件完成后,在软件上位机设计上也进行了精心的编程,软件测试成功,应用到高压电源上,进行全面的设计和综合分析。最终设计了样机设备一台,并对设备核心参数进行系统的测试,经测试各项指标符合设计要求,达到了设计的预期值。(本文来源于《西京学院》期刊2018-12-01）
胡旭,高超,郝江南[10]（2018）在《AC和AC-DC两种电源对不同多级等离子体激励器的激励效果研究》一文中研究指出采用AC和AC-DC两种不同电源,研究电源对不同多级等离子体激励器的激励效果,实验采用粒子图像测速(PIV)技术进行流场显示测量,结果表明:随着电极组的数量增加,AC电源和AC-DC电源的最优频率随之降低,对于相同电极组数,AC电源的最优频率大于AC-DC电源。在一定电压范围内,随着电压的增大,AC电源和AC-DC电源对不同多级等离子体激励器的激励效果均增大。相同电压时,随着电极组的数量增加,两种电源的激励效果均增大。在相同电压和相同电极组数时,AC-DC电源的激励效果要好于AC电源。(本文来源于《电工技术学报》期刊2018年S1期）
等离子体电源论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
磁控溅射镀膜电源是磁控溅射系统中的关键设备之一。根据铌靶和锡靶溅射处理装置的技术要求,研制了一套输出电压0～800V可调、脉冲宽度5～200μs可调、频率0～60Hz可调、在脉冲电流最大幅值约150A的磁控溅射镀膜电源,分别给出了该电源在铌靶负载和锡靶负载下的实验结果。设计上采用高压短脉冲预电离一体化高功率双极性脉冲形成电路方法,解决了高功率磁控溅射在重复频率工作下有时不能成功溅射粒子、电离时刻不一致、溅射起弧打火靶面中毒、溅射效率低等问题,降低了磁控溅射装置内气体的工作气压,实现低气压溅射镀膜,提高了靶材的溅射效率,减小薄膜表面粗糙度。通过大量实验论证,该电源达到了理想的溅射效果,满足了指标要求。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
等离子体电源论文参考文献
[1].贾垭楠,李占贤,刘国莎.基于移项全桥变换器的等离子体脉冲电源设计[J].机械工程与自动化.2019
[2].李波,赵娟,李洪涛,叶超,谭巍巍.一种新型等离子体磁控溅射镀膜电源设计[J].强激光与粒子束.2019
[3].胡晨,赵龙章,高升.应用于污泥处理的等离子体动态匹配电源的研究[J].现代电子技术.2019
[4].刘志强,李占贤.用于产生瞬态等离子体的脉冲电源的设计[J].电子测试.2019
[5].王振民,吴健文,范文艳,叶春显.基于SiCMOSFET的谐振软开关等离子体电源[J].华南理工大学学报(自然科学版).2019
[6].徐友慧,王少宁,陈昶文,任海玢,徐恒通.脉冲等离子体推力器电源处理单元技术研究[J].推进技术.2019
[7].廖红华,樊姗,周彬彬,吕义,滕召波.用于DBD型微型原子化器的微等离子体电源设计[J].湖北民族学院学报(自然科学版).2018
[8].崔运秋.不同参数特性的电源驱动等离子体放电去除水中四环素的研究[D].北京印刷学院.2018
[9].代文鹏.等离子体废气处理高压电源系统的设计与研制[D].西京学院.2018
[10].胡旭,高超,郝江南.AC和AC-DC两种电源对不同多级等离子体激励器的激励效果研究[J].电工技术学报.2018