本文主要研究内容
作者阮兴祥,张富春（2019）在《单结InxGa1-xN太阳电池特性的研究》一文中研究指出：采用第一性原理和电子连续方程方法,研究了p层厚度和In的掺杂浓度对单结InxGa1-xN太阳电池性能的影响。计算结果表明:p层厚度从0.05μm增加到0.07μm,In0.1Ga0.9N电池的转换效率缓慢增大;当p层厚度从0.07μm逐渐增大到0.25μm时,太阳电池的转换效率逐渐减小。当In掺杂浓度在0.5～0.7范围内逐渐增大时,短路电流密度逐渐增大,开路电压逐渐减小。当In的掺杂浓度为0.63时,转换效率达到最大,为19.80%,填充因子为0.82。因此,通过调节p层厚度和改变In掺杂浓度的方法可以提高单结InxGa1-xN太阳电池的光电特性。
Abstract
cai yong di yi xing yuan li he dian zi lian xu fang cheng fang fa ,yan jiu le pceng hou du he Inde can za nong du dui chan jie InxGa1-xNtai yang dian chi xing neng de ying xiang 。ji suan jie guo biao ming :pceng hou du cong 0.05μmzeng jia dao 0.07μm,In0.1Ga0.9Ndian chi de zhuai huan xiao lv huan man zeng da ;dang pceng hou du cong 0.07μmzhu jian zeng da dao 0.25μmshi ,tai yang dian chi de zhuai huan xiao lv zhu jian jian xiao 。dang Incan za nong du zai 0.5～0.7fan wei nei zhu jian zeng da shi ,duan lu dian liu mi du zhu jian zeng da ,kai lu dian ya zhu jian jian xiao 。dang Inde can za nong du wei 0.63shi ,zhuai huan xiao lv da dao zui da ,wei 19.80%,tian chong yin zi wei 0.82。yin ci ,tong guo diao jie pceng hou du he gai bian Incan za nong du de fang fa ke yi di gao chan jie InxGa1-xNtai yang dian chi de guang dian te xing 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自电源技术的阮兴祥,张富春，发表于刊物电源技术2019年01期论文，是一篇关于层厚度论文,掺杂论文,太阳电池论文,光电特性论文,电源技术2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自电源技术2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：层厚度论文; 掺杂论文; 太阳电池论文; 光电特性论文; 电源技术2019年01期论文;