导读:本文包含了低温互连论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:低温互连,铜-银微纳米,互连强度,扩散
低温互连论文文献综述
肖金,屈福康,程伟[1]（2019）在《基于铜银微纳米复合层低温互连技术的研究》一文中研究指出提出了一种新颖的低温固态互连技术。通过特殊形貌的铜银微纳米复合层,在低温条件下,实现了良好的互连质量。通过扫描电子显微镜和焊接强度测试仪器分别分析了互连界面的显微组织形貌变化以及剪切强度变化趋势。结果表明,材料形貌结构产生的机械互锁以及固态原子扩散对互连强度具有积极影响。(本文来源于《机电工程技术》期刊2019年04期）
左杨[2]（2018）在《基于烧结纳米铜颗粒的低温全铜互连研究》一文中研究指出近年来,随着电子元器件的高密度化、微型化和多功能化,以及宽带隙半导体高温器件的发展,微电子封装系统的可靠性面临着更大的挑战。传统的锡基无铅焊料合金因金属间化合物过度生长、较低的抗电迁移性能和自身熔点较低等问题,已不适用于下一代芯片互连封装材料。纳米铜介质材料因纳米材料的尺寸效应得以在远低于块体铜熔点的温度下实现烧结连接,同时又兼具良好的导电导热和抗电迁移性能,从而受到国内外学者的广泛关注和研究。然而,纳米铜颗粒极易氧化,难以储存,其作为连接材料需要在较高的烧结温度和压力下才能获得具有理想互连强度的接头,这在很大程度上限制了纳米铜介质材料在微电子封装领域内的应用和发展。本文通过调整纳/微米铜颗粒之间的质量配比和优化铜基板的粗糙度来提高在低温低压条件下基于烧结纳/微米铜介质材料的铜-铜互连接头连接强度,同时通过磷化处理来提高纳米铜颗粒及其连接接头的高温和长期抗氧化性能,最后通过建立模型、计算公式和分析断面微观结构来研究这叁种方式对接头剪切强度的强化机理。主要得出以下结论:(1)在烧结过程中,纳米铜颗粒可以填充在微米铜颗粒之间的空隙中,且倾向于包围微米铜颗粒,形成包围结构,从而提高铜颗粒烧结连接层的结构致密度。在烧结温度为250°C、压力为4MPa条件下,当纳/微米铜颗粒之间的质量配比为9/1时,接头连接层的烧结结构致密度最大,接头连接强度最高,约为20.5MPa。相比于纳米铜焊膏,纳/微米铜混合焊膏具有更好的抗氧化性能、更高的连接强度和更低的成本。(2)铜基板粗糙表面上的凹槽可以和铜颗粒烧结连接层之间形成锯齿结构,增加铜颗粒和铜基板之间的接触面积,促进它们之间的机械咬合作用。当铜基板的粗糙度为Ra=189.9±5.4nm时,其表面与铜颗粒之间的接触面积最大,接头的剪切强度也最高。此外,连接基板的最佳粗糙度值会因其材质和铜颗粒尺寸的变化而变化。(3)纳米铜颗粒的最佳磷化处理时间为30min。经过磷化处理后,纳米铜颗粒的高温抗氧化温度高达300°C,并且可以在常温空气中保存数月而不被氧化。纳米铜颗粒的粒径也因表面磷化反应物的生成而由原始的50nm增加到了200nm。在高温烧结(250°C以上)以及后续的老化和储存实验中,磷化纳米铜颗粒因具有良好的抗氧化性能,其连接的接头剪切强度都高于未处理纳米铜颗粒所连接的接头剪切强度。(本文来源于《重庆大学》期刊2018-04-01）
刘敬东[3]（2017）在《铜纳米颗粒合成及其低温烧结互连行为研究》一文中研究指出由于纳米材料的尺寸效应,铜纳米颗粒的熔点将随着纳米颗粒尺寸的减小而降低,从而能够在远低于块体铜熔点的温度下烧结成型。同时,铜纳米颗粒经烧结成型后又能够在较高温度下长期稳定工作,很好地满足“低温成型,高温服役”的需求。近年来,许多研究者试图将铜纳米颗粒用作导电油墨的主体材料及大功率高温服役器件的互连材料。然而,由于铜纳米颗粒极易氧化,目前的研究中均存在若干不足,如烧结温度过高、烧结时间过长、烧结压力过大、烧结体性能较差以及烧结环境具有腐蚀性等,这些缺陷很大程度上限制了铜纳米颗粒在电子封装领域内的应用。因此,为了解决由铜纳米颗粒氧化引起的一系列问题,本文提出了一种利用甲酸去除铜纳米颗粒表面氧化物的方法来实现铜纳米颗粒的低温烧结,并研究了甲酸处理对铜纳米颗粒烧结行为的影响。本文通过优化铜纳米颗粒的表面成分,降低了铜纳米颗粒的烧结温度,提高了铜纳米颗粒烧结试样的导电性。本文还探究了压力辅助下铜纳米颗粒的烧结行为,获得了高强度的高温服役大功率器件连接接头。本文提出了一种利用甲酸处理去除铜纳米颗粒表面氧化物的方法,表面成分分析表明铜纳米颗粒表面氧化物被甲酸处理完全去除,新生成的甲酸盐能够在较低温度下分解。铜纳米颗粒的热分析表明经甲酸处理后,铜纳米颗粒的烧结温度从260℃降低至160℃。同时,铜纳米颗粒热分析曲线上的放热峰被证实为烧结峰。甲酸处理的时间对铜纳米颗粒的烧结行为有着显着影响,长时间甲酸处理的铜纳米颗粒成短程烧结结构,而短时间甲酸处理的铜纳米颗粒成长程烧结结构。本文研制了一种可低温烧结、具有高导电性的甲酸处理铜纳米颗粒导电油墨。该导电油墨经260℃烧结60 min后的烧结薄膜电阻率为6.12μΩ·cm,仅为原始铜纳米颗粒导电油墨烧结薄膜电阻率的叁分之一。实验结果表明,甲酸处理铜纳米颗粒导电油墨具有较好的导电性是由低孔隙、连续性好的烧结组织决定的,烧结薄膜中无氧化物残留也是获得优异导电性的原因之一。此外,本文通过对铜纳米颗粒烧结过程的原位观察,讨论了铜纳米颗粒间的低温烧结互连机理。本文研究了铜纳米颗粒膏的压力辅助烧结行为及其低温烧结互连工艺与连接接头性能。实验结果表明,甲酸处理铜纳米颗粒膏的性能始终优于原始铜纳米颗粒膏。其中,甲酸处理铜纳米颗粒膏经260℃烧结5 min后的烧结薄膜电阻率为5.65μΩ·cm,而原始铜纳米颗粒膏烧结薄膜的电阻率为28.70μΩ·cm。此时,甲酸处理铜纳米颗粒膏连接接头的剪切强度为43.41 MPa,原始铜纳米颗粒膏连接接头的剪切强度仅为23.92 MPa,本文提出的甲酸处理铜纳米颗粒膏具有重要的实际工业应用意义。此外,铜纳米颗粒膏烧结体内存在高密度的共格孪晶,这是烧结连接接头拥有高剪切强度和高导电性的主要原因之一。透射电镜分析证明铜纳米颗粒烧结层与铜焊盘间的结合为冶金接合。基于连接接头的微观结构,结合金属纳米颗粒与铜焊盘烧结的“球-板模型”,得出烧结脉络与铜焊盘间的钝角接触更有利于连接接头力学性能提升的结论。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2017-06-01）
沈俊杰[4]（2017）在《基于铜纳米棒的低温互连工艺研究》一文中研究指出随着芯片集成度不断提高、电子产品小型化,集成电路特征尺寸已逐渐趋近物理极限,材料、工艺等方面遇到了许多难以逾越的瓶颈,传统二维集成技术已经不能解决功耗增加和互连延迟等导致的性能及成本问题。叁维集成技术具有减少传输延时、降低功耗、降低噪音、增加带宽、降低体积和重量、实现异质芯片互连等优点,是解决这一困难最具前景的技术方案。本文围绕叁维互连,研究了Cu纳米棒的制备工艺、低熔点特性,将纳米棒应用于键合,开发可行的低温键合方法,实现面向叁维的低温Cu-Cu互连。具体研究内容包括:(1)铜纳米棒的制备。通过采用磁控溅射或热蒸发倾斜沉积方法,研究不同沉积方法下纳米棒的尺寸和形貌差异,通过惰性保护气氛下退火研究纳米棒的熔点和形貌变化,成功将Cu熔点由块状的1085℃降低至500℃左右。通过中断沉积过程,将纳米棒置于空气中氧化后再沉积工艺,减小了纳米棒直径并增大阵列密度,进一步降低其熔点至400℃左右。(2)基于纳米棒的键合研究。将溅射和热蒸发倾斜沉积纳米棒样片应用于键合,获得比未沉积纳米棒样片更高的键合质量,其中倾斜热蒸发纳米棒的键合效果要优于溅射纳米棒键合。对比纳米棒样片在真空、惰性保护气氛、还原性气氛下的键合质量,叁种情况下获得无缺陷键合截面的最低键合温度依次降低,相同温度下键合强度依次增强。最终实现了250~400℃、4MPa压力下的Cu-Cu键合,最高强度达39.7MPa,验证了Cu纳米棒应用于Cu-Cu键合的可行性及其优势。(3)研究了微凸点沉积Cu纳米棒的工艺,在70μm微凸点阵列表面生长出Cu纳米棒。将Cu纳米棒微凸点样片进行键合,取得了良好的键合界面,初步实现了两层样片的低温垂直互连。本文对Cu纳米棒的低熔点特性研究及纳米棒在低温键合中的应用为面向叁维集成的低温Cu-Cu互连提供指导。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-05-01）
封双涛[5]（2016）在《高功率IGBT芯片的瞬时低温烧结互连方法及其性能研究》一文中研究指出纳米银焊膏作为一种无铅化芯片连接材料已被广泛关注。它具有优良的机械性能、耐高温特性、良好的导电、导热性能,可满足大功率电力电子器件的耐高温和高功率密度封装要求,其有望成为取代传统无铅焊料,成为未来半导体器件封装的关键材料之一。以往纳米银焊膏主要采用传统的热压烧结工艺,但热压烧结工艺条件复杂,例如烧结时间较长(~1小时)。虽然近些年我们开始尝试利用纳米银焊膏实现金属dummy芯片与金属基板的快速烧结连接原理的研究,并取得了一定的进展。但尚无法实现功率半导体器件与陶瓷覆铜(DBC)基板的快速烧结连接,极大的限制了纳米银焊膏及其快速烧结方法在功率半导体模块封装中应用。因此,本文通过自行设计快速烧结纳米银焊膏的一体化工艺装置,通过研究电流辅助烧结纳米银焊膏连接绝缘栅双极性晶体管(IGBT)芯片的方法及致密化机理,开发了可行的电流辅助快速烧结工艺,成功实现了IGBT及其续流二极管器件与镀银铜基板的快速(150 s)以及与DBC基板的瞬时(10 s)低温烧结连接。其中重点研究了烧结电流与通电时间对烧结银接头微观组织结构的影响规律,阐述了烧结纳米银中孪晶组织与烧结银接头的热、电性能的定性或半定量关系。具体包括:首先,本文自行设计并开发了IGBT芯片与基板的快速烧结连接的装置,并利用红外热成像技术实时记录研究了快速烧结过程中纳米银焊膏层及其附近区域的温度场演化。结果表明:烧结过程中焊膏层的峰值温度仅由烧结电流值决定,与通电时间无关;通电时间只影响峰值温度的保持时间。随后,本文系统研究并讨论了烧结电流、通电时间、预热温度和预热时间对IGBT芯片与镀银铜和DBC基板间的烧结银接头的剪切强度、剪切断口形貌、孔隙率、空洞率、热阻以及电性能的影响。结果表明:当烧结电流为2.0 kA,通电时间为150 s时,纳米银焊膏可以完成高度致密化烧结,成功实现IGBT芯片与镀银铜基板的可靠互连;鉴于DBC基板的散热性能低于铜,且电流流过基板时产生的焦耳热会随着电极间距的增加而增大,因此可在烧结电流为1.1 kA,通电时间为10 s,成功实现IGBT芯片与DBC基板的可靠互连。最后,本文还利用透射电子显微(TEM)方法对烧结电流为1.1 kA,通电时间为10 s的近乎“瞬时”烧结纳米银的晶态组织特征分析,发现烧结过程中,烧结银中会有大量孪晶结构,并分析阐述了孪晶结构对快速烧结银接头热电性能的影响。(本文来源于《天津大学》期刊2016-11-01）
田艳红[6]（2013）在《基于3D封装芯片互连的固液互扩散低温键合机理及可靠性研究》一文中研究指出1项目简介芯片互连技术成为下一代制造技术的一大核心挑战,叁维芯片互连或堆迭作为新一代封装技术应运而生。随着叁维(3D)封装中器件节点尺寸的日益减小,急需开发低温键合技术避免对芯片性能的损害。在温(本文来源于《机械制造文摘(焊接分册)》期刊2013年01期）
林新元[7]（2011）在《低温制备集成电路互连高密度碳纳米管的研究》一文中研究指出碳纳米管具有优良的电学及热学性能,这些特性使其成为了下一代集成电路互连材料的候选之一。但是碳纳米管实际应用到半导体集成电路中还有很多问题没有解决,如碳纳米管的低温生长,如何提高碳纳米管的束密度等问题。如何使碳纳米管在低温下定向高密度生长是目前碳纳米管在集成电路中应用亟需解决的问题。本文采用PECVD方法生长碳纳米管,通过扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱(Raman spectroscopy)等先进手段对样品进行了测试和表征。主要研究了制备碳纳米管采用的催化剂、衬底温度、工作压强、混合气体比例以及RF功率对碳纳米管形貌的影响;研究了在550℃的低温条件下反应室内混合气体比例及RF功率对碳纳米管形貌的影响;探索性的尝试了在450℃条件下碳纳米管的生长。主要研究内容如下:(1)通过对比Fe和Ni两种催化剂制备碳纳米管的结果发现,采用Fe催化剂制备出来的碳纳米管具有管径小,密度高的特点,Fe比Ni更适合用作制备高密度碳纳米管的催化剂;(2)通过对比不同衬底温度制备的碳纳米管形貌发现,随着衬底温度的提高,碳纳米管的密度越来越大,定向性变好,并且其石墨化程度增高;(3)通过研究工作压强对碳纳米管形貌的影响发现,随工作压强增大,碳纳米管从不能生长到定向生长,但也不是压强越大越好,压强超过900Pa以后,碳纳米管中的无定形碳增多,结晶化程度下降;(4)提高反应室内的碳氢比到1:2,会制备出管径粗大的碳纳米管,减小碳氢比到1:4,能够制备出管径比较小的碳纳米管;(5)在550℃的低温条件下,由于催化剂的活性不高,RF功率及碳氢比对碳纳米管生长的影响变大,实验中最适合的功率条件是100W,最适合的碳氢比为1:3;(6)在450℃的条件下制备碳纳米管,只有采用RF功率100W,Ar代替H2的实验中成功制备出碳纳米管,但是碳纳米管生长速度极其缓慢,其结晶化程度不高,ID:IG为1.34。(本文来源于《天津理工大学》期刊2011-02-01）
蒋进[8]（2010）在《叁维电子封装微凸点的电沉积制备及低温固态互连技术研究》一文中研究指出随着芯片的特征尺寸逐渐趋近物理极限,叁维集成与封装技术将担负起未来发展的重任,并有望打破目前的技术瓶颈,使得摩尔定律得以延续。叁维集成与封装技术还可降低成本,实现多种芯片集成,减小互连延迟和功耗。叁维片上系统(SOC,System on Chip)、TSV(through silicon via)叁维迭层封装以及封装体叁维迭层是当前叁维集成与封装技术研究的叁大方向。其中TSV叁维迭层封装在工艺中较易实现并能满足高密度高性能需求。键合技术是实现叁维迭层的关键技术之一。在直接氧化物键合、金属/焊料微凸点键合和黏着键合等键合方式中,金属/焊料微凸点键合因采用金属或合金材料从而可以担负电气互连、散热以及结构支撑等功能,是键合技术的重中之重。高密度的微凸点是实现金属/焊料微凸点键合的基础。本文研究了高密度铜微凸点电沉积制备工艺,并以此为基础制备了铜凸点/阻挡层/金属软层结构,将其应用于一种基于镍纳米针阵列的低温固态互连技术中。通过润湿角测试、SEM观察、表面张力测试研究了影响微凸点制备的镀铜液润湿行为,其结果表明:仅凭借毛细作用,镀液无法润湿需要电沉积的光刻微孔;而一切有利于在镀液与相关材料接触界面形成气核,有利于促使微气泡在气核处形成长大而后排出的各种因素均可促进镀液在微孔中的润湿进程,再结合毛细作用即可保证镀液完全润湿微孔从而制备出体积均匀、无缺陷微凸点。基于镀铜液润湿行为的研究,确定了镀液的成分并制定了可行的铜微凸点制备工艺流程。在此基础上,借助XRD、AFM、SEM研究了电流密度、沉积时间这两个主要工艺参数对铜凸点晶粒取向、表面形貌和粗糙度的影响。对键合样品的截面观察以及表面活化键合样品的剪切应力测试证实了新型互连技术的可行性,为今后对关键影响因素的优化与控制,深入研究该互连技术创造了条件。(本文来源于《上海交通大学》期刊2010-01-01）
李卓霖[9]（2009）在《无铅焊点低温超声互连的机理及可靠性研究》一文中研究指出以钎料凸点作为导电端的倒装芯片技术,由于其能有效增加封装密度,被广泛的应用于高I/O端口数集成芯片与基板间的细小间隙互连,并已被证明是一种高强度高可靠性的封装工艺。但对于传统的钎料凸点倒装工艺如热风、红外或热板回流焊来说,为熔化钎料凸点而施加的高温很可能同时造成芯片内精密电路的热损伤,这已被视为微电子产业面临的一项技术挑战。然而,对于超声连接来说,整个连接过程中器件一直处于室温环境下,仅靠压力和超声振动实现连接,因此可以避免高温带来的热损伤,同时连接时间大幅缩短并可有效控制金属间化合物(IMCs)在连接界面的过度生长,改善焊点的可靠性。此外,由于焊盘表面的氧化层及污染物可以在超声振动的作用下被去除,超声倒装还是一种免钎剂的互连工艺。本文研究了Sn3.5Ag无铅焊点低温超声互连的机理与可靠性,内容主要包括以下几个方面:(1)无铅焊点低温超声互连时的局部熔化现象:测试在超声连接过程中连接界面及钎料体内部的温升情况,并在偏振光显微镜下观察了焊点内部局部熔化区与非熔化区的微观组织的差别,结合温度和组织两方面的信息证明了超声连接时钎料凸点在界面处发生了局部熔化。(2)无铅焊点低温超声互连时的连接界面的冶金反应:利用电子显微镜(SEM)研究了钎料与Cu基板间生成的IMCs的尺寸,形貌及分布,利用微区XRD(Micro-XRD)分析了IMCs的成分,确定超声连接是发生了非平衡的冶金反应生成了Cu6.26Sn5和Ag4Sn两种金属间化合物。此外,还发现Cu6.26Sn5的形貌在不同的焊接时间下会发生演变,结合冶金动力学对这种形貌的演变做出了解释(3)无铅焊点低温超声互连的可靠性:主要是通过对不同焊接时间下获得的焊点的抗剪切性能测试,研究了其断裂时所受最大剪切力随时间参数的变化规律,观察断口形貌,总结焊点失效的机制,研究了不同的IMCs形貌及尺寸对超声焊点可靠性的影响规律及作用机制。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2009-06-01）
徐坡[10]（2009）在《基于微纳米阵列材料的低温互连技术研究》一文中研究指出近几年来随着各种各样高密度微电子封装技术的发展,对封装技术的电子微互连技术提出了更高的要求:首先是互连方式的转变,传统的外围部线互连键合技术限制了高密度3D封装的迭层数量和尺寸,将逐渐转变为Face to Face式互连,即凸点对凸点的互连;其次降低互连温度的要求将越来越强烈,随着3D封装迭层数量的增加,芯片厚度将越来越薄,焊点越来越细小,高的互连温度会严重影响封装的可靠性。为此我们提出了一种基于镍基微纳米阵列材料的新型低温互连方法,微纳米阵列材料表面特殊的纵向有序的针状晶结构,与其它材料复合时,由于物理的镶嵌咬合作用,可以获得极高的结合强度。该方法的关键技术具体包括叁部分,一是焊点一侧表面具备微纳米阵列材料和焊点另一侧的软焊料层;二是适切的热压焊接;叁是时效热处理技术。本实验室开发的电沉积法制备镍基微纳米阵列技术工艺简单、成本低廉,为本低温互连技术提供了必要条件;而后通过适切的热压焊接使得软焊料与微纳米阵列实现嵌入式结合;通过热处理时效使得焊点实现化学结合,具有更为可靠的焊接效果。本文主要通过对本低温互连技术中的微纳米阵列材料型貌、热压焊接技术参数(如热压温度和热压压力等)、时效热处理时间和焊点结合机理等的系统研究,可以获得如下结论: 1.通过调整电沉积时间控制镍基微纳米阵列材料的针状晶尺寸,当针状晶在500nm-800nm时有利于焊料的嵌入,可以得到较好的结合效果。对表面微纳米阵列镀金防氧化处理,可以改善焊接效果。2.热压焊接后焊点实现了嵌入式结合,其焊接强度随着热压温度和压力的提高而显着提高,当热压温度高于180℃,压力高于550gf/p时提高幅度趋于平缓。3. SnAgCu系焊料表面硬度低于SnZn系焊料,采用本低温互连技术,SnAgCu系焊料的焊接效果要优于SnZn系焊料。4.焊点经过热处理后,焊接效果有显着提高,实现了化学结合,锡镍结合界面扩散行为以非反应扩散为主,反应扩散为辅,且没有传统回流焊产生的脆性金属间化合物层,由金属间化合物形成热模型预测可能生成的扩散化合物为Ni3Sn4。5.微纳米阵列材料表面的微纳米结构具有较高的活性,且为扩散行为提供了大量的界面,促进了其与焊料的扩散。以上研究为基于微纳米阵列材料的低温互连技术奠定了基础,为3D高密度封装提供了在一种新型绿色低温互连方法。(本文来源于《上海交通大学》期刊2009-01-17）
低温互连论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,随着电子元器件的高密度化、微型化和多功能化,以及宽带隙半导体高温器件的发展,微电子封装系统的可靠性面临着更大的挑战。传统的锡基无铅焊料合金因金属间化合物过度生长、较低的抗电迁移性能和自身熔点较低等问题,已不适用于下一代芯片互连封装材料。纳米铜介质材料因纳米材料的尺寸效应得以在远低于块体铜熔点的温度下实现烧结连接,同时又兼具良好的导电导热和抗电迁移性能,从而受到国内外学者的广泛关注和研究。然而,纳米铜颗粒极易氧化,难以储存,其作为连接材料需要在较高的烧结温度和压力下才能获得具有理想互连强度的接头,这在很大程度上限制了纳米铜介质材料在微电子封装领域内的应用和发展。本文通过调整纳/微米铜颗粒之间的质量配比和优化铜基板的粗糙度来提高在低温低压条件下基于烧结纳/微米铜介质材料的铜-铜互连接头连接强度,同时通过磷化处理来提高纳米铜颗粒及其连接接头的高温和长期抗氧化性能,最后通过建立模型、计算公式和分析断面微观结构来研究这叁种方式对接头剪切强度的强化机理。主要得出以下结论:(1)在烧结过程中,纳米铜颗粒可以填充在微米铜颗粒之间的空隙中,且倾向于包围微米铜颗粒,形成包围结构,从而提高铜颗粒烧结连接层的结构致密度。在烧结温度为250°C、压力为4MPa条件下,当纳/微米铜颗粒之间的质量配比为9/1时,接头连接层的烧结结构致密度最大,接头连接强度最高,约为20.5MPa。相比于纳米铜焊膏,纳/微米铜混合焊膏具有更好的抗氧化性能、更高的连接强度和更低的成本。(2)铜基板粗糙表面上的凹槽可以和铜颗粒烧结连接层之间形成锯齿结构,增加铜颗粒和铜基板之间的接触面积,促进它们之间的机械咬合作用。当铜基板的粗糙度为Ra=189.9±5.4nm时,其表面与铜颗粒之间的接触面积最大,接头的剪切强度也最高。此外,连接基板的最佳粗糙度值会因其材质和铜颗粒尺寸的变化而变化。(3)纳米铜颗粒的最佳磷化处理时间为30min。经过磷化处理后,纳米铜颗粒的高温抗氧化温度高达300°C,并且可以在常温空气中保存数月而不被氧化。纳米铜颗粒的粒径也因表面磷化反应物的生成而由原始的50nm增加到了200nm。在高温烧结(250°C以上)以及后续的老化和储存实验中,磷化纳米铜颗粒因具有良好的抗氧化性能,其连接的接头剪切强度都高于未处理纳米铜颗粒所连接的接头剪切强度。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低温互连论文参考文献
[1].肖金,屈福康,程伟.基于铜银微纳米复合层低温互连技术的研究[J].机电工程技术.2019
[2].左杨.基于烧结纳米铜颗粒的低温全铜互连研究[D].重庆大学.2018
[3].刘敬东.铜纳米颗粒合成及其低温烧结互连行为研究[D].哈尔滨工业大学.2017
[4].沈俊杰.基于铜纳米棒的低温互连工艺研究[D].华中科技大学.2017
[5].封双涛.高功率IGBT芯片的瞬时低温烧结互连方法及其性能研究[D].天津大学.2016
[6].田艳红.基于3D封装芯片互连的固液互扩散低温键合机理及可靠性研究[J].机械制造文摘(焊接分册).2013
[7].林新元.低温制备集成电路互连高密度碳纳米管的研究[D].天津理工大学.2011
[8].蒋进.叁维电子封装微凸点的电沉积制备及低温固态互连技术研究[D].上海交通大学.2010
[9].李卓霖.无铅焊点低温超声互连的机理及可靠性研究[D].哈尔滨工业大学.2009
[10].徐坡.基于微纳米阵列材料的低温互连技术研究[D].上海交通大学.2009