导读:本文包含了溶剂热法生长论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:钙钛矿,单晶,溶剂热
溶剂热法生长论文文献综述
张太阳,赵一新[1]（2015）在《低温溶剂热法生长CH_3NH_3Pb(Br_(1-x)Cl_x)_3钙钛矿单晶》一文中研究指出铅卤钙钛矿的单晶是研究其物理化学性质的有力载体,传统的溶液浓缩单晶生长工艺往往较为繁琐,在此我们报道了一种通过加热等化学计量比Pb Br_2和[(1-y)CH_3NH_3Br+yCH_3NH_3Cl]的DMF前驱体溶液来生长CH_3NH_3Pb(Br_(1-x)Cl_x)_3单晶的策略,该生长方式过程易于控制,条件温和,进一步的研究表明,Cl含量的增加使得CH_3NH_3Pb(Br_(1-x)Cl_x)_3的带隙增加同时晶胞减小,另外有趣的是,单晶中的Cl/Br原子比与母液有显着的区别,揭示了一种异于寻常的结晶机制。(本文来源于《第二届新型太阳能电池学术研讨会论文集》期刊2015-05-23）
徐艳燕[2]（2013）在《溶剂热法在Pb基片上生长PbS、PbSe和PbS/PbSe合金复合物及其发光性质》一文中研究指出各种电子、光电子、传感器等纳米器件的研制是当前纳米科技领域的研究热点，而具有特殊光、电、催化等性能的纳/微米材料，特别是具有增强的光电功能的半导体及其异质结构材料是构建纳米器件的基础和关键。近些年，铅属纳米材料(PbS、PbSe)等因其具有特殊的物理和化学性质以及在纳米器件上的潜在应用，而被广泛的研究。硫化铅(PbS)是一种重要的半导体材料，它具有较大的激发波尔半径(18nm)和较小的能带间隙(0.41eV)。PbS的光学性质经常用于制造光学器件，例如红外太阳能光电板，红外LED，光学电池等。硒化铅(PbSe)是IV-VI主族的半导体材料，在电冷却器，红外线光电探测器，高温转换器，太阳能电池等纳米技术应用方面具有很大潜力。而复合结构的半导体材料中各个组分具有不同的介电常数和能带隙，当不同带隙的半导体材料复合时会产生新的电子能级和能带隙，形成新的电子-空穴复合中心，改变载流子的复合路径，从而展示更高、更强的功能特性。本文基于温和的化学溶液路线，借助于两亲聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的导向、配合等作用，研究了在铅基片上直接合成PbS和PbSe半导体材料及PbS/PbSe合金异质结构材料。在这里以升华硫粉和硒粉分别作硫源和硒源，而铅基片既作为反应基底又提供铅源。同时，我们考察了溶剂的种类、表面活性剂的种类对基片上生长PbS和PbSe半导体材料形貌的影响。为了研究PbS和PbSe半导体材料的形成过程，对反应时间和反应温度等影响因素进行了探究。采用多种分析测试手段，对产物的形貌、组成及结构进行了系统的表征。最后通过室温发射光谱(PL)的测定，研究了在水合肼作为溶剂时合成的PbS,PbSe和PbS/PbSe合金异质结构的发光性质。(本文来源于《东北师范大学》期刊2013-05-01）
曾凯[3]（2013）在《镍硫属化合物溶剂热法控制合成及生长机理研究》一文中研究指出过渡金属硫属化合物微纳米材料的形貌控制合成以及性能研究是现代材料学研究的热点之一。其中，镍硫属化合物作为一类重要的半导体材料，在光学、电学、磁学、能源等方面具有广阔的应用前景。本论文采用溶剂热法制备出了不同微纳米结构的镍硫属化合物（NiS、NiS_2、NiSe和NiSe_2）粉体。通过系统地考察反应物、溶剂、反应时间和温度对合成产物的影响，研究了镍硫属化合物（NiS、NiS_2、NiSe和NiSe_2）微纳米晶体的形貌可控合成，并探讨了不同微纳米结构的生长机理。主要研究工作体现在以下四个方面：（1）采用简单的乙二胺溶剂热法，成功制备了纯物相单分散的r-NiS单晶棒状粉体和3D花状r-NiS单晶粉体。利用XRD定量分析，预测出以Na2S_2O_3·5H_2O作为硫源获得纯的r-NiS晶相的合成条件为Na2S_2O_3/NiCl_2摩尔比接近于1.925，温度高于215℃且需长时间溶剂热反应，事实证明预测的合成条件与实际获得纯的棒状r-NiS的合成条件非常吻合。3D花状r-NiS结构的构建归因于多个Ni-硫脲络合物结合形成了Ni-硫脲聚集体，同时在Ni-硫脲聚集体上形成的NiS核会沿各自的[001]方向生长所致。棒状r-NiS和3D花状r-NiS结构中单棒的轴向均与r-NiS的C轴平行，且棒状r-NiS和3D花状r-NiS结构中单棒的正叁角形截面归因于r-NiS晶体的叁个等效晶面(110)、(1-20)、(-210)分别沿着[110]、[0-10]、[-100]晶体学方向生长所致。（2）采用简单的乙二胺溶剂热法，成功制备了很好的单晶特性的菱形十二面体立方相NiS_2晶体。菱形十二面体NiS_2晶体的产率高，尺寸大约为2μm，颗粒分布均匀。由于NiS_2晶体中{110}晶面族上表面原子堆积排列以及乙二胺分子与硫的强烈相互作用，因此{110}晶面比{111}和{001}晶面更加稳定，从而由{110}晶面族的十二个等效晶面的均匀生长而导致了菱形十二面体立方相NiS_2晶体的形成。（3）以NiCl_2·6H_2O与Se粉为原料，水合肼和乙二胺作为溶剂，引入NH_4Cl，用简单的混合溶剂热法系统地控制合成了h-NiSe微球、小六方微米片、大六方微米片、六方棱柱以及六方双塔等新颖形貌。混合溶剂NH80/En体积比和添加剂NH_4Cl对形貌控制合成具有关键性的作用。引入无机盐NH_4Cl能够降低体系的形核率以及生长基元的扩散迁移速率，同时乙二胺分子强烈地倾向于吸附在h-NiSe晶体富镍的致密{001}晶面上，从而抑制了h-NiSe晶体沿<001>方向生长，导致了六方片层纳米片的形成。归因于六方片层纳米片的纵向迭加以及片层纳米片的横向长大，从而系统地构建了不同形貌的片层组装微纳米结构。（4）以NiCl_2·6H_2O与Se粉为原料，在不同的NH80/En、NH80/H_2O溶剂体系中，用简单的溶剂热法成功制备了NiSe_2微球、切边切角八面体，叁种不同尺寸的正八面体以及纳米线。在NH80/En混合溶剂中，随着En含量的增加，形貌逐渐由均一微球转化为切角切边八面体，最终转化为正八面体。在NH80/H_2O溶剂中，反应的初期均出现了NiSe_2纳米线，最后转变为正八面体。混合溶剂NH80/En体积比和NH80/H_2O体积比对形貌控制合成具有关键性的作用。由于面心立方NiSe_2内在晶体结构决定了晶面生长速率的次序R{111}<R{100}<R{110}，同时由于乙二胺分子优先吸附在有裸露Ni2+的晶面上，最终导致不同形貌的NiSe_2晶体的生成。(本文来源于《长沙理工大学》期刊2013-04-01）
邢琳,方莉俐[4]（2012）在《溶剂热法合成LuAG纳米粉体的晶粒生长研究》一文中研究指出采用溶剂热法合成了镥铝石榴石(LuAG)纳米粉体,研究了晶化温度和晶化时间对晶粒成核和生长的影响规律。XRD的结果发现晶化时间相同时,晶化温度只有高于某一临界温度时才有晶粒析出,而且随着晶化温度的升高,LuAG纳米粉体的晶粒结构趋于完整;晶化温度相同时,晶化时间也只有长于某一临界时间时才有晶粒析出,而且随着晶化时间的延长,晶粒结构趋于完整。TEM的结果表明实验条件下得到的LuAG纳米粉体为球形,说明晶粒生长沿各个方向的生长速率是相同的。这一溶剂热反应过程支持了晶粒生长的成核/晶化机理。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2012年09期）
叶茵,袁方利,胡鹏,黎少华[5]（2006）在《溶剂热法合成纳米级CoO粉体及其生长习性》一文中研究指出以四水醋酸钴和无水乙醇为原料,采用溶剂热法在150℃制备了纳米晶体CoO.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等手段对产物进行了分析和表征.结果表明,产物CoO晶体为面心立方结构,晶粒尺寸约为50nm,大小均匀,分散性好.研究了不同合成条件对CoO晶粒尺寸的影响,并分析了CoO的结晶习性,在低过饱和度条件下,CoO晶体因{111}晶面生长速度最慢而显露,因此它的形貌为八面体.(本文来源于《过程工程学报》期刊2006年02期）
溶剂热法生长论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
各种电子、光电子、传感器等纳米器件的研制是当前纳米科技领域的研究热点，而具有特殊光、电、催化等性能的纳/微米材料，特别是具有增强的光电功能的半导体及其异质结构材料是构建纳米器件的基础和关键。近些年，铅属纳米材料(PbS、PbSe)等因其具有特殊的物理和化学性质以及在纳米器件上的潜在应用，而被广泛的研究。硫化铅(PbS)是一种重要的半导体材料，它具有较大的激发波尔半径(18nm)和较小的能带间隙(0.41eV)。PbS的光学性质经常用于制造光学器件，例如红外太阳能光电板，红外LED，光学电池等。硒化铅(PbSe)是IV-VI主族的半导体材料，在电冷却器，红外线光电探测器，高温转换器，太阳能电池等纳米技术应用方面具有很大潜力。而复合结构的半导体材料中各个组分具有不同的介电常数和能带隙，当不同带隙的半导体材料复合时会产生新的电子能级和能带隙，形成新的电子-空穴复合中心，改变载流子的复合路径，从而展示更高、更强的功能特性。本文基于温和的化学溶液路线，借助于两亲聚合物聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的导向、配合等作用，研究了在铅基片上直接合成PbS和PbSe半导体材料及PbS/PbSe合金异质结构材料。在这里以升华硫粉和硒粉分别作硫源和硒源，而铅基片既作为反应基底又提供铅源。同时，我们考察了溶剂的种类、表面活性剂的种类对基片上生长PbS和PbSe半导体材料形貌的影响。为了研究PbS和PbSe半导体材料的形成过程，对反应时间和反应温度等影响因素进行了探究。采用多种分析测试手段，对产物的形貌、组成及结构进行了系统的表征。最后通过室温发射光谱(PL)的测定，研究了在水合肼作为溶剂时合成的PbS,PbSe和PbS/PbSe合金异质结构的发光性质。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
溶剂热法生长论文参考文献
[1].张太阳,赵一新.低温溶剂热法生长CH_3NH_3Pb(Br_(1-x)Cl_x)_3钙钛矿单晶[C].第二届新型太阳能电池学术研讨会论文集.2015
[2].徐艳燕.溶剂热法在Pb基片上生长PbS、PbSe和PbS/PbSe合金复合物及其发光性质[D].东北师范大学.2013
[3].曾凯.镍硫属化合物溶剂热法控制合成及生长机理研究[D].长沙理工大学.2013
[4].邢琳,方莉俐.溶剂热法合成LuAG纳米粉体的晶粒生长研究[J].中国陶瓷.2012
[5].叶茵,袁方利,胡鹏,黎少华.溶剂热法合成纳米级CoO粉体及其生长习性[J].过程工程学报.2006