本文主要研究内容
作者郑伟,吴召平（2019）在《碲锌镉室温核辐射探测器性能的研究》一文中研究指出：研究碲锌镉室温半导体晶体用于核辐射探测器的器件制备过程及其性能与工艺参数的相关性。在探测漏器电的流研,制提过高程探中测,器发性现能晶。体载的流表子面迁化移学率抛和光寿对命探的测乘器积特为性1.有0 E较-3大V的/c影m响2,,由它此能晶有体效制降备低的碲探锌测镉器探有测器效的地探测了Co-57 122 keV的能谱,满足核辐射探测器的应用要求。
Abstract
yan jiu di xin ge shi wen ban dao ti jing ti yong yu he fu she tan ce qi de qi jian zhi bei guo cheng ji ji xing neng yu gong yi can shu de xiang guan xing 。zai tan ce lou qi dian de liu yan ,zhi di guo gao cheng tan zhong ce ,qi fa xing xian neng jing 。ti zai de liu biao zi mian qian hua yi xue lv pao he guang shou dui ming tan de ce cheng qi ji te wei xing 1.you 0 Ejiao -3da Vde /cying mxiang 2,,you ta ci neng jing you ti xiao zhi jiang bei di de di tan xin ce ge qi tan you ce qi xiao de de tan ce le Co-57 122 keVde neng pu ,man zu he fu she tan ce qi de ying yong yao qiu 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自集成电路应用的郑伟,吴召平，发表于刊物集成电路应用2019年04期论文，是一篇关于半导体晶体论文,核辐射探测论文,碲锌镉论文,集成电路应用2019年04期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自集成电路应用2019年04期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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